Патенты с меткой «алмаза»

Номер патента: 1820890

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Бушман, Воробьев, Рахель, Фортов

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, искусственного

...36 36 25 25 25 36 36 36 36 36 20 21 19 14 10 3 16 13 11 14 10 30 30 30 30 30 30 30 30 30 10 5 6 5 6 4 1 0,2 5 4 3 2 1 медь медь медь медь медь медь алюминий никель железомедь ме ь ре(доля графита, превратившегося в алмаз)составил 18%; частицы алмаза имели средний размер около 5 мкм,Другие вариангы реализации предлагаемого способа представлены в таблице, 5Кроме исходных параметров и характеристик получаемого алмаза в таблице приводится оценка величины давления в образце.П р и м е р ы 2-4 иллюстрируют влияниена выход целевого продукта такого параметра, как объемная доля графита в материале,из которого изготовлен образец. Как следует из таблицы, уменьшение содержания графита от 30 до 10% приводит к возрастаниювыхода алмаза почти в два раза....

Номер патента: 1047105

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Вобликов, Каличкина, Костиков, Преображенский, Яковлев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, поликристаллического, синтеза

...с аССОВОМ ОтНОШЕ.; Е г( 1 О УП еГ) .. (1 БОЗДЕИСТ ВИ Ь г(Н - (т Е М П Е р д т . р Г ,с) 0 0 - / (1;,С М) ди Ь 11 ЛсГ С" и 1 П) Б З Д,ет д;1 л - кд тдг 1 иза , 00 Г 11,:д 0 и ел: перемешива,",т с добиддми переходныхлО та.Г 1 Г 1 ов 1 - . 1.РупГ 1 Г)ерОли ивгкЙ СИС ЕМ ПРИ ЛЧДССОВ(РЛ 11 О)И;Д; - Г)ЬД)Е)М(ТгПУ КД гГИЗ) ) " .16, 51 опо)1 нытзгьно; з с (."(г 1у . - ,;рдс ООЛуЮТ Зд Г ОТВКl И )К руЖдЮТсмесьс карбида и м(:. д;.гд -кддпЛзТ ра )ри содержд ни и ( г( кгоу 1 БО1,.Р 0 мдс,хо и БозлейсБ гют высоким давлением Г 1 ри 1 900- 2000ПРИМЕНЕНИЕ Б Кас(ЕЬ-ГБС Д-ДГ ЗО)Д сме Гмет дплс) и кд рби,.,с;О зв;ли;10 цесБенно соРдтить г)бьеч мс)тапли.:( кой Фдзыггосо )нои гг)дзовывд ь усТОЙИ Г)Ы МЕДЛПО l ГЕоД 1 С-. Си СТ ЕМЬ 1, д применен.е нагрева гс...

Номер патента: 1340030

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Боровикова, Вобликов, Каличкина, Преображенский

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, поликристаллического

...1500 град/с соответственно, в условиях градиента температуры 50 град/миц при 800 К выдерживют 3 с.Обрдзовлвшийся черного цвета алмаз имеет Форму сплошного цилиндра диаметром Э,О мм и высотой 3,5 мм. Примеси материала-катализатора, по данным элементного анализа, мас.7.: Со 8,1; Тд 0,3; Ч 3,1; Я. 0,02;Мя 0,03; Ге 0,7; Л 1. 0,5; Ся 0,6. При испытаниях в качестве наконечника твердомерд этим глмазом было произведено 1000 измерений твердости изделий из сплавов типа ВК без разруцтеция и переточки наконечника.Микротвердость полученного алмаза 1200 кгс/мм , а электросопротивление 10 Омсм.тП р и и е р 3. Все, как в приме- рЕ 1, только катдлитическую смесь берут массой 490 мг, л разделяющий слой из БЬВ порпшкообрязцого материала твердостью 0,9...

Номер патента: 2004491

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Ставер, Тушко, Чиганов, Чиганова

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, детонационного

...окисления на воздухе при нагреве до 550 С, в то время как сырье, содержащее незащищенный ультрадисперс2004491 Техред М.Моргентал Корректор Редактор Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента13035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., 4/5 Заказ 1193 Производственно-издательский, комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 ный алмаз, окисляется полностью при нагреве до 350-400 С,Способ осуществляют следующим образом. Смешивают алмазосодержащее сырье с водным растволом борного ангидрида или борной кислотыВ 203+ ЗН 20 = 2 нзвозИспользование водных растворов борного ангидрида позволяет осуществить пропитку по всему объему пористого сырья, улучшить контакт между частицами алмаза и В 2 Оз.Высушивают продукт при 210 С для получения стекловидного...

