Патенты опубликованные 20.05.2000

Номер патента: 683482

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Дохитян, Каринский, Котов

МПК: G02F 1/33

Метки: модулятор, памятью, пространственный, света

Пространственный модулятор света с памятью, состоящий из пластины полупроводника на прозрачной проводящей подложке, слоя диэлектрика на поверхности полупроводника, отличающийся тем, что, с целью модуляции с последовательным вводом информации и электрическим управлением, увеличения быстродействия, снижения рабочего напряжения, пластина полупроводника выполнена из прямозонного полупроводника, а на диэлектрик нанесена система электродов с зарядовой связью.

Номер патента: 515391

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Макаров, Побединская, Хейнман, Шапиро

МПК: G03C 1/64

Метки: галогенсеребряных, фотографических, эмульсий

1. Способ получения галогенсеребряных фотографических эмульсий путем эмульсификации, первого созревания в присутствии солей, катионы которых обладают восстановительными свойствами и второго созревания, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительности эмульсии без одновременного увеличения плотности ее вуали, в эмульсию перед вторым созреванием вводят вещества, связывающие катионы, обладающие восстановительными свойствами, а также их окисленные формы, например соли фосфорной кислоты, фториды щелочных металлов, лактаты, салицилаты, тартраты щелочных металлов, соли этилендиаминтетрауксусной кислоты.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве солей, катионы которых...

Номер патента: 1382330

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Крымский, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее полупроводниковую подложку с входной диффузионной областью противоположного подложке типа проводимости, слой диэлектрика и расположенные поверх него восемь затворов, причем первый, второй, третий, четвертый и пятый затворы расположены последовательно и каждый из них зарядно связан с рядом расположенными затворами, стоковую и истоковую диффузионные области противоположного подложке типа проводимости, причем шестой затвор зарядно связан с вторым затвором и стоковой диффузионной областью, седьмой затвор зарядно связан с четвертым затвором, а восьмой затвор перекрывает истоковую и стоковую диффузионные области, отличающееся...

Номер патента: 1811146

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Елесин

МПК: C01F 17/00, C01G 56/00

Метки: актиноидов, лактаноидов, микросферических, оксидов

Способ получения микросферических оксидов лантаноидов или актиноидов, включающий упаривание исходного водного раствора их соли в присутствии винил-пиридинового амфолита, удаление нитрат-иона, термическое разложение полученного соединения амфолита с солью лантаноидов или актиноидов и последующий окислительный обжиг образовавшегося твердого остатка в атмосфере воздуха, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса за счет исключения применения аргона и обеспечения его взрывобезопасности, из исходного раствора до упаривания удаляют нитрат-ионы и переводят его в ацетатный раствор.

Номер патента: 625533

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Романов, Сафронов

МПК: H01L 39/24

Метки: сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего материала в полупроводнике путем его охлаждения до критической температуры с использованием фазового перехода полупроводник-металл, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и получения сверхпроводящих участков заданной конфигурации, охлажденный до или ниже критической температуры полупроводник облучают импульсами лазера с плотностью энергии ниже порога разрушения получаемого материала.

Номер патента: 743500

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью

Устройство ввода на приборах с зарядовой связью, содержащее МДП транзисторы, шины управления и ячейку ввода, затворы которой изолированы от полупроводниковой подложки диэлектриком, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, устройство содержит дополнительную ячейку ввода, причем входной затвор дополнительной ячейки ввода электрически изолирован от шин управления, расположен по крайней мере на 1/10 под входным затвором ячейки и изолирован от него дополнительным диэлектриком.

Номер патента: 1204083

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Аешин, Герасименко, Смирнов, Стась

МПК: H01L 21/265

Метки: варикапов

Способ изготовления варикапов, включающий облучение протонами и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения чувствительности варикапов к малым напряжениям, облучение проводят протонами с энергией, для которой параметры Rp и Rp удовлетворяют условиюLpn< Rp-4 Rp< Lpn+LD,где Lpn - требуемая глубина залегания металлургической границы p - n-перехода или толщина слоя металла для варикапов на основе...

Номер патента: 275737

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Вишин, Кошкин, Сомов, Цветков

МПК: G03C 1/74, G03F 7/16

Метки: винтовой, лентопротяжный, тракт, эмульсионно-поливной

Винтовой лентопротяжный тракт эмульсионно-поливной машины, содержащей корпус, поворотный барабан, направляющие элементы и привод, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и исключения обрывов вследствие усадки пленки, на вращающемся барабане равномерно расположены вдоль его образующей направляющие для кареток с роликами, которые связаны между собой бесконечными цепями, при этом каретки снабжены опорными подпружиненными подушками, несущими пленку, а бесконечные цепи посредством звездочек и шестерен кинематически связаны с приводом барабана.

