Способ изготовления активного элемента твердотельного лазера

Номер патента: 1152475

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.

Номер патента: 807961

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Лобанов, Максимова

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, лазера, твердотельного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА на основе монокристалла фторида лития с примесями, включающий облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью оптимизации энергетических параметров активного элемента, монокристалл перед облучением ионизирующим излучением подвергают термической обработке в температурном интервале 250 - 450oС в течение не менее 2 ч.

Номер патента: 1412546

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Балашов, Бондарчук, Васильев, Герасюк, Ермикова, Мысовский, Парфианович, Рейтеров, Чепурной, Чуфистов, Шкадаревич, Шляк, Янчук

МПК: H01S 3/11, H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазера, пассивных, элементов

Способ изготовления активных элементов и пассивных затворов для лазеров на основе монокристаллов фтористого лития с F-2-центрами окраски, включающий облучение кристаллов ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности энергетических параметров среды, облученные монокристаллы дополнительно отжигают при температуре не выше 368 5 К до установления неизменного значения коэффициента оптического поглощения во времени.

Номер патента: 1473656

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Гудков, Раджабова

МПК: H01S 3/05

Метки: лазер, одномодовый, твердотельный

...соотношению Ь ( г - ггдег - радиус кристаллического активного элемента 3, г - радиус основноймоды ТЕМ внутри кристаллическогоактивного элемента 3, Наличие выемок10 на поверхности кристаллическогоактивного элемента 3 приводят к уве 1473 б 5 бличению части объема активного элемента, в которой отсутствуют потери на деполяризацию излучения.Эго приводит к увеличению радиуса основной моды ТЕКдо величины г что позволяет снимать инверсную населенность в моду ТЕМ, большего ра" диуса (при соответствующем увеличении радиуса диафрагмы 9). Уменьшение теГмически наведенного в активном элементе двулучепреломления приводит к возрастанию степени поляризации лазерного излучения. Места наибольшего значения наведенного нак.чкой двулучепреломления в...

Номер патента: 814225

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Бубнова, Иванов, Хулугуров, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, лазера, твердотельного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА на основе монокристалла фторида лития, включающий загрузку шихты, выращивание монокристалла из расплава с последующим облучением его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения оптического коэффициента усиления за счет увеличения концентрации рабочих центров, шихту дополнительно измельчают и увлажнаяют, а облучение монокристаллов производят с дозой 107 4 107 рентген при температуре от 50 100oС.