Номер патента: 1577400

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Алексенко, Ботев, Буйлов, Варнин, Спицын, Теремецкая

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Метки: алмаза, выращивания, слоев

...выпрямитель мощностью 10 кБт с регулируемым напряжением до 400 В и током до 40 Л. Напряжение подают на стержень 5 и один из токоваодов 2 через реоста 1 20 м. Подогрев подложек осуществпяют при пропускании переменного тока до 600 А через подложкодеркатепь и токовводы 2.П р и м е р. Дпя инициирования роста алмаза по всей площади подложки 3 на нее равномерно нпнося 1 затравки - частицы ал 5 10 15 20 25 30 35 40 50 мазного порошка размером не более 1 мкм так, что среднее расстояние между отдельными частицами составляет 1-2 мкм. После помещения подложек на рабочую поверхность подложкодержателя 1 реактор откачивают до давления 10 атм и продувают газовой смесью в течение 1 ч при зоасходе 2 л/ч, Далее при давлении около 10 атм подают...

Номер патента: 803323

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Дубицкий, Семенова, Слесарев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, полупроводникового

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО АЛМАЗА, включающий приготовление шихты, состоящей из углеродсодержащего материала, металла-катализатора и легирующей добавки, и последующее воздействие на шихту высоких давлений при высоких температурах, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии активации проводимости алмаза n - типа, в качестве легирующей добавки используют политетрафторэтилен, фторид никеля, селен и/или селенид железа.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют политетрафторэтилен или фторид никеля в количестве 0,5 - 15% от веса углеродсодержащего материала в пересчете на фтор, селен или селенид железа в количестве 0,5 - 25% от веса углеродсодержащего материала в пересчете на селен.

Номер патента: 1575495

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Войтенко, Гольдштейн, Карелина, Спивак

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, кристалла

СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛА АЛМАЗА, включающий нанесение на посадочную площадку оправки клеящего состава на основе эпоксидной смолы, размещение предварительно размеченного кристалла алмаза в ориентированном положении в оправке с прижимом кристалла к поверхности оправки, температурную выдержку, охлаждение и установку алмаза с оправкой на станке, подрезание и распиливание, отличающийся тем, что, с целью повышения качества распиливания алмазов и увеличения коэффициента использования дорогостоящего сырья, на посадочную площадку базирующей оправки наносят эпоксититанорганический клей, температурную выдержку осуществляют в течение 2 - 3 ч при температуре 200 - 250oС, а после снятия прижима устанавливают оправку с кристаллом алмаза на...

Номер патента: 1251486

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Аксененков, Бланк, Голубев, Коняев, Эстрин

МПК: C01B 21/064, C01B 31/06

Метки: алмаза, бора, кубического, нитрида, поликристаллов, синтеза

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СИНТЕЗА ПОЛИКРИСТАЛЛОВ КУБИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА ИЛИ АЛМАЗА, включающий воздействие высокого давления и сдвиговой деформации на спрессованный исходный материал с последующим снижением давления до атмосферного, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности поликристаллов за счет увеличения степени аморфизации материала, на спрессованный исходный материал с температурой 77 300 К воздействуют давлением 0,4 2,0 ГПа и сдвиговой деформацией при углах сдвига 30 - 360o.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве исходного материала используют кристаллические модификации нитрида бора или графита.

Номер патента: 999439

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гетман, Кацай, Шульженко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, монокристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамической устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя сплава углерода с марганцем, никелем и/или кобальтом, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости монокристаллов алмаза, используют сплав с 0,04 0,4 мас. углерода.

Номер патента: 1016941

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Кацай, Шульженко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, монокристаллов, синтеза

СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА, включающий послойное размещение в контейнере камеры высокого давления металла или сплава-растворителя, меди и графита и последующее воздействие давления при температуре в области термодинамической стабильности алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и уменьшения количества включений в кристаллах, слой меди размещают между слоями растворителя при содержании ее 2-25% от массы растворителя.

Номер патента: 1570223

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Белоусов, Будяк, Ивахненко, Чипенко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, затравке, монокристаллов, синтеза

1. СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА НА ЗАТРАВКЕ, включающий размещение послойно источника углерода, металлического катализатора-растворителя и кристаллов алмаза-затравок, воздействие на данную послойную реакционную систему высокого давления и температуру с положительным градиентом ее в сторону источника углерода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества макропримесей на границе кристаллов алмаза-затравок и выращиваемого алмаза, в зоне кристаллов алмаза-затравок дополнительно размещают кристаллы алмаза-поглотители примесей при температуре на 5 - 15oС ниже температуры кристаллов-затравок.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что разность температур обеспечивают путем расположения кристаллов алмаза-затравок...