Номер патента: 893033

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бахмутов, Бременер, Крылов, Мартынова, Сундукова, Уварова, Шпольский

МПК: G03C 5/30

Метки: активатор, галогенсеребряных, проявления, фотографических

Применение фоторсодержащего соединения общей формулы H/CF2/nCOOMe, где n = 2 - 6, Me = K, Na, NH4, в качестве активатора проявления галогенсеребряных фотографических материалов.

Номер патента: 1384130

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Крымский, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, третий изолирующий затвор имеет зарядовую связь с вторым входным затвором.

Номер патента: 862750

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности работы в режиме с непрямой инжекцией, оно дополнительно содержит два затвора, причем эти затворы зарядно связаны между собой и расположены между входной диффузионной областью и первым входным затвором.

Номер патента: 1091781

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее полупроводниковую подложку с входной и стоковой диффузионными областями с противоположными подложке типом проводимости, слой диэлектрика и расположенные поверх него зарядно связанные первый входной затвор, затвор накоплений, затвор переноса, изолирующий затвор и затворы 1, 2, 3 регистра считывания, причем входная диффузионная область зарядно связана с входным затвором, а стоковая диффузионная...

Номер патента: 1263103

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Борисов, Кукин, Мурашов, Теплов

МПК: G08B 1/08, G08B 17/00

Метки: охранно-пожарной, сигнализации

Устройство для охранно-пожарной сигнализации, содержащее извещатели, подключенные к сигнальным входам первого коммутатора, блок сравнения, выход которого подключен к информационному входу блока памяти, генератор адресов, выход которого подключен к адресным входам блока памяти, первого коммутатора и блока индикации, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности в работе, в него введены амплитудный селектор, два элемента ИЛИ, генератор тактовых импульсов, счетчик, формирователь кода, элемент сброса, второй коммутатор, блок выключателей датчиков, выходы которого подключены к сигнальным входам второго коммутатора, выход которого соединен с первым входом первого элемента...

Номер патента: 687972

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Богомолов, Васильева, Груз, Климзо, Кононенко, Левкоев, Натансон, Овечкина, Романовская, Свешников, Сергеева, Соболев, Стоковская, Сухман

МПК: G03C 1/14

Метки: галогенсеребряных, особомелкозернистых, сенсибилизации, спектральной, фотографических, эмульсий

Способ спектральной сенсибилизации особомелкозернистых галогенсеребряных фотографических эмульсий путем введения в эмульсию мероцианиноцианинового красителя производного роданина, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности эмульсии к импульсному излучению с длительностью импульса 10-6 - 10-8 с в диапазоне длин волн 620 - 720 нм и повышения дифракционной эффективности, в качестве мероцианиноцианинового красителя в эмульсию вводят в один из красителей формулы I или IIгде n1 и n2 = 2 -...

Номер патента: 999774

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Зильберфайн, Михайловский, Черепов, Эпов

МПК: G01R 17/10

Метки: измерительный, мост, полной, проводимости

Измерительный мост полной проводимости, содержащий усилитель в измерительной диагонали моста, детектор, соединенный с индикатором, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерения импеданса МДП-структур, в него введены узкополосный фильтр (например, кварцевый), фазовый детектор, индикатор активной составляющей проводимости, блок стабилизации напряжения питания моста, причем выход усилителя соединен с узкополосным фильтром и вторым входом фазового детектора, выход узкополосного фильтра подсоединен к амплитудному и фазовому детекторам, а также к питающей диагонали моста через блок стабилизации напряжения питания моста, выходы амплитудного и...

Номер патента: 999816

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Игнатов, Медяник, Сухих, Толикин, Филин

МПК: G08B 13/19

Метки: охранной, сигнализации

Устройство для охранной сигнализации, содержащее генератор, выход которого подключен к входу инфракрасного излучателя, оптически связанного с фотоприемником, выход которого подключен к входу предусилителя, выход которого подключен к первому входу блока регулирования усиления, выход которого подключен к входу усилителя, выход которого через пиковый детектор подключен к второму входу блока регулирования усиления, и блок сигнализации, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и упрощения устройства, в него введены расширитель импульсов, детектор скважности, элемент ИЛИ, выход усилителя подключен к входу расширителя импульсов, выход которого подключен к входу детектора скважности,...

