Патенты опубликованные 07.02.1982

Номер патента: 903965

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Кувшинский, Находкин, Немцев, Шалдерван

МПК: G11B 9/00

Метки: записи, термопластической

...на пленке наблюдается образование рельефа.Иеханизм образования рельефа на пленке термопластического материала следующий. При воздействии электронного пучка в поверхностном слое, равном глубине проникновения электронов в пленку, накапливается отрицательный заряд, плотность которого прямо пропорциональна времени аоздействия пучка и плотности тока в нем. В мес.тах накопления заряда возникают конформула изобретенияюСпособ термопластической записи,основанный на том, что деформацияносителя происходит при внешнем подогреве электростатическими силами,15 о т л и ч Й ю щ и й с я темр чтос целью непосредственного получениятермопластицеской записи без проявления, используют энергию электронногопучка, направленного на носитель длялокального...

Номер патента: 903966

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Виксман, Довбий, Лысый, Тульчинский, Филимонов

МПК: G11C 5/12

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, обмоток, пленках, плетения, цилиндрических

...Затем направление вращения привода 48 меняется найротивоположное и рапира 42, выйдявилкообразным захватом 44 из зацепления со штифтом 41 челнока 32, возвращается в исходное положение, обеспечивая нитям 16 основы закрывание зе-.ва, а челнок 32 с проложенным череззев проводом 33 удерживается держателем 30 на неподвижном кронштейне 29. При закрывании зева перемещением ремизных планок 12 в противоположномобразованию зева направлении нити 165 9039 основы формуют проложенный между ни-. ми провод 33 (или провод 38), который затем выравнивается и подбивается при закрытом зеве гребенной 13 к пакету сплетенных числовых обмоток 34, При смене нитями 16 основы зева челнок 32 перемещается через зев и прокладывает в нем провод 33 рапирой 43 да захвата...

Номер патента: 903967

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Гапоненко, Зорин, Кашенков, Осадчук

МПК: G11C 5/12

Метки: матриц, прошивки, сердечниках, ферритовых

...универсальность установки. В отличие от известного каретка способна перемещаться на любой шаг прошиваемой матрицы, обеспечивает надежное попадание провода в Ферритовые кольца матрицы без его деФормирования, общая производительность установки повышается в 1,5-2 раза.На черетеже приведена кинематическая схема устройства,7 бным электромагнитом 20. Выключается первый неподвижный электромагнит 19 и каретка 11 освобождается (в исходном состоянии первый неподвижный электромагнит 19 включен). Включается третий электромагнит 2 1 и каретка 11 вместе со вторым подвижным электромагнитом 20 совершает поступательное перемещение на величину шага прошивки, определяемую полржением регулируемого упора 18. Включается первый неподвижный электромагнит 19,...

Номер патента: 903968

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Гаврилов, Добролюбов, Макеев, Пивоваров

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, информации, магнитные, неразрушающим, считыванием, элементы

...4, а через от верстие 3 опроса - числовая обмотка 5В момент записи по разрядной обмотке 4 подают разрядные импульсы тока, амплитуда которых меньше амплитуды тока трогания, и одновременно по 20 числовой обмотке 5 подают последова" тельность разнополярных импульсов адресного тока 3 а .Запись информации происходит только в момент одновременного воздейст вия разрядного тока и .подаваемых по числовой обмотке разнополярных импульсов тока. Поэтому подача в момент записи по разрядной. обмотке последова". тельности коротких однополярных им- З 0 пульсов тока, длительность каждого из которых перекрывает длительность// соот вет ст вующего и мпул ь с а тока (Фиг. 2), подаваемого по числовой обмотке, обеспечивает такой же уровень записи, что и при...