Номер патента: 1655080

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Белоусов, Витюк, Заневский, Ивахненко, Чипенко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, монокристаллов, синтеза

1. СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА путем воздействия высокого давления и температуры на источник углерода на основе алмазных зерен, растворитель углерода и затравочные кристаллы алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза, в качестве источника углерода используют алмазные зерна размером не менее 100 мкм, предварительно пропитанные металлом или сплавом, растворяющимся в растворителе углерода в условиях синтеза.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что металл берут из группы, включающей медь, олово, цинк, никель, а сплав из группы, включающей железо-никель, железо-алюминий, медь-олово.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что в качестве растворителя углерода...

Номер патента: 1729086

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Воронин, Осипов, Шульженко

МПК: C01B 31/06, C01B 31/36

Метки: алмаза, карбида, композиционного, кремния

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА ИЗ АЛМАЗА И КАРБИДА КРЕМНИЯ, включающий формирование трехслойной системы из слоя алмазного порошка, пластины из кремния и промежуточного между ними слоя, нагрев этой системы под воздействием давления не менее 25 кБар до температуры, достаточной для плавления кремния, и выдерживание при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости алмазосодержащего слоя композиционного материала, в качестве промежуточного слоя используют порошок или пластину со сквозной пористостью из карбида элемента из группы, включающей бор, кремний, переходные металлы IV VI групп Периодической системы или из смеси карбидов или из твердого сплава карбида вольфрама и кобальта, а нагрев...

Номер патента: 1788700

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Белоусов, Будяк, Ивахненко, Чипенко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, затравке, монокристаллов, синтеза

...способа синтеза с помощью варьирования охлаждения АВД желательно проводить при наличии дополнительного источника тепла 5 или 6.Например, пусть система нагрева состоит из трубчатого нагревателя 4 и дополнительного источника тепла 5.В начальный момент синтеза мощность дополнительного источника тепла 5 равна нулю, а по полым пальцам 13 и 14 протекает вода обычной температуры 20 С.В процессе роста алмаза, когда перепад температуры между источником углерода 1 и поверхностью растущего монокристалла 15 уменьшается, увеличивают мощность нагрева дополнительного источника тепла 5, что ведет к увеличению температуры у источника углерода 1, и одновременно увеличивают интенсивность теплоотвода от реакционной ячейки со стороны растущего...

Номер патента: 1043946

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Бочаров, Заводченков, Федоров, Фирсов

МПК: B24B 9/16

Метки: алмаза, граней

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ГРАНЕЙ АЛМАЗА, содержащее автономное ограночное приспособление с головкой, имеющей делительный механизм с узлом крепления алмаза, расположенные на общем основании механизм задания нагрузки на ограночное приспособление, связанный с приводом механизма поворота головки ограночного приспособления и поворотную в вертикальной плоскости платформу, а также блок автоматического управления, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности обработки, механизм поворота выполнен в виде установленного на платформе и связанного с приводом шкива, снабженного кронштейном, находящимся в контакте с головкой ограночного приспособления, а делительный механизм выполнен в виде неподвижно закрепленного на платформе соосно шкиву...

Номер патента: 1018315

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Нагорная, Одесюк, Петров

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, деформированного, кристалла, огранки

1. Способ огранки деформированного кристалла алмаза преимущественно при изготовлении бриллиантов, включающий установку кристалла алмаза в держатель, поворот кристалла алмаза по часовой стрелке вокруг оси держателя на угол 22o30', пробное шлифование в различных направлениях относительно кристаллографических осей алмаза, выбор направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема и последующее шлифование и полирование граней, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, пробное шлифование осуществляют последовательно в трех положениях держателя с кристаллом алмаза относительно направления шлифования, первое из которых составляет положительный угол от 29o45' до 30°, второе - перпендикулярно, а третье...

Номер патента: 1137788

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Банеева, Гордеев, Николаенко, Самсонов, Шаталин

МПК: C30B 29/04, C30B 31/20

Метки: алмаза, электропроводного

Способ получения электропроводного алмаза, включающий облучение его нейтронами и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения заданного электросопротивления в диапазоне 1011 - 10-1Ом см независимо от природы исходного алмаза, облучение ведут флюенсом нейтронов 3 1019 - 1,5 1021 нейтрон/см2 с энергией более 0,5 МэВ при температуре 70 - 500oC, а отжиг при давлении 10-1 - 1010 Па и температуре 300...

