Резистивный материал

Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик и 890450 Оп ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(61) Дополнительное к авт. свир-ву(22) Заявлено 07. 02. 80 (21)2881878/18-21с присоеаинением заявки М(23) Приоритет(51)М. Кл,Н 01 С 7/00 3 Ъаударетаааый комитет СССР па делам изоеретеннй и открытий(72) Авторы изобретения 1) Заявитель 4) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕР к микро использ коомных ературного ния.Поставленная цель достигается т что резистивный материал, включающи тантал и кремний, дополнительно сокопленочных резисторов.Известен резистивный материал на . основе тантал-кремний 1 11.Недостатком этого материала является высокое удельное поверхностное сопротивление пленки (Я;) и высокое значенйе отрицательного температурного коэффициента сопротивления (ТКС).Наиболее близким по технической сущности является резистивный материал, содержащий тантал и 15-75 ат.Ф (2,6-31,8 вес.4) кремния ( 2.Однако известный материал характеризуется недостаточно низким удельным сопротивлением (20-30 Ом м) и сравнительно большим отрицательным коэффициентом сопротивления - (60-140) ф-6 -1 о10 градЦелью изобретени с ие удельного повер о ления и уменьшение о держит молибденколичественномтов, вес.3:ТанталМолибден титан при .сле тношении комп ще н 0-65 3-25 Титан 4-9Кремний ОстальноеВведение молибдена (в составе Мо 512 ) обеспечивает уменьшение повер ностного сопротивления пленки. Титан (в составе Т 1512) вводят с целью уменьшения снижения степени критич - ности материала к колебаниям вакуумных условий при ионно-плазменном рас пылении, а также уменьшения отрицательного температурного коэффициента сопротивления.Предлагаемый материал изготавливают следующим образом. нижепротивго темя являетсяхностного сотрицательн н Изобретение относится электронике и может быть вано для изготовления ни эффициента сопротивлеФормула изобретения ВНИИПИ Заказ 11051/81 Тираж 787 Подписное оФилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,Иэ исходных порошков дисилицидовтантапа, молибдена и титана (Та 51,МоВр, 7151:2) путем синтеза создаюттройной .вердый раствор на основдисилицида тантала.Для сингеэа порошки исходных составгяющих (Та 5 Мо 5Т 5 ),взятые в необходимых пропорциях,подвергаот мокрому смешиванию в средеэтилового спирта (200 мл на 1 кг по 1 врошка) в течение 6 ч, Затем полученную смесь сушат в термошкафу при60-80 С и подвергают просеиваниючерез сито с сеткой У 0063 для разрушения конгломератов, 15Готовую смесь прессуют под давлением 3 т/и с помощью гидравлическо 2го пресса Пв брикеты ф 20 мм иподвергают высокотемпературой вакуумной обработке в вакуумной печи 26СГН 2,3/15-,2 при остаточном .давлении3-7 10 Па и температуре 1300-1400Спеченные брикеты извлекают из вакуумной печи, пробят в механическойступке СМВЛ и отбирают пробу для рентгеновского фазового анализа, которыйпроводят на дифрактомере ДРОН. Затем на рольганговой мельнице с яшмовыми барабанами и шарами производяттонкий помол порошка в течение 4 ч звв среде этилового спирта, После чегопопученные порошки сушат в термошкафу при 60-80 С л просеивают на ситес сеткой М 0045,Иэ порошка резистивного материала изготовляют методом порошковой метал-луогии млшени Ф 130 мм и толщиноймм,Ниже приведены конкретные примеры изготовления предлагаемого материала с различным содержанием исходных компонентов (минимальным, средним и максимальным) и их характеристики .П р и м е р 1. С минимальным содержанием компонентов, вес.3:Тантал 65Молибден 3Титан 4Кремний Остал ьноеП р и м е р 2, Со средним содержанием компонентов, вес,Ф:Тантал 38Молибден 25и анКремний ОстальноеП р и и е р 3. С максимальным содержанием компонентов, вес,3:Тантал 30Молибден 25Титан 9Кремний ОстальноеПредлагаемый реэистивный материал позволяет получить методом ионноплазменного распыления ниэкоомные тонкопленочные резисторы со следующими характеристиками; при толщине пленки 0,2 мкм, удельное поверхностное сопротивление 6-8 Ом м, температурный коэффициент сопротивления (15-30) 10 град-", стабильность сопротивления за 1000 ч при 125 0,13.Преимущество резистивного материала заключается в том, что при технологических толщинах пленки 200 нм и выше обеспечивается возможность препарирования резистивных пленок с удельным поверхностным сопротивлением до 10 Ом.м и отрицательным температурным коэффициентом порядка (15-30) 10 град , изменяющимся в узких пределах, что является решающим фактором при использовании материала для стабильных низкоомных СВЧ-микросборок. Резистивный материал, включающийтантал и кремний, о т л и ч а ю -щ и й с я тем,что,с целью сниженияудельного сопротивления и уменьшенияотрицательного температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит молибден и титан приследующем количественном соотношениикомпонентов, вес,3:Тантал 30-65Молибден 3-25Титан 4-9Кремний ОстальноеИсточники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент США У 3790913,кл.338-308,2, Физические основы надежностиинтегральных схем. Под ред.Ю.Г.Миллера, М., 1976, с. 106.