Номер патента: 903969

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Новиков, Чиркин

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...колонку пермаллоевых аппликаций, например, ввиде шевронов 1, электрозамыкающиепермаллоевые перемычки 2, пермаллое1 вые токовые анны 3, а также пермаллоевые управляющие элементы 4, магнитосвязанные с пермаллоевыми токо"выми шинами.Устройство работает следующим образом.При вращении внешнего магнитногополя управления домен приближаетсяк магниторезистивному детектору иперемагничивает его своим магнитнымполем рассеяния. В результате изменяется угол между направлением векторанамагниченности в материале детекто"ра и направлением протекающего по нвму электрического тока, который под-,водится по пермаллоевым токовым шинам 3, следствием чего является из-,менение электрического сопротивлениядетектора и появление сигнала считывания. Вблизи...

Номер патента: 903970

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Баранов, Герасимов, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: входной, запоминанием, информации, усилитель-формирователь

...5 питания, ключевой транзистор 6 -типа, шину 3 нулевого потенциала, ,первый 8 и второй 9 установочные транзисторы р"типа, шину 10 управле,ния, управляющий транзистор 11 и -ти"па и информационный транзистор 12 и-типа. На чертеже обозначены инверсный выход 13, информационный вход 14 и прямой выход 15 усилителя-формирователя, Яирина канала транзистора 4 выбрана большей, чем у транзистора 3 (сопротивление транзистора 4 меньше сопротивления транзистора 3). Размеры транзисторов 1, 2 и 8, 9 попарно одинаковые. Размеры транзисторов 11 и 12 выбираются так, чтобы суммарное сопротивление транзисторов 3,1 и 12 было меньше сопротивления транзистора 4.Усилитель-формирователь работает следующим образом.В исходном состоянии ( режим хранения ) потенциал...

Номер патента: 903971

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Концевой, Костюк, Марков, Моисеев, Переслегин, Румянцев, Сбытов, Тузлуков

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее, многоканальное

...регистрации, расположены подряд, номер первого и последнего слова, а в блоке 12управления устанавливается соответствующий режим работы.Вся оперативная память разбивается на эоны. Для каждого канала отво"дится зона величиной 2 И ячеек(где Н - число слов, поступающих по1-му каналу). В блок 18 записываетсяномер первой ячейки зоны, двух средних и последней, Например, пустьМ; = 60 и для данного канала отводятся ячейки с номера 101 по 220 блока 2 оперативной памяти. В этом случае в блок 18 записываются номераячеек 101, 160, 161 и 220. Ячейкис номера 101 по 160 будем называтьпервой половиной эоны, причем ячейка 101 - первая, а, 160 - последняяданной половины зоны. Ячейки с номера 161 по 220 будем называть второйполовиной зоны, причем...

Номер патента: 903972

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Болдырев, Верниковский, Калошкин, Левитман, Попов, Савотин, Сухопаров, Фомин

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, оперативное

...введе-.ны элемент 11 согласования на транзисторе и дополнительный эмиттерныйповторитель 12, генератор 13 тока, ырезистор 14 и делитель напряжения изрезисторов 15 и 16. Кроме того, вкаждую строку ячеек накопителя вве 903972ден дополнительный инжекционный эле"мент 17 памяти, полностью соответствующий половинке триггерной ячейкипамяти, Элемент 17 снабжен разряднойшиной 18, подключенной к генератору 13 тока и к эмиттеру транзистораэлемента 11, согласования. Коллектортранзистора элемента 11 согласованиячерез резистор 14 выведен на положительный полюс источника питания. Наэтот же полюс выведен коллектор до-.полнительного эмиттерного повторитегня 12. База дополнительного эмиттерного повторителя 12 подключена к коллектору транзистора элемента...

Номер патента: 903973

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Луговцов, Луговцова

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...специаль" ной кнопки, импульсы с выхода которого через элемент 18 задержки поступают на счетный вход счетчика 2 и устанавливают его в состояние, соответствующее числу поступающих на его вход импульсов. Состояние счетчика дешифрюруется дешифратором 19, с выхода которого импульс поступает, например, на третий вход десятого элемента И пятой группы 21, который открывается и .пропускает единичный импульс, например, десятого разряда кода на единичный вход соответствующего триггера первой группы 6, после установки которого в единичное состояние остальные триггеры этой группы продолжают находиться в нулевом состоянии. Элемент И первой группы 10, подключенный к нулевому выходу выбранного (деся 7 90397Нулевые выходы первого 4 и второго 5...

