Постоянное запоминающее устройство

О Й И С А Н И Е,903982ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советски кСоцнапнетнчвсинвРесиубпнн К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51)М. Кл.0 11 С 11/4011 С 17/00 с присоединением заявки М 3 Ьеудеретюкйе квинтет СИР в леван изебретеекй к еткрцткй(23)Приоритет Опубликовано 07.02,82, Бюллетень М 5 Дата опубликования описания 10.02.82(7) Заявит ОСТОЯН АПОМИНАЮШЕЕ У СТВО 1Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструированию микросхем памяти с электрической записью информапии на МОП-транзисторах.Известны устройства, выполненные в виде интегральных схем на МОП-тран- ф зисторах, где информация представлена зарядом на плавающем затворе, Эти устройства представляют собой матрицу координатных щин Х и Ч, в узлах которых включены -транзисторы выборки, сото единенные последовательно с запоминающими транзисторами. Запоминание информации основано на лавинно-инжекпионном . пробое стокового р - и перехода Ц и 2 .Недостатком укаэанных устройств является трудность записи информации в и -канальных устройствах иэ-за низкой эффективности инжекции дверок.20Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является постоянное запоминающее устройство с электрической записью информации 131 В этом устройстве запоминающие МОП-транэисторы имеют дополнительные управляющие затворы, соединенные с щинами 3 накопителя, а их стоки соединены с пинами Х, Истоки всех запоминаюших транзисторов объединены. При выборк координатной шины, в частности щины Х стоков, дешифратор открывает соответствующий управляющий транзистор, который подает напряжение на выбранную шину. При этом на шину Х должен поступать ток, величина которого определяется рядом факторов и на практике составляет обычно несколько миллиампер. Это требует, чтобы выходное сопротивление управляющего транзистора было небольшим. В то же время управляющий транзистор работает с очень сильной отрицательной обратной связью по истоку, так как его нагрузка (запоминающие транзисторы) включены в его исток. Это приводит к необходимости применять специальные меры для достижения небольшого выходного сопротивления управляющего транциала. зистора (большое напряжение на егозатворе, болыцая крутизна его характеристики). Для получения большого напряжения на затворе необходимо существенное усложнение схемы управления (введение импульгиого питания или удвоениенапряжения). Для увеличения крутизныприходится увеличивать размеры транзисторов (его ширину), из-за чего возрастают размеры схемы управления, усложняется ее компоновка, Все это затруд. няет увеличение степени интеграцииустройства,Пель изобретения - повышение надежности работы устройства за счетуменьшения рабочих напряжений.Укаэанная пель достигается тем, чтов постоянное запоминающее устройство,содержащее запоминающие МОП-транзисторы с плавающими затворами, управляюшие затворы которых соединены с шинами М, истоки транзисторов соединеныс шиной Х, стоки транзисторов соединены с шинами Е, соединенными сис токами соответс твующих управляюнихтранзисторов, затворы которых соединены с управляющими шинами, а стоки - сшиной питания, и шину нулевого потенциала, введены дополнительные управляющие трназисторы, затворы которыхподключены к управляющим шинам, стоки - к соответствуюшим шинам, а истоки соединены с шиной нулевого потенНа чертеже представлена принципиальная схема постоянного запоминающего устройства,Устройство содержит запоминаюшие МОП-транзисторы 1 с плавающ;м и управляющим затворами, соединенными с шинами Э 2, истоки транзисторов 1 соединены с шиной Х 3, а стоки - с соответствующими шинами Ь 4, соединенными с управляющими транзисторами 5 и дополнительными управляющими транзисторами 6, Затворы транзисторов 5 и 6 соединены с управляющими шинами 7, сток управляющего транзистора 5 соединен с шиной 8 питания, а исток дополнительного управляющего транзистора 6 - с шиной 9 нулевого потенциала. Устройство работаеу следующим образом.В режиме записи между шиной3 и шиной 9 нулевого потенциала подключают напряжение, На одну из шин 2 подают напряжение необходимой величины.,982 4Одновременно с этим открывается олин из транзисторов 6, что соединяет одну из шин 4 с обшей шиной 9. Выбранный транзистор открывается, и благодаря процессу инжекции происходит заряд плавающего затвора этого транзистора.В режиме считывания шина 3 истоков соединяется с шиной 9 нулевого потенциала. Выборка необходимого транэисто О ра осушествляется подачей на одну иэшин 2 напряжения считывания и вклк- чением одного из транзисторов 5, При этом выбранная шина 4 соединяется с источником питания по шине 8 питания, 15 а напряжение на ней определяется проводимостьк транзистора 1, т. е. записанной информацией. Использование предлагаемого устрой ства позволяет в режиме запиби уменьшать управляюшее напряжение, что ведет к повышению надежности устройства.За счет уменьшения управляющегонапряжения можно уменьшить геометри ческие размеры управляюших и запоминающих транзисторов, что ведет к повышению степени интеграции устройства. 30 Формула изобретения Постоянное запоминающее устройство,содержащее запоминающие МОП-транзисторы с плавающими затворами, управляющие затворы которых соединены с шинами 3, истоки транзисторов соединены с35шиной М, стоки транзисторов соединеныс соответствующими шинами Ь, соединенными с истоками соответствуюшихуправляющих транзисторов, затворы ко 40торых соединены с управляющими шинами,а стоки - с шиной питания, и шину нулевого потенциала, о т л и ч а ю ш е е -с я тем, что, с целью повышения надежности устройства, в него введены дополнительные управляющие транзисторы, затворы которых соединены с управляющимишинами, стоки - с соответствующимишинами Е, а истоки - с шиной нулевого потенциала,50 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1 ЕЕ Зовииае о бойдФайе с(сцНЗ,1971, 95 р. 301-306. 55 2, "Оес 1 миа,сэ ", 1975,3, р, 117. 3, Авторское свидетельство СССР444246, кл, Б 11 С 17/00, 1973903 982Составитель Г. БородинРедактор Н. Чубелко Техред М. Надь Корректор В, БутягЗак34/36 Тираж 623 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 илиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная,