Солод

Номер патента: 1388950

Опубликовано: 15.04.1988

Авторы: Лисица, Мерхалев, Сидоренко, Солод

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...передающих вентилей на МДП-транзисторах и является одновременно демультиплексором, т. е. сигнал может быть подан на его выход и снят с избранного информационного входа. Предлагаемый способ выбора информации из матрицы накопителяпозволяет сократить число передающих вентилей в каждой цепочке мультиплексора, в результате уменьшилась задержка информационного сигнала при передаче его от стока транзистора выбранного запоминающего элемента до первого входа дифференциального усилителя. Кроме того, ускорен процесс подключения истока транзистора выбранного запоминающего элемента к шине нулевого потенциала. Исток подключается к стоковой области третьего элемента разряда 37, что осуществляется одним передающим вентилем на МДП-транзисторе, на...

Номер патента: 1370752

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Кузьменко, Сидоренко, Солод

МПК: H03K 17/687, H03K 5/153

Метки: импульсных, мдп, постоянного, сигналов, транзисторах, уровней, формирования

...на вход 30 блока управления ключом логического "0". где инвертируется и поступает на вход 63 ключа логического "0". В зависимости от уровня входного сигнала шина выходного сигнала будет подключаться или к шине напряжения логической "1" (при высоком уровне входного сигнала), или к шине напряжения логического "0" (при низком уровне входного сигнала). Таким образом, на шине 17 будут формироваться сигналы высокого и низкого уровней, синфаэные с входным сигналом. С выхода 28 переключателя 3 фазы сигнал, синфазный входному поступает на вход 29 линии 2 задержки, где задерживается н поступает на вход 33 блока 1 усилителей задержанного сигнала, на выходах 34 и 37 которого формируются два противофаэных сигнала, задержанных относительно...

Номер патента: 1370668

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Высочина, Сидоренко, Солод, Хоменко

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, резервированное

...нулевой потенциал навыходе дополнительного накопителя 5(фиг, 2).Одновременно блоки выбора строкпроизводят выбор строки в основном ирезервном накопителях, а блок выбора70668 2 35 40 45 50 55 5 10 15 20 25 30 столбцов выбирает столбцы на обоихнакопителях,Если ячейка не была забракованаи сигнал о наличии брака не был записан, то на выход дополнительногонакопителя 5 (момент временинафиг. 2) поступит положительный потенциал, который подключит выход устройства к первому информационному входу,т.е, к выходу дополнительного накопителя 5.Если ячейка была забракована, тов дополнительный накопитель 5 будетзаписан сигнал брака и на выходе вмомент временибудет установленнулевой потенциал, который через формирователь 6 сигналов...

Номер патента: 1350443

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Пащенко, Рагутский, Ржевский, Солод, Тютюнник, Хорин

МПК: F16N 15/00

Метки: пар, поверхностях, сервовитного, скольжения, слоя, создания, трения

...и дозатора и доводятся до заданной концентрации непосредственно перед подачей в рабочие камеры, Программное устройство нагрузок и разгрузок гидростатических давлений в рабочей камере имеет регулируемый режим по скорости нагруженияи достижения заданного гидростатического давления до Ри до Р кр. минкр мин, кр. миифЛюбой из циклов нагружения, выдержкадостигнутого давления и последующаяразгрузка могут быть изменены в процессе выдачи видеозаписи заданногои фактического циклов диаграммы нагружения. С каждого гнезда ппиты производится видеозапись цикла гидростатического нагружения, электротока,температуры, а также тепловые, световые, акустические процессы у верхнейи нижней кромок кольцевых капиллярныхщелей каждого поршня и гильзы,...

Номер патента: 1345339

Опубликовано: 15.10.1987

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08, H03K 19/094

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирования

...который установитнизкие уровни напряжения на выходе20 51 инвертора 3 с токостабилизирующейнагрузкой и на выходах всех двухтактных усилителей, Высокий уровень напряжения установится на выходе 45усилителя 8 обратной связи и на выхо 25 де 79 предварительного усилителя 24низкого уровня, В результате на выходе 80 и на выходной шине 35 установится уровень напряжения, соответствующий уровню напряжения на шиЗО не 33, В это время происходит зарядвсех. накопительных конденсаторов доуровня питающего напряжения. Высокиеуровни напряжения установятся на выходе 74 четвертого инвертора 23, на35выходе 73 третьего инвертора 22 ина выходе второго инвертора 20, Врезультате на выходе 57 элемента2 И в И,ФЕ 21 установятся уровниянапряжения, равные уровню...

Номер патента: 1338055

Опубликовано: 15.09.1987

Авторы: Лисица, Мерхалев, Солод

МПК: H03K 19/08, H03K 19/094

Метки: выходного, мдп-транзисторах, сигнала, формирователь

...последовательносоединенных парафаэцых каскадсв 22,23 и 24,Устройство работает с.едующим образом,При вводе информации в устройс.твоца тактовую шину 16 подается сигналнизкого уровня, который закрываетключевой трацзестар 4. Благодаря токучерез разрядцьй транзистор 9 эакрывается также раэделительцый транзистор 8. Состояние триггера 1 пр; этом це успевает заметно пзмециться,ца кондецсаторе 19 сохрацяется заряд, соответствушций цапряжецию на первом выходе 10 триггера 1 до момецта перекзцоч ция триггера. Отот заряд поддержевзет .о ичсскэе состояние зыходцой вины 18 устройства, поскольку его уте;ка через затворы МДП-трацзисторов эс.етов зыходцого усилите пя 3 крайце езцачительца. При этом к выходной шине 8 устройства может быть подключена лабая...

Номер патента: 1332525

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Лисица, Мерхалев, Солод

МПК: H03K 17/04

Метки: стробируемый, усилитель

...на выходе входного инвертора 1 и соединенном сним затворе транзистора 22, которыйоткрывается, протекающий через неготок повышает потенциал на выходепервого парафаэного усилительногокаскада 2 и затворе транзистора 27,Это повьппение потенциала передаетсяпервым конденсатором 28 через транзистор входного интервала 1 на затвортранзистора 22, еще больше увеличивая его потенциал и ускоряя процессоткрывания транзистора 22. В самомначале этого процесса первый ключевой транзистор 12 закрывается высо ким потенциалом на его истоке, способствуя сохранению заряда на первом конденсаторе 28. В результатепотенциал затвора транзистора 22 превьппает потенциал шины 19 питания на величину напряжения предварительного заряда первого конденсатора 28,...

Номер патента: 1319255

Опубликовано: 23.06.1987

Автор: Солод

МПК: H03K 3/353

Метки: квазистатическое, мдп-транзисторах, счетное

...7 закрыты низкими уровнями на их затворах (время 1 в ), что обеспечивает высокую надежность и скорость предустановки из-за высокоимпедансного состояния входа элемента И 18.15 Транзистор 7 закрывается низким потенциалом на выходе усилителя 19. В режиме счета блокируется прохождение счетного импульса по второму входу элемента ИЛИ 4 во время действия импульса предустановки на шине 31. Аналогичным образом происходит предустановка в 1 (время 4 - ю) . Отличительным является только то, что на вход элемента И 18 перез аписы вается низкий уровень с выхода регистра 13. Во время 1 - Ь 4 на шине 30 25 низкий уровень напряжения блокирует прохождение счетных импульсов на выход усилителя 19, вследствие чего на шине 10 устанавливается низкий уровень,...

