Резистивный материал

Номер патента: 379676

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C25D 3/64

Метки: осаждения, серебро-палладий, сплава, электрохимического

...оСадок бромистого серебра, отмытый декантацией от ионов МОз растворяют в 300 - 400 г/л концентрированного раствора оромисгого калия при 50 - 80 С.Для приготовления тетрабромпалладата калия к раствору хлористого палладия добавляют при помешивании 5%-ный раствор щелочи до рН 7,5 - 8,5, при котором выпадает гидро- окись палладия. Свежеосажденный гидрдт окиси палладия, отмытый декантацией от ионов С 1, растворяют при 50 - 80 С в растворе оромистого калия, подкисленного бромистоволородпой кислотой до рН 1-2.Растворы отдельно приготовленных комплексных соединений серебра и палладия с бромидионом смешивают и добавляют в случае необходимости недостающее количество ОРОХ 1 НСТОГО КД,И 51,Таким спосооом получают покрытия толщиной 1 О 15...

Номер патента: 291988

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Жандарова, Кудр, Кушевич, Московский

МПК: C25D 3/64, C25D 5/10

Метки: осаждения, серебро-палладий, сплава, электролитического

...по току 85 - 95 о/о.Электролит готовят следующие Готовят отдельно амингндроксидные растворы палладия и серебра. Для приготовления амингндроксида палл адия к раствору хлористого палладия добавляют при помешивании разбавленный раствор щелочи до рН 7,5 - 8, при которой осаждается гидроокпсь палладия, Свежеосажденный осадок гидро- окиси палладпя отмывают декантацией от ионов хлора, растворяют в 25 о/о-ном растворе аммиака при 80 в 1 С до получения раствора желтого цвета.Для приготовления ампнгидрокспда серебра к раствору азотнокислого серебра добавляют при помешивании раствор щелочи до рН 9,5 - 9 для осаждения окиси серебра. Осадок окиси серебра, отмытый декантацпей от ионов .Оз, растворяют в аммиаке при комнатной температуре.К растворам...

Номер патента: 369502

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кукуй, Мохир

МПК: G01R 17/06, G01R 27/02

Метки: полупроводникового, сопротивления, удельного

...чертеже представлена функциональнаясхема описываемого устройства, состоящегоиз четырехзондовой головки 1, стабилизатора 2 б2 постоянного тока, цифрового вольтметра 3,блока управления 4, механизма б перемещения зондовой головки, реостатного датчика б,функционального преобразователя 7, корректирующего звена 8 стабилизатора тока. 30 Через токовые зонды 9 и 10 измерительной головки 1, прижатой к исследуемому образцу П, пропускается постоянный ток от стабилизируемого источника 2. Напряжение, снимае мое с потенциальных зондов 12 и 1 З, подается на вход измерительного прибора (например цифрового вольтметра) т. Блок управления 4 с помощью механизма б отводит и прижимает зондовую головку к образцу и перемещает ее вдоль торца. Перемещение...

Номер патента: 1083128

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Гурвич, Слоущ

МПК: G01R 27/00

Метки: порошкового, сопротивления, удельного

...точности измерений.УПоставленная цель достигается тем, что, согласно способу измерения удельного сопротивления порошкового материала путем заполнения исследуемым порошковым материалом СВЧ резонатора, возбуждения его электромагнитными колебаниями одной частоты, фиксации состояния резонанса, предварительно измеряют фазу волны на выходе незаполненного СВЧ резонатора, после заполнения СВЧ резонатора полностью и возбуждения его электромаг-. нитными колебаниями одной частоты измеряют объемную концентрацию исследуемого порошкового материала путем его уплотнения и досыпки, состояние резонанса Фиксируют по моменту, когда Фаза волны на выходе СВЧ резонатора изменяется на величину, кратную 360 относительно фазы волны на выходе незаполненного...

Номер патента: 1100544

Опубликовано: 30.06.1984

Автор: Помялов

МПК: G01N 22/00

Метки: локального, полупроводникового, сопротивления, удельного

...условию ферромагнитного резонанса, и которое перпендикулярно переменному магнитному полю, после чего измеряют ширину линии ферромагнитного резонанса ферритового образца в присутствии исследуемого полупроводникового материала и без него и по изменению ширины линии ферромагнитного резонанса определяют удельное сопротивление исследуемого полупроводникового материала в исследуемой области. На фиг. 1 приведена схема устройства для реализации способа, нафиг. 2 - линии ферромагнитного резонанса ферритового образца.Устройство содержит генератор 1высокой частоты, соединенный с первым плечом циркулятора 2, второеплечо которого соединено с короткозамкнутым волноводом 3, в пучностьмагнитного поля которого помещенферритовый образец 4,...