Номер патента: 903974

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Исаев, Огнев, Розанов, Сарычев, Шамаев

МПК: G11C 11/00

Метки: блоков, запоминающее, обнаружением, отказавших

...выходыподключены ко входам элемента И-НЕ21, выход которого соединен со вхо 90397 МПосле прохождения теста номера строк,где зафиксированы отказы, накапливаются в регистре 11, соот ветствующие этим отказам номера столбцов- в.регистре 12, номер отказавшего ад ресного формирователя 3 - в регистре 13Определение типа отказавшего блока по содержимому регистров проводит. ся согласно табл, 3. В ней указаны 1 о значения прямых выходов соответствующих регистров. В каждом строке табл, 3 задаются необходимые условия, которые должны выполняться одновременно, 5 Тип отказа фиксируется логической единицей на соответствующем из выходов 28 - 31, а номер отказавшего блока - на выходах 25 - 27 устройства.Для первых трех типов отказов (табл, 3) во всех...

Номер патента: 903975

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, копирования, магнитных, цилиндрических

...из которых соединен с соответствующей динамической ловушкой компрессора цилиндрических магнитных доменов, за исипочением старшей динамической ловушки компрессора п:илиндрических магнитных доменов, и магнитно связан с общей проводниковой шиной.На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого устройства.Устройство для копирования ЦМД содеркит магнитоодноосную пленку 1, содержащую ЦМД П, на поверхности которой расположены входной 1 И и выходные Ч каналы продвижения ЦМД, основной генератор ЦМД Ч и основной аннигилятор ЦМД Ч 1, компрессор ЦМДЧЦ из по 4тельных генераторов ЦМД 1 Х и основного генератора ЦМД Ч в соответствующие динамические ловушки компрессора ЦМД.Еопи при вводе "новых ЦМД в динамических ловушках компрессора...

Номер патента: 903976

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, доменосодержащей, каналов, магнитных, образования, пленке, продвижения, цилиндрических

...импульсного магнитного поля большей величины, чем напряжен ность поля насыщения, Затем амплитуда импульсного магнитного поля уменьшается до нуля так, чтобы вся заданная область магнитной пленки пе ремагничивалась в решетку с ЦИД, 55 полярность которых противоположна полярности ЦИД в первоначально сфор" мированной решетке. фТаким образом, формируется. магнитная структура в виде двух областей с противоположной намагниченными ЦИД, причем доменная граница раздела параллельна проводнику., а ее положение в магнитной пленке ( расстояние от проводника) однозначно определяется амплитудой импульсов, подаваемых в проводник.Подавая в проводник импульсы тока, полярность которых опять противоположна полярности первоначально подаваемых...

Номер патента: 903977

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Абрамов, Розенталь

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...перемычкуЬ -образной ферромагнитной аппликации 7.В основе работы устройства лежит40известный метод управления перемещенияБМД с помощью ферромагнитых аппликацнй и вращающегося в плоскости магнитоодноосной пленки управляющего магнитного поля. Управляющее поле наводитв аппликациях магнитные полюса А, Б,4В и Г, взаимодействие которых с БМДобеспечивает движение БМД.Переменная Х представлена наличиемили отсутствием БМД во входном канале 4 продвижения БМД, а переменная Уналичием или отсутствием тока 1 в токопроводяшей петле 9, БМЙ, поданныйна вход устройства в соответствии свращением вектора поляпоследовательно проходит по позициям Б, В. Ги А 1 -образной аппликации 8 и поступает в позицию Г верхней горизонталь.ной перемычки б -образной...