Номер патента: 1300565

Опубликовано: 30.03.1987

Авторы: Буй, Солод

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...напряжение на горизонтальной шине и соответствующего коду ноль. Все транзисторы связи накопителя 2 имеют нормальное значение порогового напряжения,При достижении на выбранной горизонтальной шине значения порогового напряжения начинается разряд вертикальных шин второй группы Р и Р., связанных с выбранной вертикальной шиной Е первой группы матричного накопителя, если соответствующие транзисторы связи имеют нормальное значение порогового напряжения, и второй вертикальной шиной дополнительного накопителял я.При этом изменяется потенциал на вторых входах дифференциальных усилителей и на выходах последних устанавливается значение единицы (если соответствующие транзисторы связи имели нормальное значение порогового напряжения)....

Номер патента: 1288756

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Высочина, Копытов, Солод, Хоменко

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...основной памяти,Таким образом, каждая строка в накопителе 5 отвечает за 2 строк в основной матрице и указывает адресбрака этой группы строк, Для запоминания адреса брака используется одна перемычка 7 в накопителе 5,Для записи адреса неисправнойячейки основного накопителя на входыпервой и второй групп подается адресэтой ячейки, а на вход записи - высокое напряжение, При этом пережигается перемычка 7 накопителя 5, соответствующая тесту неисправности в основ. ном накопителе. После пережига перемычек 7 схема памяти готова к работе.При смене на входах первой и второй групп устройства адреса Формирователь 1 открывает элемент 9 разряда, разряжая выходную шину 14 до Произв.-полигр. пр-тие, г,нуля. Если на входах устанавливаетсяадрес исправной...

Номер патента: 1285534

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Высочина, Копытов, Солод, Хоменко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, кмдп, транзисторах

...с помощью входов 7 первой группы устройства и входов 14 второй группы устройства ячейке записана такая информация, что при подключении ячейки к разрядным шинам на шине 8 потенциал падает, а на шине 9 - растет. На управляющие входы 12 разрядного коммутатора при этом поступает положительный потенциал, который передает этот потенциал на входы"выходы триггера-защелки, устанавливая на выходе 10 потенциал меньше, чем на выходе 11.Одновременно сигнал с входов первой группы устройства поступает на адресные шины накопителя, на конце которых находится блок 4 ключей. Транзистор блока 4 ключей, соответствующий выбранной адресной шине, от крывается и на выходе формировйтеля 5 импульсов вырабатывается импульс положительной полярности, который,...

Номер патента: 1277380

Опубликовано: 15.12.1986

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирования

...и черезинвертирующие транзисторы усилителя4 и двухтактного усилителя 15 цепи.Рассмотрим процесс формирования высоковольтных импульсов на шине20, С приходом на шину 7 высокогопотенциала такой же потенциал устанавливается на входе усилителя 10, что в свою очередь устанавливает низкий потенциал на входе элемента 6 и на инвертирующем входе усилителя15 цепи. В результате этого начнет повышаться потенциал на шине 20 и синфазно с ним начнет, повышаться потенциал на выходе усилителя 15 цепи и, когда последний превысит порог срабатывания усилителя 5, на выходе установится низкий потенциал и зарядные транзисторы и инвертирующие транзисторы усилителей 4 и 15 закроются, вследствие чего начнут повышаться потенциалы на выходах усилителей 15 и...

Номер патента: 1272496

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Буй, Животовский, Солод

МПК: H03K 17/22, H03K 17/687

Метки: включению, импульса, питания, формирователь

...к выходной шине устройства и стоку ИДП-транзистора с инду 5 0 5 25 30 35 40 15 повышаться От нуля к номинальному значению. Это напряжение передается на вход 9 ннвертирующего каскада 4 и при достижении величины, равной пороговому напряжению транзистора 6, последний открывается и обеспечивает низкое значение потенциала на выходе 10 инвертирующего каскада 4 и выходной шине 11 устройства.При дальнейшем повышении напряжения на шине 12 питания происходит отпирание порогового элемента и на его выходе 5 начинает повышаться напряжение, которое достигает величины,равной пороговому напряжению транзистора 2, который затем отпирается,и на его стоке и, следовательно входе 9 инвертирующего каскада 4 потенциал быстро падает. Далее...