Номер патента: 1029555

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Балашова, Кузин, Семерчан

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, поликристаллического

1. Способ получения поликристаллического алмаза, включающий воздействие сверхвысокого давления при высокой температуре на полую заготовку из углеродсодержащего материала с размещенным в ней металлом-катализатором, отличающийся тем, что, с целью повышения абразивной стойкости и размеров поликристаллов, в полость заготовки дополнительно вводят 4 - 90% от объема углеродсодержащего материала тугоплавкого материала, выбранного из группы: титан, гафний, ванадий, цирконий, ниобий, молибден, тантал, вольфрам, рений, хром, их сплавы или соединения с углеродом, азотом или кремнием, графитоподобный нитрид бора, оксид алюминия.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что из металла-катализатора...

Номер патента: 1307744

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Варфоломеева, Огнева, Слесарев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза

1. Способ получения алмаза, включающий приготовление смеси из углеродсодержащего материала, катализатора и органического соединения, формование из смеси заготовки, термический отжиг с последующим воздействием на заготовку высоких давления и температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода алмаза за счет гомогенности смеси и упрощения процесса, в качестве органического соединения в смесь вводят спиртовой раствор щеллака и отжиг заготовки проводят при 200-400oC в течение 30-60 мин.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что спиртовой раствор щеллака берут при весовом отношении спирта к щеллаку от 1:1 до 1:3.

Номер патента: 1340029

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Куликова, Слесарев, Шалимов, Яковлев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза

1. Способ получения алмаза, включающий нагревание углеродсодержащего материала до температуры синтеза при воздействии высокого давления, выдержку при этой температуре и давлении и последующее снижение температуры и давления, отличающийся тем, что, целью увеличения выхода микропорошков алмаза фракции -10 мкм с повышенной термостойкостью к окислению на воздухе и снижения времени синтеза, в качестве углеродсодержащего материала используют особо чистые углеводы и нагрев материала проводят со скоростью 80-120 град/с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве углеводов используют сахарозу, крахмал или их смесь.

Номер патента: 1406971

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Куликова, Слесарев, Шалимов, Яковлев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза

1. Способ получения алмаза, включающий нагрев древесины под давлением до температуры в области стабильности алмаза и выдерживание при этой температуре полученного углеродного продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости алмаза, по достижении температуры нагрева 500-600oC образовавшийся углеродный продукт выдерживают при этой температуре 20-30 с, после чего продолжают нагревание и выдержку углеродного продукта при температуре в области стабильности алмаза осуществляют в течение 5-30 с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс проводят под давлением 70-80 кбар и нагревание ведут до 1400-1700oC.

Номер патента: 1413874

Опубликовано: 27.09.1999

Автор: Леонидова

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, основе, поликристаллического

Способ получения поликристаллического материала на основе алмаза путем воздействия давления и температуры на шихту, включающую углеродный материал и металлы-катализаторы алюминий и ниобий, помещенную в оболочку из графита, отличающийся тем, что, с целью обеспечения сверхпроводящих свойств, углеродный материал берут в стехиометрическом отношении атомов углерода к атомам алюминия, а ниобий - в количестве Х атомов на 1 моль образующегося соединения Al4С3, где 1 < X 103, а процесс ведут под давлением Р = 7 - 8 ГПа при 1000-1200oC в течение 30-60 с.

Номер патента: 696663

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Довбня, Коняев

МПК: B01J 3/06

Метки: алмаза, инструмент, рабочий, синтеза

Рабочий инструмент для синтеза алмаза, боразона и других сверхтвердых материалов, состоящий из пары твердосплавных матриц, выполненных в виде цилиндров с коническими торцовыми выступами, заканчивающимися сферически впадинами в вершинах, в которые помещена рабочая камера типа "чечевица", и поддерживающих их боковые поверхности многослойных контейнеров из стальных колец, отличающийся тем, что, с целью обеспечения надежного запирания материала, сжимаемого в камере противодавления, в торцах внутренних колец поддерживающего контейнера выполнены концентрически расположенные и при сжатии рабочей камеры входящие друг в друга с определенным зазором кольцевые бурт и проточка, между которыми встроено...