Номер патента: 903978

Опубликовано: 07.02.1982

Автор: Маркаров

МПК: G11C 11/14

Метки: доменное, запоминающее

...элемент 13, запускает следующую группу кристаллов.15 и 1 и т, д, Таким образом, со сдви гом на (1 тактов запускаются все группыь/кристаллов и начинается поиск требуемого адреса по первой группе кристаллов. При этом сигналы, поступающие на входы блоков 2 и 2 управления с выходов блока синхрониэапии, служат тактовыми сигналами для управления продвижением БМД в кристаллах. Следовательно, период продвижения БМД в кристаллах равен Т иТ,где Т - период поступления СС.После того, как находится требуемыйадрес, на блоки 2 и 2 управления подается сигнал "Запись" или "Считывание, В этот момент единица находится в первом разряде счетчика 12. В режиме записи синхронно с первым СС, пришедшим после этого, на вход устройства начинает подаваться с...

Номер патента: 903979

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Грязев, Курочкин, Лифшиц

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, пленочных, стержней, цилиндрических

...на прямом выходе триггера 31 устанавливается низкий потенциал, запрещающий прохождение через элемент И 30 очередного импульса с выхода элемента И 22.При наличии бракованного участка испытуемого, пленочного стержня сиг" нал на выходе формирователя 23 отсутствует, и триггер 31 остается всостоянии "0", Высокий потенциал синверсного выхода триггера 3 поступает на управляющий вход элементаИ 50 исполнительного блока. На информационный вход элемента И 50 сзадержкой во времени подается сфор"мированный в цикле считывания положительный перепад, запускающий одновибратор 52. Сформированный одновибратором 52 положительный импульсдлительностью, соответствующей времени срабатывания реле 48, открываеттранзисторный ключ 46, Реле 48 сраИ батывает,...

Номер патента: 903980

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Кильметов, Механцев, Сухоруков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...второго транзистора-типа, исток - с шиной 7 питания, а затвор - с шиной 6 питания. Напряжение отсечки третьего транзистора 5 р -типа выбрано таким, что оно превышает сумму напряжений отсечки лары транзисторов 1 и 2 и транзисторов 3 и 4. Запоминающий элемент работает следующим образом.Транзисторы 1 и 2, 3 и 4 образуютпопарно приборы с отрицательным сопро 5 тивлением - Л -диоды, включенные последовательно. Л -диоды выбраны такимобразом, что максимальный ток верхнегодиода больше максимального тока нижнего диода. В режиме хранения информации1 О на шине 6 поддерживается положительныйпотенциал (О хрьн ), величина которогобольше напряжения отсечки Л -диодов,но меньше напряжения отсечки третьеготранзистора 5 р -типа. Если в запоми 15 нающем...

Номер патента: 903981

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Зенцова, Сафонов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...11 питания, одни адресные входы 12 матричного накопителя 3, адресный дешифратор 13, другие адресные входы 14 матричного накопителя 3, адресный усилитель 15. Матричный накопитель 3 содержит запоминающие транзисторы 16 и разделительные транзисторы 17.Устройство работает следующим образом. В режиме считывания нагрузочные элементы 10 закрыты и находятся в непроводящем состоянии.Для того, чтобы опросить ячейку запоминающего устройства, открываются разделительные транзисторы 17, подключенные к одному из выводов адресного усилителя 15. Разделительные транзисторы 17 каждых соседних ячеек подключены к другому из выводов адресного усилителя 15 и закрыты, исключая про текание тока через эти ячейки.Одновременно с этим от другого адресного...

Номер патента: 903982

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Попова, Свердлов, Соскин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, постоянное

...устройство,содержащее запоминающие МОП-транзисторы с плавающими затворами, управляюшие затворы которых соединены с шинами М, истоки транзисторов соединеныс шиной Х, стоки транзисторов соединены с шинами Е, соединенными сис токами соответс твующих управляюнихтранзисторов, затворы которых соединены с управляющими шинами, а стоки - сшиной питания, и шину нулевого потенциала, введены дополнительные управляющие трназисторы, затворы которыхподключены к управляющим шинам, стоки - к соответствуюшим шинам, а истоки соединены с шиной нулевого потенНа чертеже представлена принципиальная схема постоянного запоминающего устройства,Устройство содержит запоминаюшие МОП-транзисторы 1 с плавающ;м и управляющим затворами, соединенными с шинами Э...