Номер патента: 1249695

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Буй, Животовский, Копытов, Солод

МПК: H03K 5/153

Метки: адресного, интегральном, исполнении, моп-транзисторах, обнаружения, сигнала, смены

...транзистора 5. Кроме того, с самого начала переходного процесса (момент , ) транзистор 51249695 3начинает закрываться по затвору, Таким образом, от момента времени 1, до - напряжение в точке 14 начинает возрастать за счет зарядного тока нагрузочного транзистора 9 и уменьшения напряжения на затворе транзистора 5. С момента времени 1й до момента 1 скорость возрастания напряжения в точке 14 увеличивается за счет двух дополнительных про О цессов, в . дополнительного. запирания транзистора 5 по его истоку (точка 17), разряда точки 18 на точку 14 за счет открытия транзистора 7 прямым входным сигналом. 15С момента времени 1 (уровеньздвух пороговых напряжений входного прямого сигнала) начинается понижение напряжения в точке 18 через20...

Номер патента: 1237951

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Вольф, Кащеев, Солод

МПК: G01N 3/56

Метки: абразивного, воздействия, исследования, образцы, ударного

...содержиттермоизолирующую крышку 7 с центральным отверстием для трубки 8, служащей для подачи абразивных зерен 9 иэприспособления 10 в полусферическуючашу 11, размещенную внутри корпуса 1.Внутри корпуса 1 вмонтированотакже средство для изменения температуры образцов, например криокамера12, которая связана с резервуаром 13по принципу сообщающихся сосудов.Температура на поверхности образцов 14, установленных в держателе 6,фиксируется с помощью датчика 5.Уровень хладагента, например жидкогоазота, в рабочей полости криокамерыконтролируется указателем 16. Отработанный абразив скапливается в приспособлении 17 для их сбора, Установка монтируется на виброустойчивомосновании 18,Установка работает следующим образом.Образцы 14 исследуемого...

Номер патента: 1236604

Опубликовано: 07.06.1986

Авторы: Буй, Животовский, Копытов, Солод

МПК: H03K 19/094, H03K 5/01

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...транзисторов 9 и 12, способствуя ускоренному заряду емкости выходной шины 16 и разряду емкости транзистора 10 и, следовательно, его эапиранию. На выходной шине устанавливается сигнал с уровнем логической единицы.Поскольку Формирующие бутстрапное напряжение второй и третий каскады в устройстве непосредственно к выходной шине не подключены, скорость нарастания этого напряжения оказывается вьипе, что способствует повышению общего быстродействия устройства, 1(роме того, здесь вплоть до момента включения цепи ускоряющей обратной связи потенциал кочденсатора 8 поддерживается равным напряжению питания, что позволяет новы- сить амплитуду потенциала стока транзистора 5 и, тем самым, повысить быстродействие устройства эа счет более полного...

Номер патента: 1234620

Опубликовано: 30.05.1986

Авторы: Игнатьев, Кораблев, Красников, Селиверстов, Солод, Сурина

МПК: E21C 27/32

Метки: забойного, информации, оборудования, сбора, состоянии

...реле 16 и триггера 18, часть Б содержит второй счетчик 20 и элементы И 21, электронные часы 22, содержащие регистры секунд 23, минут 24, часов 25, суток 26 емкостью по две десятичные цифры. Абонент. ский пункт 19 связан с модемом 27 (моду О лятор - демодулятор), составляет часть В, являющуюся по сушеству блоком передачи информации из шахты в блок обработки информации (часть Г), входяший в состав ИВЦ, Часть Г состоит из модема 28, подключен ного к мультиплексору 29 (устройство ввода- вывода), связанному с ЭВМ 30, имеющей устройство отображения информации - дисплей 31. Система работает следующим образом. 50В исходном состоянии, до начала работы забойного оборудования, электронные часы 22 круглосуточно включены для текущего контроля...