Номер патента: 1093115

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Анюхин, Борисов, Иванов, Кудрявцев, Литвинов

МПК: G08B 13/24

Метки: охранной, сигнализации

Устройство для охранной сигнализации, содержащее последовательно соединенные приемопередатчик, усилитель, детектор уровня, интегратор, формирователь сигнала тревоги и исполнительный блок, первый выход которого является выходом устройства, блок задержки, выход которого соединен с входом ключевого блока, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы устройства, в него введены блок разделения фронтов сигнала и блок сброса, выход которого соединен с входом формирователя сигнала тревоги, выход которого соединен с входом блока сброса, второй выход исполнительного блока соединен с входом блока разделения фронтов сигнала, первый выход которого соединен с входом блока задержки, второй...

Номер патента: 1618224

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: газа, двумерного, концентрации, электронного

Способ определения концентрации двумерного электронного газа в квантовых ямах, включающий создание поверхностно-барьерного контакта и планарного прижимного контакта к остальной открытой поверхности полупроводниковой структуры, являющегося вторым электродом для приложения напряжения постоянного смещения и высокочастотного напряжения тестирующего сигнала, измерение вольт-фарадной характеристики структуры, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, повышения экспрессности измерений, увеличения достоверности и наглядности метода, по вольт-фарадной характеристике определяют значение напряжения отсечки Vотс, при котором емкость структуры равна нулю, и значение емкости...

Номер патента: 519043

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Теплова

МПК: C22C 9/00, H01L 21/00

Метки: n-типа, арсениду, галлия, контактный, материал, омический

Омический контактный материал к арсениду галлия n-типа на основе меди, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры вжигания контакта, материал, кроме меди, содержит олово и галлий, причем меди 70 - 75 вес.%, олова 14 - 17 вес.% и галлия 11 - 13 вес.%.

Номер патента: 689155

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Блехман, Васильева, Дорохова, Колодкин, Слабковская, Чистова, Шпольский

МПК: C07D 211/86

Метки: 4-дигидропиридины, 5-дикарбэтокси-4-гетарил-1, 6-диметил-3, галогенсеребряных, качестве, области, сенсибилизаторов, спектра, эмульсий

2,6-Диметил-3,5-дикарбэтокси-4-гетарил-1,4-дигидропиридины, общей формулыгде Het : бензтиазолил-2; бензимидазолил-2; 1-метилбензимидазолил-2; 1-этилбензимидазолил-2,в качестве сенсибилизаторов галогенсеребряных эмульсий к УФ-области спектра.

Номер патента: 463398

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Герасименко, Кузнецов, Лежейко, Любопытова, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: sic-si, гетероперехода

Способ изготовления гетероперехода SiC-Si путем внедрения ионов углерода энергией несколько десятков килоэлектронвольт в кристалл кремния и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности поверхностный состояний на границе раздела, внедрение ионов производят при дозе облучения более 7 1017 см-2.

Номер патента: 1814442

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Галицын, Ковчавцев, Мансуров, Пошевнев

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, поверхности

Способ обработки поверхности арсенида индия, включающий обезжиривание, травление в растворе, промывку, сушку и термообработку в условиях сверхвысокого вакуума, отличающийся тем, что, с целью повышения степени совершенства структуры поверхности за счет снижения температуры термообработки, травление осуществляют в насыщенном растворе паров соляной кислоты в изопропиловом спирте в течение 5 - 10 мин, а термообработку проводят при равномерном подъеме температуры до 200 - 230oC за время 1,5 - 2 ч и последующей выдержке при этой температуре в течение 20 - 30 мин.

Номер патента: 812032

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Гимпельсон, Демишев, Котерло, Малеев, Микаэлян, Успенская

МПК: G03C 1/40

Метки: галогенсеребряной, подготовки, поливу, фотографической, эмульсии

Способ подготовки к поливу фотографической галогенсеребряной эмульсии для изготовления цветных кинофотоматериалов путем введения в эмульсию цветной недиффундирующей компоненты, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности величины вязкости эмульсии при хранении перед поливом при сохранении фотографических свойств, в эмульсию после цветной недиффундирующей компоненты дополнительно вводят сополимер акриловой кислоты и тетрааллилпентаэритрит формулыв количестве 0,5 - 0,7% от массы загущаемой среды.

Номер патента: 812035

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Анищук, Власова, Дмитриев, Кадянова, Лаптева, Мизуч

МПК: G03C 1/85

Метки: материал, фотографический

Фотографический материал, состоящий из подложки, желатинового галогенсеребряного светочувствительного эмульсионного слоя, вспомогательного слоя или слоев, содержащих антистатик, отличающийся тем, что, с целью улучшения антистатических свойств фотографического материала, в качестве антистатика материала содержит соединение общей формулы IIгде R1 - оксиалкил C2-C4, R2 - алкил C1-C4, R3 - насыщенный или ненасыщенный ациклический углеводородный остаток C11-C17,в количестве от 20 до 200 г на кг желатины.