Номер патента: 1381882

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Борздов, Бочаров, Букин, Ковальский, Пальянов, Соболев, Судовский, Чепурнов, Шамаев

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, материалами, металлическими, соединения

1. Способ соединения алмаза с металлическими материалами, включающий предварительную обработку контактируемых поверхностей, их соединение, термическую обработку, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности соединения, на контактируемые поверхности предварительно наносят слоем 0,05-0,5 мм порошок металла с дисперсностью частиц 5-100 мкм, смешанный с клеем в соотношении от 1:1 до 10:1 по объему, а термическую обработку проводят при температуре на 100-150oC ниже температуры плавления металла в течение 15-30 мин, затем температуру повышают на 50-100oC выше температуры плавления с выдержкой 3-5 мин, после чего производят закалку.2. Способ по п.1, отличающийся...

Номер патента: 1571916

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Борздов, Григораш, Казанцева, Козлова, Пальянов, Хохряков

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза

Способ обработки алмаза, включающий взаимное встречное перемещение кристалла алмаза и инструмента в виде шаблона, контактирование их при 600-1880oC в атмосфере газа-реагента, при этом инструмент выполнен из материала, растворяющего углерод алмаза при температуре контактирования, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, используют пористый шаблон, пористость которого составляет 3 - 10 об.%.

Номер патента: 1828627

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Борздов, Григораш, Пальянов, Петрушин, Хохряков, Чепуров

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза

Способ обработки алмаза путем контактирования с инструментом, выполненным из материала, реагирующего с углеродом алмаза при температуре выше 600oC в атмосфере газа-реагента, и при перемещении алмаза и инструмента относительно друг друга, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости и качества обработки, алмаз предварительно ориентируют и обработку проводят в плоскости и направлении, совпадающем с плоскостью и направлением ориентации, при этом при касательном перемещении инструмента относительно алмаза обработку осуществляют в направлении [110] и в плоскости [110], а при встречном перемещении алмаза и инструмента - в направлении [100] и плоскости [100] алмаза.

Номер патента: 1522654

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Борздов, Букин, Козлова, Пальянов, Ран, Хохряков, Шарапов

МПК: C01B 31/06, C30B 33/00

Метки: алмаза

Способ обработки алмаза, включающий контактирование его при 600-1800oC с шаблоном, выполненным из материала, растворяющего углерод при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения четкости рисунка на алмазе, наносимого с помощью шаблона, упрощения процесса и расширения области применения, процесс ведут в закрытом объеме в присутствии графита, который берут в количестве 0,26-500 г/дм3.

Номер патента: 1586025

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Борздов, Козлова, Пальянов, Хохряков

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, материалами, металлическими, соединения

1. Способ соединения алмаза с металлическими материалами, включающий стадию металлизации путем нанесения порошка металла группы железа на поверхность алмаза и термообработки в защитной атмосфере и стадию пайки, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности соединения снижения температуры обработки и упрощения процесса, после нанесения порошка металла соединение проводят в одну стадию путем размещения в контакте с соединенными поверхностями припоя на основе меди, серебра или их сплавов в виде порошка или проката, нагрева до температур на 50-300oC ниже температуры плавления припоя и выдержки 10-30 мин, повышения температуры на 17-50oC выше температуры плавления...

Номер патента: 322948

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Верещагин, Калашников, Сухушина, Фекличев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, поликристаллического

1. Способ получения поликристаллического алмаза типа природного "баллас" путем высокотемпературного нагрева под давлением углеродного, например графитового материала, совместно с катализатором, отличающийся тем, что, с целью повышения качества алмаза и получения алмаза с заданными свойствами, катализатор берут с рабочей частью выпуклой формы, например конусной или полусферы, и нагрев материала производят в течение более 4 с преимущественно 30 с при температуре, близкой к температуре плавления катализатора, с соблюдением градиента температуры от середины камеры к ее периферии.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве катализатора применяют металлы или их сплавы, например...

Номер патента: 1104791

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Игнатьев, Карпов, Ларкина, Лобанов, Малютина, Нестеров, Орлова, Смирнов, Черечукин

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза

1. Способ очистки алмаза, включающий обработку алмаза при нагреве смесью азотной и соляной кислот при повышенном давлении в реакционной емкости из фторопласта, отличающийся тем, что, с целью полной очистки природных алмазов от примесей и сокращения длительности процесса, в смесь дополнительно вводят фтористоводородную кислоту при объемном соотношении концентрированных азотной, соляной и фтористоводородной кислот 3 : 1 : 1 - 2 соответственно.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что алмаз обрабатывают при 220 - 250oC в течение 1,5 - 3 ч.