Номер патента: 1221740

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Высочина, Копытов, Солод

МПК: H03K 19/094

Метки: моп-транзисторах, усилитель-формирователь

...к высокому потенциалу, и на выходной шине 20 потенциал начинает нарастать. В определенный момент напряжение на выходной шине 20 оказывается достаточным для отпирания транзистора 8, низкий потенциал стока которого после его отпирания запирает транзисторы 5, 12, 17 и 18, В этот момент включаются в работу смещающие конденсаторы, Правая обкладка конденсатора 19 через открытый транзистор 14 оказывается подключенной к шине 21 питания, а поскольку транзисторы 10 и 12 к этому времени заперты, потенциал его левой обкладки оказывается выше напряжения питания. Это бутстрапное напряжение, воздействуя на затвор транзистора 4, ускоряет его отпирание, Одновременно на сток транзистора 4 также воздействует бутстрапное напряжение левой...

Номер патента: 1217737

Опубликовано: 15.03.1986

Авторы: Вахалин, Гаврилов, Солод, Черкасов

МПК: B65G 19/28

Метки: конвейера, рештак, скребкового

...г. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к промышленному транспорту и может быть использовано в угольной промышленности при изготовлении скребковых конвейеров.Цель изобретения - повышение надежности и долговечности рештака.На фиг.1 изображен рештак скребкового конвейера, поперечный разрез; на фиг,2, 3 и 4 - варианты выполнения упрочненного участка днища под выемкой,Рештак содержит две боковины 1, изготовленные из специального профиля с приваренным к ним днищем 2, имеющим выемку 3 для размещения вертикальных звеньев цепи (не показана) тягового органа. Под выемкой 3 расположен упрочненный участок 4, выполненный из износостойкого материала, нанесенного на всю толщину днища под выемкой со стороны, обратной рабочей поверхности 5...

Номер патента: 1196952

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Буй, Солод

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...рассматриваемого устройства, кроме транзисторов 10 и 11, которые имеют встроенный канал), за исключением транзистора 5, одинаковы. Предполага 96952 1 1 О тор связи.45 50 20 25 30 35 40 ется, что пороговое напряжениетранзистора 5 связи соответствуетхранению кода.О, а пороговые напряжения транзисторов 1-4 и 6 связи -кода 1. Рассмотрим уровни напряжений в узлах устройства. На всех вертикальных шинах 16-19 устанавливаетсяуровень напряжения, равный напряжению питания минус пороговое напряжение транзисторов. На выходах 24 и25 за счет наличия транзисторов ссвстроенными каналами 10 и 11 напряжение равно напряжению питания. Токичерез все транзисторы отсутствуют. Управляющий сигнал изменяется с уровня логической "1" до уровня логического...

Номер патента: 1173251

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Башелашвили, Константинов, Пендуров, Скорин, Солод

МПК: G01N 3/56

Метки: изделия, поверхностью, покрытием, службы, срока, трения, упрочненной

...формируют два максимума радиоактивности по краям покрытия радионуклидами с разным периодом полураспада.Перед нанесением покрытия в его материал вносят радиоактивное веФ щество, равномерно перемешав его с веществом покрытия. Составляют две порции вещества покрытия с различ.ной концентрацией радионуклида или с разными радионуклидами.Нанесение покрытия на контролируемом участке осуществляют слоями, ,расположив по краям покрытия слои с повышенной концентрацией или с Разными Радионуклидами Ширина Й последнего максимума должна быть несколько больше ширины д первого, В ходе эксплуатации изделия спо" мощью сцинтиаляционных детекторов с радиометрамй или анализаторами регистрируют интенсивность счета.При известном распределении радиоактивности по...

Номер патента: 1163354

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Высочина, Копытов, Солод

МПК: G11C 7/00, G11C 8/00, H03K 19/20 ...