Номер патента: 404416

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Абриталин, Парфенова, Подлесных, Сидельникова, Уварова

МПК: G03C 1/06

Метки: инфрахроматический, кинофотоматериал

1. Инфрахроматический кинофотоматериал, содержащий подложку, желатиновый галогенсеребряный инфрахроматический эмульсионный слой и защитный слой, включающий желатину и водорастворимую соль серебра, отличающийся тем, что, с целью улучшения в материале соотношения чувствительность - разрешающая способность, в состав защитного и эмульсионного слоев введено анионное поверхностно-активное вещество, содержащее сульфо- или сульфатогруппу или их смесь.2. Кинофотоматериал по п.1, отличающийся тем, что в эмульсионный слой введены стабилизаторы, дубители, активаторы и химические сенсибилизаторы.3. Кинофотоматериал по пп.1 и 2, отличающийся тем, что в защитный слой введены...

Номер патента: 1672802

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Суранов

МПК: G01J 1/44

Метки: многоканальный, фотометр

Многоканальный фотометр, содержащий фотодиодный датчик изображения, блок опроса, аналого-цифровой преобразователь, мультиплексор, оперативное запоминающее устройство, адресный счетчик, счетчик числа опросов, триггер готовности и вычислительное устройство, при этом вход запуска аналого-цифрового преобразователя подключен к тактовому выходу блока опроса, выход конца преобразования - к первому входу мультиплексора, а информационные выходы - к первым информационным входам оперативного запоминающего устройства, выход мультиплексора соединен с тактовым входом адресного счетчика, вход которого соединен с входом записи счетчика числа опросов, входом сброса триггера готовности, входом синхронизации...

Номер патента: 1147155

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Зильберфайн, Михайловский, Черепов, Эпов

МПК: G01R 17/10

Метки: измерительный, мост, полной, проводимости

Измерительный мост полной проводимости по авт.св. 999774, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем увеличения диапазона частот проводимых измерений, в него введены гетеродин, два смесителя и фильтр измерительных частот, причем первый смеситель включен между измерительной диагональю четырехплечевого моста и усилителем, узкополосный фильтр соединен со вторым смесителем, выход которого через фильтр измерительных частот подключен к блоку стабилизации напряжения питания моста, а гетеродин соединен со вторыми входами смесителей.

Номер патента: 405474

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Белый, Воскобойников, Гиновкер, Синица

МПК: H01L 27/11

Метки: памяти, полупроводниковый, элемент

Полупроводниковый элемент памяти, выполненный на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник, диэлектрик которой состоит из слоев двуокиси кремния и нитрида кремния, причем окись кремния обеспечивает туннельное прохождение электронов, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона времени хранения информации, между двумя диэлектрическими слоями расположен островковый слой проводящего материала, например кремния.

Номер патента: 1816161

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Гареева, Ловягин, Мигаль

МПК: H01L 21/324

Метки: 1-xte, cdxhg, p-n-переходов, монокристаллах

Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах CdxHg1-xTe с х = 0,200 - 0,225, включающий помещение исходного кристалла n-типа проводимости с концентрацией носителей 1014 - 1016 см-3 в замкнутый объем, нагрев до выбранной температуры и последующий отжиг при постоянстве температуры в течение времени необходимого для создания на поверхности слоя p-типа проводимости заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества изготавливаемых переходов за счет повышения времени жизни носителей заряда, исходный кристалл помещают в замкнутый объем, заполненный деионизованной водой, а отжиг проводят при 170 - 220oC в...

Номер патента: 1326094

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Альперович, Бобылев, Морозов, Чикичев

МПК: H01J 31/04

Метки: излучения, инфракрасного, поток, электронов

Преобразователь инфракрасного излучения в поток электронов, содержащий расположенный на прозрачной подложке легированный полупроводниковый слой р-типа проводимости с активированной цезией и кислородом свободной поверхностью, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона и увеличения помехозащищенности, между легированным полупроводниковым слоем р-типа проводимости и подложкой последовательно размещены полупроводниковый слой с глубокими уровнями и барьерный контактный слой, смещаемый в запорном направлении, а перед прозрачной подложкой расположен источник света, длина волны которого лежит в области электропоглощения полупроводникового слоя с глубокими уровнями.