Способ изготовления твердых планарных источников диффузии бора на основе нитрида бора
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1454157
Автор: Денисюк
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ БОРА НА ОСНОВЕ НИТРИДА БОРА, включающий приготовление диффузанта путем смешивания порошков нитрида бора и наполнителя, нанесение диффузанта на кремниевую пластину и спекание в окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования полупроводников из твердых планарных источников при 725 - 975oС при производстве интегральных микросхем, в качестве наполнителя диффузант содержит порошок кремния при следующем соотношении компонентов диффузанта, мас.ч.:
Нитрид бора - 85 - 95
Порошок кремния - 5 - 15
а спекание проводят при 975 - 1050oС в течение 30 - 60 мин.
Описание
100 мм при температурах диффузии 725-975оС.Целью изобретения является повышение уровня легирования полупроводников из твердых планарных источников при 725-975оС при производстве интегральных микросхем.
При спекании твердых источников выше 1050оС происходит быстрое окисление порошка кремния в диффузанте и снижение концентрации бора в поверхностной окисленной пленке, что приводит к ухудшению спекаемости диффузанта и снижению процента выхода годных твердых источников.
Уменьшение температуры спекания ниже 975оС приводит к необходимости значительного удлинения операции спекания и ухудшению качества спекания диффузанта на термостойком носителе.
При содержании порошка нитрида бора в количестве менее 85 мас.ч. источник не обеспечивает высокий уровень легирования диффузионных слоев на низких температурах. Верхний предел содержания порошка нитрида бора - 95 мас. ч. ограничивается минимальным содержанием порошка кремния - 5 мас.ч. При содержании порошка кремния в диффузанте ниже 5 мас.ч. ухудшается спекание боросодержащего материала с подложкой и самого материала, снижает процент выхода годных, ухудшаются термомеханические свойства источников, понижается пористость источников.
При содержании порошка кремния в диффузанте выше 15 мас.ч. происходит увеличение БСС (боросиликатного стекла) в объеме диффузанта, что приводит к снижению процента выхода годных источников при изготовлении, понижается содержание порошка нитрида бора и уровень легирования кремниевых пластин.
При увеличении времени спекания более 60 мин уменьшается пористость источника. При уменьшении времени менее 30 мин спекание диффузанта с подложкой недостаточно.
П р и м е р 1. Приготавливают диффузант, смешивая 85 мас.ч. порошка нитрида бора с 15 мас.ч. порошка кремния. Приготавливают пасту диффузанта, добавляя к смеси порошков 5%-ный раствор крахмала. Наносят пасту диффузанта толщиной 0,8 мм на обе стороны пластин кремния диаметром 102 мм методом сеткографии, а затем сушат пластины в течение 30 мин при 180оС. Затем пластины устанавливают вертикально в кварцевую кассету и проводят спекание в окислительной среде при 1050оС в течение 30 мин.
П р и м е р 2. Приготавливают диффузант, смешивая 90 мас.ч. порошка нитрида бора с 10 мас.ч. порошка кремния. Далее все операции проводят по примеру 1, а спекание - при 1000оС в течение 45 мин.
П р и м е р 3. Приготавливают диффузант, смешивая 95 мас.ч. порошка нитрида бора с 5 мас.ч. порошка кремния. Далее все операции проводят по примеру 1, а спекание - при 975оС в течение 60 мин.
Пористость такого источника увеличивается на 50-60оС, а уровень легирования повышается в 1,4-1,6 раза.
Изобретение относится к технологии создания высоколегированных P+ - слоев в кремниевых пластинах диаметром
100 мм мм при температурах диффузии 725 - 975°С. Цель - повышение уровня легирования полупроводников из твердых планарных источников при 725 - 975°С при производстве интегральных микросхем. Источник диффузии бора изготавливается следующим образом. Приготавливают диффузант путем смешивания порошков нитрида бора и кремния при следующем количественном соотношении, мас.ч: нитрид бора 85 - 95, порошок кремния 5 - 15. Диффузант наносят на кремниевую подложку и спекают источник при 975 - 1050°С в течение 30 - 60 мин. Пористость такого источника увеличивается на 50 - 60%. Заявка
4102830/25, 28.07.1986
Денисюк Владимир Антонович
МПК / Метки
МПК: H01L 21/225
Метки: бора, диффузии, источников, нитрида, основе, планарных, твердых
Опубликовано: 27.01.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1454157-sposob-izgotovleniya-tverdykh-planarnykh-istochnikov-diffuzii-bora-na-osnove-nitrida-bora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления твердых планарных источников диффузии бора на основе нитрида бора</a>
Способ получения структур кремний-двуокись кремния-нитрид кремния
Номер патента: 1093175
Опубликовано: 23.04.1988
МПК: H01L 21/318
Метки: кремний-двуокись, кремния, кремния-нитрид, структур
...улучшения элекФрофизических параметров структур.Давление в реакторе при отжиге более 2 атм приводит к нарушению герметичности кварцевого реактора и невозможности реализации процесса. Использование металлических реакторов приводит к загрязнению структур ионами металлов и взаимодействию аммиака с материалом реактора при повышенной температуре процесса. Эксперименталь 35 ио показано, что отжиг структур при давлении аммиака 1-2 атм улучшает электрофизические параметры структур только при продолжительности отжига не менее 30 мин.Под улучшением электрофизических характеристик понимается увеличение крутизны вольт-фарадных характеристик структур Бх - ЯО- БхэМ, что является следствием уменьшения флуктуаций заряда и уменьшения величины...