Номер патента: 903983

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Абрамян, Андрушкевич, Клдиашвили, Тодуа, Хачатуров, Шабурова

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, запоминающая, матрица

...в матрицу в . "шахматном" порядке, т.е. с чередованием 1 и "0" как по строкам, так и по столбцам, Данная комбинация позволяет максимально выявить возникшие неисправности.,Запись "шахматной" комбинации в матрицу происходит путем возбуждения нечетных шин 9 и подачи 4на шины 12 комбинации, соответствующей записи чередования "1" и 0 ( 10100), затем возбуждаются четные шины 9, а на шинах 12 комбинация меняется на обратную (010101) . Проверка правильности функционирования.ассоциативной запоминающей матрицы по шинам 11 осуществляется путем подачи четырех комбинаций на шины 12, чередованием "1" и маскирующей комбинации М или "0" и маски (1 М 1 М 1 М), (М 1 М 1 М 1),(ОМОММ)(МОМОО), При правильности функционирования матрицы в тех строках, где...

Номер патента: 903984

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Андреев, Иванов, Малченко, Приходько, Щетинин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное, репрограммируемое

...расположенных на адресных шинах 5, закодированы всевозможные комбинации с разрядностьюсоответствующей числу элементов вгруппе (числу дополнительных разрядных шин 9) .При подобном кодировании дополнительных ЭП и при инФормационном объеме накопителя й=щхпколичестводополнительных адресных шин б составит1 =од в,а количество М дополнительных разрядных шин 9 равноМ=од и,где и и щ соответственно информационная емкость и разрядность накопителя (число адресных и разрядныхшин) .При контроле целостности и незамкнутости разрядных шин 10 производится поочередный выбор дополнительных адресных шин 6 путем включения контрольных формирователей 3 отсоответствующих адресных инверторов1 (адресные шины 5, формирователи4 и дешифратор 2 отключены вне...

Номер патента: 903985

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Вагнер, Сидоров

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...на третийбпока 10 задания масштабного коэффици- вход фиксатора 4 уровня, который в инента,которое обеспечивает подкпючение , тервапе 1 -1 отспежив е иь отспеживает и с моментатаких весовых коэффициентов цифроанапо времени Ф запоминает значение звписыгового цреобразоватепя 11, чтобы на его ваемой. в данном цикпе величины (фиг. 4 ).выходе сформировался сигнап Хвы(о) оъ- Поскопьку характеристика записи-счиличаюшийся от считанного сигнапа Мы тывания запоминающего эпементв 8 суна вепичину, не превышающую значения шественно непинейна (фиг. 3), его сосигнапа мпадшего веса (разряда). Таким 15 стояние после первой записи не соотве 1образом, осушествпяется привязка очи- ствует требуемому (рабочая точка натаиной вепичиныМЫ к этапонному уров-...

Номер патента: 903986

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Гросс, Замятин, Нефедьева

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...доуровня потенциала Овых в соответствии свыражением овьх выхКос =" "вх Кос,(1)- выходной потенциал усилителя 10;- выходной потенциал повторителя 4;К ос - коэффициент передачи усилителя 10, определяемыйцепью обратной связи.В режиме хранения информации, который начинается с момента срабатыванияключа 5 по команде с шины 6 управления, помимо первой обкладки конденсатора 1, проводника 2, экрана 3 и обоихвыходов ключа 5, первый вход ключа 5,благодаря развязывающему элементу 7,также оказывается под потенциалом, равным Ояд, независимо от изменения входного сигнала Овх в этом режиме,Таким образом, вокруг проводника 2первой обкладки конденсатора 1 образуется замкнутый равнопотенциальный контур, практически снижающий до 0 токиутечки с этой...