Метки: адресных, блоков, памяти, сигналов, формирователь

...на транзисторах 1 и 2 является входомформирователя, а выход подключенк затвору верхнего транзистора 7 парараэного усилителя, затвор транзис.тара 8 которого соединен с входом формирователя. Выход парафазного усилителя соединен с входом третьего инвертора (эатвор транзистора 6) и систоком транзистора ключевого элемента 10, затвор которого подключенк выходу третьего инвертора на транзисторах 5 и 6, а сток - к входувторого инвертора на транзисторахЪ и 4 и к истоку и затвору нагрузочного элемента на транзисторе 9с обеднением заряда.Формирователь работает следующим образом.При поступлении навход схемысигнала с уровнем логического нуля,транзисторы 2 и 8 закрываются и назатворетранзистора 6 устанавливается положительный потенциал. Тран 1...

Номер патента: 649190

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Губайдулин, Кукуй, Левичев, Ляшенко, Моисеенков, Солод, Чуманов, Шульгин

МПК: B21B 1/02

Метки: заготовок, прокатки

...пропуске толщины перемычки.до 0,03 - 0,05 высоты калибра перед прокаткой в чистовом калибре заготовки сближают и одновременно поворачивают вокруг своих продольных осей, попарно навстречу друг другу ди достижения между боковыми смежными гранями заготовок рас" стояния равного ширине перемычки.На фиг. 1 - 4 показана схема формирования и разделения заготовок по описываемому способу.Сляб 1 прокатывают в многоручьевдм калибре 2 до величины перемычки равной 0,03-0,05 высоты калибра (см. фиг. 1). Затем заготовки 2 перед чистовым пропуском сближают и одновременно поворачивают вокруг своих продольных осей 4 попарно навстречу друг другу (см. Фиг, 2) до достижения между боковыми смежными гранями 5 и 6 заготовок расстояния равного ширине...

Номер патента: 748960

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Губайдулин, Левичев, Лященко, Моисееков, Солод, Толпа, Чуманов, Шульгин, Шум

МПК: B21B 1/00

Метки: производства, проката, сортового

...про.филей 2.Е недостаткам указанного способаследует отнести появление в местахразделения дефектов типа заусенцев,смятий и утяжек которые трудно уст 40раниьи при последующей прокатке; помюю этого, щж разделении по данному способу не устраняются изгиб искручивание профилей в случае разделения взанмиьм сдвигом,Описываемый способ производствасортового проката лйвеи указанныхнедостатков и отЛичается тем, чтоперед разделением формируют продольные утолщения с обеих сторон полосы вместах будущего разделения высотой равной 0,1-0,5 и основанием равным 1,03,0 толщины полосы и месте разДеления.Формирование укаэанных профильныхутолщений с обеих сторон полосы поэ 60 3воляет устранить образование утяжки и смятия на профиле в месте разделения.На фнг,...

Номер патента: 1140245

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Высочина, Копытов, Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: выходных, запоминающих, моп-транзисторах, постоянных, сигналов, усилитель-формирователь, устройств

...триггер 1,первый выход 2 которого соединен с1входом первого инвертора 3, второй выход 4 - с входом второго инвертора 5, ключевой транзистор 6, включенный между истоками ключевых транзисторов триггера 1 и общей шиной устройства, а затвор ключевого транзистора соединен с шиной 7 тактового сигнала, выходной усилительный каскад 8, инверсную и прямую шины 9 и 10 ввода данных, третий инвертор 11,нагрузочный транзистор 12, первый и второй переключающие транзисторы 13 и 14, первый и второй парафазные усилительные каскады 15 и 16, причем первый вход первого парафазного усилительного каскада 15 соединен с входом первого инвертора 3, а второй вход - с выходом этого инвертора, первый вмод второго парафазного усилительного каскада соединен с...