Способ получения порошка нитрида кремния
Номер патента: 1433893
Опубликовано: 30.10.1988
Авторы: Андриевский, Дзнеладзе, Казанец, Леонтьев, Невский, Таланов
МПК: C01B 21/06
Метки: кремния, нитрида, порошка
...заключаетсяв увеличении выхода готового продукта в 4-6 раз. В таблице представлены сравнительные данные получения нитрида по известному и предложенному способам. Формула изобретения Вес исходного Давление Вес полученсырья (силан)атм ного нитридакремния, г Способ попримерам Выход Известный 1 Предлагаемый 24,7 9,6 48,9 4,28 44,6 9,6 10,8 45,8 4,95 100 62,3 29,2 46,7 200 48,265,6 400 31,6 430 65,6 31,2 31,2 Составитель В. Лукьянов Техред М.Дидык Корректор Э. Лончакова Редактор И. Сегляник Подписное Заказ 5509/24 Тираж 446 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул Проектная, 4 Изобретение относится к...
Способ получения ультрадисперсного порошка карбида кремния
Номер патента: 1555279
Опубликовано: 07.04.1990
Авторы: Быканова, Вольдман, Кипарисов, Костюкова, Кравченко, Петров
МПК: C01B 31/36
Метки: карбида, кремния, порошка, ультрадисперсного
...10 об.% азота 4 ч. Для удаления углерода проводят отжиг порошка ЯС на воздухе при 600 С в течение 40 ч.Полученныйпорошок карбида кремния имеет следующие характеристики: сред-. ний размер частиц 0,2 мкм, максимальный размер частиц Й 15 мкм; содержание мас.%: кислород 0,4; свободный углерод 0,05; азот 1,5; алюминий 0,2; Ре 0,05. П р и м е р 2. .Смесь диодксида кремния с высокодисперсным углеродным компонентом в молярном соотноше ф нии 14, 0,5 мас.% порошка нитрида алюминия и водой брикетируют, сушат в течение 10 ч при 150 С и загрукаютов графитовый тигель, который помещают в печь. Продопжительность выдержки при 1450 С в протоке смеси аргона с 20 об,% азота 6 ч. Для удаления углерода проводят отжиг порошка ЯС на воздухе при 600 С в течение...
Способ получения ультрадисперсного порошка карбида кремния
Номер патента: 1636334
Опубликовано: 23.03.1991
Авторы: Вольдман, Кипарисов, Костюкова, Кравченко, Петров
МПК: C01B 31/36
Метки: карбида, кремния, порошка, ультрадисперсного
...стеза приводит к уменьшению энергоНагрев смеси до 1000 С атмосферном давлении ар грев от 1300 до 1400 С ростью 1 град/мин в пот гонаи 10 об.% водорода потока 5 л/ч, что позво живать в печном прсстра ное давление 50 кПаПр ность выдержки при 1400 50 кПа составляет 6 ч. свободного углерода про порошка ка р бид а кр емния при 600 С в течение 40Полученный порошок к имеет следующие характе1636334 1Выдеркка прн конечной темпера- туре Характернстнка конечного продукта потоке аргояа содерванем водород Содерканне мас,Х упельПлотностьпеченннквделнсс Хт теоретн"еского ко ста ость 1 точпото- яаеа ар-дав"1 она, леня ч кПа око .ростьнагренаядолам- поверя"льность, ность,а 7 г вобод- кеого уг- ерода авлеастнп кПа градl аСО 04 О 05 005 940,3 О,...
Способ получения нитрида кремния
Номер патента: 1726373
Опубликовано: 15.04.1992
Авторы: Бартницкая, Власова, Ефименко, Косолапова, Курбакова, Людвинская, Сухих
МПК: C01B 21/068
...окисляется не полностью, а при высоких - частично окисляется нитрид кремния, что ухудшает качество продукта.Способ осуществляют следующим образом.Рисовую шелуху обрабатывают в растворах азотсодержащих соединений при 20 - 100 С, а затем высушивают при 100 С. После высушивания обработанная рисовая шелуха становилась хрупкой и легко поддавалась измельчению. Азотирование проводилось при 1300 в 15 С.П р и м е р 1, 2 г рисовой шелухи, обработанной при комнатной температуре 25%-ным раствором гидроксида аммония и высушенной при 100 С и содержащей 3,8 мас.% азота, азотируют в течение 5 ч при 1400 С в потоке азота при скорости 100 см/мин. Содержание азота в продукте азотирования после отжига при 550 С в течение 15 мин составляло 37,5 мас.%,...
Предыдущий патент: Способ изготовления отрицательного электрода щелочного аккумулятора
Следующий патент: Способ получения н-алкинов-1 с числом углеродных атомов от 5 до 12
Случайный патент: Регулятор фазы импульсов