Номер патента: 903987

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Гросс, Замятин, Нефедьева

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...7 - 9, усилитель4510, шину 11 управления и шину 12 нулевого потенциала.Устройство работает следующим образом,8 режиме запоминания информациивходной сигнал через элемент 7, влюч50 5, токоподвод 3 заряжает конденсатор 1до уровня запоминаемого потенциала, который передается на выход усилителя 10в соответствии с выражениемй5 ООЗМ 6,иС- емкости конденсаторов 1и 2;Р -. оператор дифференцирования,Постоянная времени Т Йт 6 опре- б1депяет скорость заряда конденсатора 1,Т - Й- скорость заряда конденсатора 2,По окончании переходного процессазапоминания информации выражение (1)пишется следующим образом:/ Цв Ове1 0 (м+ т (.где К - коэффициент усиления по инвертирующему входу усилителя 10. 1 чТаким образом, на выходе устройствапроисходит...

Номер патента: 903988

Опубликовано: 07.02.1982

Автор: Полозов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...схема предлагаемого аналогового запоминающего устройства.Устройство содержит и-р-и-транзисторы 1-1, р-и-р-транзисторы 5-7, резисторы 7-9, накопительный элемент, например конденсатор 10, шину 11 стробирующего импульса, шины 12 и 13 питания, шину 11 напряжения смещения и шину 15 нулевого потенциала. Транзисторы 5-7 и резистор 9 образуют стабилизатор тока на основе токового зеркала. Транзисторы 3 и ч. и резистор 8 образуют управляемый генератор тока, Транзистор 2 включен по схеме диода.Предлагаемое устройство функционирует следующим образом.В режиме выборки на шину 11 подается стробирующий импульс, в результате чего открывается транзистор 4 и его ток перераспределяется между транзисторами 1 и 2 в зависимости от уровней сигнала на входе...

Номер патента: 903989

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Гласко, Култыгин, Щепаева

МПК: G11C 29/00

Метки: адресных, действия, коррекции, памяти, последовательного, сигналов

...с адресом числа, которое в данный момент находится в зоне считывания. Этот адресхемой 8 сравнения сравнивается с адесом, хранимым в регистре 9 При совпадении адресов в счетчике 4 и регистре 9 схема 8 сравнения выдает сигнал в блок 12, который в свою оче- . редь Формирует сигнал разрешения считывания РС или разрешения записи РЗ в зависимости от установленного режима работы запоминающего устройства (считывание Сь или запись Зи), Кроме того, блок 12 вырабатывает сигнал С, поступающий в ЦВМ и свидетельствующий о том, что поиск заданного адреса закончен и .запоминающее устройство готово к обмену информацией.При.безошибочной работе устройст-. ва, описанной выше, схема 1 О сравнения и дешифратор 11 не оказывают на него влияния. Ошибки в...

Номер патента: 903990

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Горбенко, Николаев

МПК: G11C 29/00

Метки: автономным, запоминающее, контролем

...слова отказавшей ячейки и аргументную часть 8 для запоминания адреса отказавшей ячейки, второй ассоциативный накопитель 9, состоящий из аргументов части 10 для хранения адреса отказавшей ячейки и признаковой части 11 для запоминания номеров отказавших разрядов, блок 12 управления, дешифратор 13, блок 14 анализа неисправностей, формирователь 15 импульсов вида отказа, адресные входы 16, информационные входы 16, информационные входы 17 и информационные входы 18.Блок 14 анализа неисправностей выполняют, например, из двух регистров 19 и 20, блока 21 сравнения кодов и шифратора 22.Устройство работает следующим образом.5 003На адресные входы 16 поступает адрес ячейки, к которой необходимо обратиться, а на информационные входы 18-...

