Резистивный материал

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик 1866582(543 РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 1 О Остальное Изобретение относится к технологии производства токопроводящих эле. ментов и может быть использовано в. радиоэлектронике для изготовления, например, композиционных резисторов,Известны резистивные материалы, содержащие токодисперсную сажу, эфир целлюлозы и воду 11 .Недостатками таких резистивных материалов являются плохая адгезия к материалу основы и разрушение при воздействии воды.Наиболее близким к изобретению по технической сущности является резистивный материал, содержащий тонкодисперсную прокаленную сажу, метилцеллюлозу и дистиллированную воду 21.К недостаткам этого резистивного материала относится плохая адгеэия к материалу основы и неудовлетворительная влагоустойчивость.Цель из.обретения - улучшение адгезии и влагоустойчивости. Эта цель достигается тем, что известный резистивный материал, включающий тонкодисперсную прокаленную сажу, метилцеллюлозу и дистилированную воду, дополнительно содержит ацетонформальдегидную смолу и едкий натр при .следующем количественном отношении компонентов, вес7:Тонкодисперсная прокаленная сажа 0,5-2,5Метилцеллюлоз а 3, 0-10,0Ацетонформальдегидная смола 1,0-5,0Едкий натр 0,001-0,005Дистиллированнаявода П р и м е р, Для приготовления резистивного материала используются едкий натр марки ЧДА согласно ГОСТ 4328-66 и ацетонформальдегидная смола, которая представляет собой продукт конденсации ацетона с формальдегидом, неограниченно раствори866582 Продолжение таблицы 5ност цикла от0 С до5 С %, +1,0ЭДС ш мов, %Водоустойчивостьпосле выдержки в воде в т чение 72 весовое н бухание,масс.7 г о 120 50-70 30 бИз ретение позволяет пол вный материал с улучш техническими свойства ь резистифи зикобенно п осо о адгезии с основои и вости, что дает возмож овать резистивный мате водоость стоич споль 3 0 за 3,0-10,0 ьд е гид ная 1,0-5,0 0,003-0,00Про сце ос Ацетонфо мола ами Падкии натрДис тилли ров анная ода 5-0,8 1,0-1 3-1,кои, МСопротиление,Темпера Остальное 110 1 10 10 Источни ки информации,ание при экспсвидетельствоН О С 7/ОО.свидетельствоС 7/00,ерти СССР 9 71 СССР принятые во вни1. Авторскоеу .376815, кл. 22. Авторское турныиэффици е сопротивления,1/град У 574045, кл. 2 Н 010,040 +0,040 +0,040 прототип),ВНИИПИ Заказ 8084//2 Тираж 787 Подписное ППП "Патент",г.ужгород,ул.Проектная,4 мый в воде н любых соотношениях, соследующими характеристиками:Плотность при 20 С, ед, 1,13Вязкость (по ВЗпри20 С), с 28,0Содержание основногопродукта, % 85,9 Содержание идроксилов, % 20,06Содержание свободногоформалина, % 1,80рН среды 7,0Для получения резистивного мате-. риала приготавливают три смеси компонентов, содержащие каждая, вес,%: тонкодисперсной прокаленной сажи 0,5; 1,04 и 2,5; метилцеллюлозы 3,0 5,0 и 10,0; ацетонформальдегидной смолы 1,0; 2,0 и 5;0; едкого:натра0,001; 0,002 и 0,005 и дистилирован-. ной воды остальное, до 100 вес,%.Каждую смесь получают следующим о разом, Приготавливают 50% в н раствор метилцеллюлозы и ацетонформальдегиднрй смолы, загружают их в смеситель и паремешивают дс полного совмещения компонентов, Затем вводят едкий натр в виде 10%-ного раствора в воде, тонкодисперсную прокаленную сажу, добавляют дистиллированную воду и перешивают состав до получения гомогенной массы.Полученную массу наносят методом окунания на керамические заготовки для резисторов, выдерживают на воздухе в течение 6-8 ч и сушат в вакуумном кафу при 60-70 оС в течение 24 ч, атем прикрепляют металлические выводы, Свойства полученного резистивногматериала приведены в таблице,только для изготовления композиционных резисторов, но и для датчиков проникающей влаги в балластной призме железнодорожного пути.Формула изобретенияРезистивный материал, включающий тонкодисперсную прокаленную сажу, метилцеллюлозу, дистиллированную воду, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью улучшения адгезии и влагоустойчивости, он дополнительно содержит ацетонформальдегидную смолу и едкий натр при следующем количественном соотношении компонентов, масс.%:Тонкодисперсная прокаоленная сажа 0,5-2,5Метилц еллюл о