Способ изготовления позисторов на основе титаната бария

(54) СПОСОБ ИЗГО ИА ОСОВЕ ТИТАНА (57) Изобретение ческой полупрово и может быть исп ОВЛЕНИ А БАРИ к керами- ехнологии относя никово цри разрасторов сым коэффиозисторов. ользован ци а Ва 3 гТ Оста 1. Коа;сне цли твердых р Ва, РЬ, Т 10 берут яв вцп РЬТ 10 2. Сплавы У.О -Ьа О -Г)у иредварительннты для синтезастворов Варасчетного ге ВаСО , Т 10,БгТ У.,О -Ьа О цлриг отавлигзаютс типа О,о путм обжига с с ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯ)Я И ОТНРЫТИЯМПРИ П 1 НТ СССР ОПИСАНИЕН АВТОРСКОМУ Сви(56) Заявка Японикл. Н О С 7/02,ботке и выпуске терморезположительным температурциецтом сопротивления Изобретение относится к керамической полупроводниковой технологии. иможет быть использовано при раэработке и промышленном выпуске терморезисторов с. положительным температурнымкоэфФициентом сопротивления (ПТКС)позисторов.елью изоб етеция я ляется повыше Ц р вние технологичности за счет сниже я температуры обжига.11 оставленная цель достигается тем, что легирующую добавку - иттрий вводят одновременно с одним или двумя РЗЭ в виде предварительно приготовленных сплавов У О - Ьа Оз или У О-ЬаО-Пу О, при эквимолекулярцом со.отношении компонентов.С позиции Физико-химических представлений иттрий и любой иэ Р 33 являются в данном слу гае донорами,т.е, абсолютно равноправными компонентами, замещающими ионы бария в ггодреЦель изобретения - повышение технологичности путем. снижения температуры обжига - достигается тем, что легирующую добавку - иттрий вводят в титанат бария одновременно с одним или двумя редкоземельными элементами и виде предварительно приготовленных сгглаввв У 20 з - Ьа О 3 или У 20 з Ьа О з - Ьу О при эквимолекулярном - соотношении компонентов. Использование предложенного способа позволяет увеличить срок службы оборудования, повысить выход годных позисторов при упрощении состава керамического. мате риала и сокращении процесса изготовФ ления. щетке бария. Положительный эффект снижения температуры восстановления керамики достигается за счет снижения температуры плавления бинарных и тройных сплавов, Отпадает необходи,- мость дополнительного введения модиФицирующих добавок и, таким образом, происходит упрощение состава материала и сокращение технологического про 1цесса изготовления керамики.Технология изготовления резисторов по предлагаемому способу реализуется в следующей последовательности.компонептов при 150 С в течение 2 ч.3. Донорная примесь в виде двойно го или тройного сплава с оксидами РЗЭ вводится в шихту перед смешиванием.4. Смешивание производится "мокрым" способом в шаровой мельнице с последующей сушкой порошка при 130-150 С.5. Синтез материала проводится на воздухе при температуре 1150 С в течение 2 ч.6, Прессованные образцы заданной конфигурации обжйгаются при температуре 1280-1320 С в течениеч. Скорость охлаждения образцов от температуры обжига 100-150 град/ч.7, Для измерения электрических параметров наносятся электроды из эвтектики 1 п-Са.Иллюстрация положительных результатов по предлагаемому способу приведена в таблице, в которой представ лены данные аналога и прототипа, а также измеренные значения основных параметров позисторов из ВаТхО и. .его твердых растворов с различным . содержанием введенного сплава У О -1,а О,и У О -1,а О -Пу О . В таблице (п.1) приведены дацнйе прототипа при введении специальных моди- фицирующих добавок Т.О , ЫО , Ч,Видно, что минимальная температураообжига составляет 1350 С, минимальное значение= 90 Ом см максимальное значение ПТКС - 7%/град.Пан" ные п.п, 2-4 таблицы характеризуютусловия получения и параметры позис" торов из ВаТ.О, изготовленных попредлагаемому способу при содержаниивведенного сплава УО,а,О в количестве 0,15-0,45 мас,%. Тсоставляет при этом 280"С; = 60 Ом см;ПТКС = 257/град При использовании1 трехкомпонентного сплава, например,УОа О -ОуО в количестве0,1 мас.% достигается дополнительное(в сравнении с бинаРным) снижениеТ ,. на 20 С (см. п.п. 17-19 таблицы).В пп. 11 - 1 б и 20-21 таблицы приведены запредельные концентрации легирующих сплавов для материала Ва(Бг,РЬ)ТО и указаны электрические па 3раметры позисторов, которые могутбыть получены лищь при высоких (380 .400 С) Т а (более низкие Т. неприводят к появлению в матерйале полупроводниковых свойств),Технический эффект предлагаемогоспособа заключается а том, что введение бинарных и тройных сплавов легирующих примесей в количествах,не выходящих эа укаэанйые пределыконцентрации 0,1.5-0,45 мас.% и0,1 мас.%, способствует снижению температуры обжига Ва(Зг,РЬ)ТОэ .на70-100"С при одновремейном улучшенйи позисторных свойств (ПТКС). Этоприводит к увеличению срока службыоборудования, повышению выхода годных поэисторов.Формула изобретенияСпособ изготовления позисторов наоснове титаната бария, включающий введение в титанат бария легирующей добавки на основе иттрия, смешивание компоненгов, обжиг и прессование образцов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения техно" логичности за счет снижения температуры обжига, введение легирующей добавки осуществляют в виде сплавов оксида иттрия с оксидом лантанаили оксида иттрия с оксидами лантана и диспрозия (Ш) при эквимолекуляр" ном соотношении компонентов.11 и/и ПТКС,7/градОм см КонцентрациясплаваУО -1.а,О мас Е Состав основного материала О ВаТ;О +У+ПО + Ч 317 8 19.20 21 ВаТ 10 Ва офз вава ВаТ 1.0 ВаТдО 25 37 22 23 26 30,1 а щОд З эз 6011 О510 . Составитель Ю,Кондрахинадактор Н, Каменская Техред Л,Олийнык Корректор С.Черни Заказ 2815РИИЙ 1 ГосУдарственно1 1303 220о изобретени 35, Раущская Под м и открытиям наб., д. 4/5Т писноепри ГКНТ ССС о. комитета Москва.Ж ул, Гагарина,101 1 ожзвваственно-зцательскии комбинат Патет .г.Ужгор