Номер патента: 903991

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Агаев, Байрамов, Гусейнов, Талыбов, Шаманов

МПК: H01B 3/46

Метки: герметизирующий, состав

...толщины покрытия на подложке 0,2-2 мм),Вулканизация композиции осуществляется в термощкафу при 150 С в течение 1-2 ч.5Окончательная термообработка производится при 180 е 200 С в течение 2 е 4 ч. Жизнеспособность композиции в герметических условиях хранения при комнатной температуре и ниже не 1 р менее 6 мес.Ниже приводятся примеры заявляемых эластичных композиций, мас.ч:1 2 3 ПДМС 100 100 100 Как видно из таблицы, предлагаемый герметик обладает высокой влагостойкостью и эластичностью в сочетании с повыаенной адгезионной про чностью к стеклопластику. Герметики на основе каучуков СКТН, СКТНф и др. Показатели редлагаемаяомпозиция Эластосил1102 Эластосил2103 ВиксинтУее 18,Уе 4 е 2 иУв 2 е 28 Т-ф Относительное удлинениегерметизирующего...

Номер патента: 903992

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Беспалов, Новиков, Сушенцов, Уткин

МПК: H01B 13/012

Метки: жгутов, проводов, шаблон

...крышке 4 выполнен канал 10,обращенный в осевом направлении к поршню 5.Торцовая крышка 4 пневмоцилиндра 3снабжена пружинным фиксатором 11.На пневматической схеме упраьпенияканалы 8 - 10 каждого из пневмоцилинд 30ров 12 - 15 соединены с общей воздушной магистралью 16 поперечными 17 и18 и продольными 19 и 20 воздушнымимагистралями.Каждая воздушная магистраль 1620 соединена через двухпозициониый золотник 21 - 25 с источником 26 давления и атмосферой,Устройство работает следующим образом.При создании давления в канале 10и соединении каналов 8 и 9 с атмосферой на поршень 5 действует осевое усилие и шпилька 2 занимает исходное положение. При создании давления в каналах8 и 9 и, соединении канала 10 с атмосферой шпилька 2 занимает...

Номер патента: 903993

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Полюдов, Санников

МПК: H01B 17/28

Метки: ввод, высоковольтный, конденсаторный

...выступы 4-7, выходящие иэ изоляционного тела 1. Выступы 4 и 5 предназначены для присоединения к 10 сборным шинам конденсатора, 6 й 7- для присоединения к нагрузке.В сечении -А-А в увеличенном масшта бе показано взаимное расположение металлических листов, разделенных 15 изоляцией изоляционного тела 1 и положение выступов 4 и 5.Для повышения электрической прочности в средней части ввод имеет буртик 8 из эпоксидного компаунда, который соединен с крышкой конденсатора 9.Применение в токоведущем элементе ввода тонких металлических листов, изготовленных, например из медной фольги, и свернутых по спирали, позволяет снизить эффект вытеснения импульсных токов и полностью использоватьь поперечное сечение проводника, уменьшить жесткость ввода...

Номер патента: 903994

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Лабзина, Матвеева, Минашкина, Панкратов, Смирнова

МПК: H01B 19/04

Метки: изоляторов

...свободна от металлического налета.П р и м е р 2. Керамические изоляторы от термопар, покрытые металлическим налетом, помещают в короб иэ жаростойкой стали, например 12 Х 18 Н 9 Т, и засыпают пиросульфатом калия из расчета на 1 г керамики 10 г соли или гидросульфатом калия иэ расчета на 1 г керамики 12 г соли. Затем короб загружают в муфельную электропечь, снабженную вытяж " ным устройством и нагретую до 800 С, выдерживают в течение 15 мин, после чего выгружают на воздух, устанавливают под вытяжку и охлаждают докомнатной температуры. Затем в коробзаливают тепловую воду (30-60 С), изоляторы извлекают из короба и промывают теплой водой со щетками. Поверхность изолятора после обработкиполностью свободна от металлическогоналета. П р и м...