Патенты с меткой «алмаза»

Номер патента: 987912

Опубликовано: 10.03.2013

Авторы: Смольянинов, Спицын

МПК: C01B 31/06, C30B 25/02

Метки: алмаза, выращивания, слоев

1. Способ выращивания слоев алмаза на поверхности затравочного кристалла разложением паров углеродсодержащих соединений в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса и получения монокристаллических слоев, пары углеродсодержащего соединения получают непосредственно в процессе выращивания нагреванием твердого материала, например, графита, расположенного рядом с затравочным кристаллом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при нагревании твердого материала до температуры 1500-2500°С, температуре затравочного кристалла 500-1500°С и температурном градиенте между ними 103-107 град/см.