Материал для резисторов

Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ он 898517по делам нзабретеннй н открытнй(71) Заявите 4) МАТЕРИАЛ ДЛЯ РЕЗИСТОРОВ Изобретение о нике и может бь ния толстопленоИзвестен рези щий мас.%: гидроо сеинцовоборосили тносится к злектроннои ехать использовано для по чных резисторов.стивный материал, содержа. ксихлорид рутения 2,2 - 19,25,катное стекло 57,7 - 74,7 и ор20,1 - 26,05 11данного материала является лучеганическая связка Недостатком его основе толстосопротивлением выше начения температурновления (ТКС) (до техническои сущи тся материал для к пре зисторо ре мнил,Недо кое зн длагаемому явлв, содержащийдвуокись рутестатком этогоачение температуления (до 560 1стабильность совлажности.ю изобретения явого коэффициент сь окись свинца, двуо ния 23.материала является рного коэффициен 01/ОС) н низк противления при п сопротив(до 3%)вышеннсу тем. ляется снижениа сопротивленн Цель ературнневозможность полученияпленочных резисторов с300 Ом/кВ и высокие зго коэффициента сопроти500 10 б 1/ С).Наиболее близким по улучшение температурной стабильности резисторов при повышенной влажности.Поставленная цель достигается тем, что материал для резисторов, включающий окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, дополнительно содержит окись индия при еле. дующем количественном соотношении, мас.%:Окись свинца РЬО 65-82Двуокись кремния 8 О 9,5-23 Двуокись рутения Вц 02 2,0 - 8,0 Окись индия пОз 0,5 - 20Введение в состав материала для резисторов окиси индия позволяет получать толсто- пленочные резисторы в диапазоне сопротивлений от 1 мГОм до 20 мГОм, имеющие стабильность параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повышенной влаж. ности (98%) не более й 1% и ТКС не более 100 101/С.П р и м е р. Порощкообразные окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, окись индия тщательно смешивают. Из полученной массы прессуют таблетки, Таблетки по мешают в корундовый тигель и проводят син.8517 4нической связкой, наносят на подложки изкерамики "22 ХС" и вжигают в конвейернойпечи при 800 - 850 С, Приготовляют четыре со.става предлагаемого материала для резисторов.Соотношения исходных компонентов материалаи электрофизические характеристики получен.ных резисторов приведены в таблице. опротивление, Ом/кв ТКС, 1/ С 10 6 Стабиль. при 25-125 С ность, %+2,8 Известный 24 71 5 в 5 Из таблицы следует, что предложенный материал при указашых соотношениях компо.нентов позволяет получать резисторы с температурным коэффициентом сопротивления в5,6 раза ниже и стабильностью в 2,8 раза вы- З 6ше, чем у известного,Предложенный материал позволяет заме.нить известные материалы на основе серебра -палладия,Использование предложенного материала Зчувеличивает выход годных толстопленочныхэлементов и улучшает параметры резисторов. 40Материал для резисторов, содержащий окисьсвинца, двуокись кремния, двуокись рутения,Составитель Н. КондратовРедактор А. Долинич Техред С.Мигунова Корректор М. Демчик Заказ 11960/70 Тираж 757ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3 89 тез в муфельной печи при 950 - 990 С в течение 0,5 - 10 ч,l Синтезированный материал измельчают в планетарной мельшще в течение 10 ч. Полученные мелкодисперсные порошки резистивной композиции тщательно перемешивают с оргаСодержание компонентов, мас.% 80 РЬО ЯцОг афпг Оз формула изобретения о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюснижения температурного коэффициента сопро.тивления и улучшения температурной стабиль.ности резисторов при повышенной влажности,он дополнительно содержит окись индия приследующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Окись свинца РЬО 65-82Двуокись кремния ЗЮг 9,5 - 23Двуокись рутения ВцОг 2,0-8,0Окись индия пгО, 0,5 - 20Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР Р 491161,кл, Н 01 С 7/00, 05.11.75,2. Патент США Х 3951672, кл. 106 - 53,20.04,76 (прототип) .