Номер патента: 1108611

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Буй, Копытов, Солод, Трофимов

МПК: H03F 3/26

Метки: двухтактный, импульсного, сигнала, усилитель

...мощность в момент переключения входных сигналов. 35Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности.Цель достигается тем, что в двухтактный усилитель импульсного сигнала, содержащий первый и второй усилительные каскады, каждый из которых выполнен в виде последовательно соединенных относительно источника питания усилительного и нагрузочного транзисторов, при этом точки соеди нения усилительного и нагруэочного транзисторов первого и второго усилительного каскадов являются соответственно первым и вторым выходами двухтактного усилителя импульсного сиг нала, между общей шиной и первым выходом двухтактного усилителя импульсного сигнала и общей шиной и вторым выходом двухтактного усилителя импульсного сигнала введены соответст венно...

Номер патента: 1099071

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Докукин, Кораблев, Красников, Солод

МПК: E21C 27/00

Метки: комплекса, машинного, подземного, функционирования

...контроля.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу контроля функционирования подземного машинного комплекса, основанному на непрерывной регистрации мощности, потребляемой комплексом в форме аналоговых сигналов в течение смены, выделении полезного сигнала, определении времени полезного сигнала в течение смены, выделяют и суммируют по амплитуде полезные сигналы, длительностью не менее одной минуты, определяют по этим сигналам с учетом их длительности за смену фактическую производительнбсть комплекса, коэффициенты загрузки и машинного времени оборудования и сравнивают значения этих параметров с.плановыми.На фиг. 1 приведен пример выполнения структурной схемы устройства для реализации предлагаемого способа; на фиг. 2...

Номер патента: 1097786

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Дудко, Лавилов, Первов, Потураев, Рачек, Солод

МПК: E21C 25/10

Метки: горных, машин, орган, режущий

...с твердыми включениями.Известен также режущий орган горныхмашин, включающий корпус, в котором наосях установлены кулаки с резцами и стопорные элементы 12, 15Известный режущий орган не обеспечивает эффективную защиту резцов от поломокпри встрече последних со значительнымипо обьему твердыми включениями. Крометого, при отклонении резца значительноухудшаются его режущие своиства, возО20растает нагрузка на исполнительный орган.Цель изобретения - повышение эффективности разрушения полезного ископаемого с твердыми включениями,25Указанная цель достигается тем, чторежущий орган горных машин, включающийкорпус, в котором на осях установлены кулаки с резцами и стопорные элементы, снабжен роликами, установленными на кулаках, а стопорные...

Номер патента: 1096693

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Дедикова, Копытов, Солод

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...П 1)%Т 1%1 Й 4 Р"РО 1 Управляющий вход второго блока формирова. телей тока (эатвор транзистора 15) и управляющий вход третьего блока формирователей тока (истоки транзисторов 16, 17) подключены к второму тактовому входу устройства.Выходы второго блока формирователей тока соединены с разрядными щинами второй груп пы накопителя (т, вт,щ), а его входы являются адресными входами третьей группы устройства. Входы третьего блока формирователей тока (эатворы транзисторов 16 и 17) соединены с выходами второго дешифратора (т йм- с 1 п ), а его выходы (стоки транзисторов 16, 17) соединены с адресными пжнами накопителя (т. сС) и выходами- четвертого блока формирователей тока (транзисторы Й и 19), Управляющий вход четвертого блока формирователей...

Номер патента: 1081441

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Губайдулин, Клименко, Ляшенко, Солод, Толпа, Шульгин

МПК: G01L 1/00

Метки: давлений, контактных, прокатке

...искомые давлениящуп помещают в межвалковый про межуток перед прокаткой, после чего задают полосу в валки и в процессе захвата полосы валками, удерживая щуп, одновременно измеряют действующую на него силу и силу прокатки до 50 установления их максимальных значениР в момент формирования полного очага деформации, после чего извлекают щуп из очага деформации, определяют усредненную по ширине очага величину 55 силь 1 прокатки, дифференцируют ее и величину силы, действующей на щуп, по пермешению конца полосы и по отношению полученных производных вычисляют коэффициент трения в очаге деформации.На фиг. 1 показана схема расположения щупа в межвалковом промежутке перед прокаткой; на фиг. 2 схема формирования очага деформации в процессе...