Смеловская

Номер патента: 1817861

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Глыбина, Гуров, Девяткина, Звонарева, Каленова, Крюковский, Мальцева, Перова, Сидякина, Смеловская, Холмянский, Шалаев, Эрлих

МПК: G03F 7/004

Метки: негативный, фоторезист

...мкм.о Микронеровность пленки составляет 100 А; при этом клин проявления 1,0 мкм. Примеры получения фоторезиста и егохарактеристики представлены в табл. 1 и 2, В зависимости от массовой доли сухого остатка композиции, формирование пленки проводят при частоте вращения 4000-1000мин, остальные стадии фотолитографического процесса проводят аналогично примеру 1,5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Фотолитографические характеристикиоценивают по следующим параметрам: толщина фоторезистивной маски, светочувствительность, микронеровность, разрешающаяспособность, клин проявления,Стабильность фоторезиста при храненииопределяют продолжительностью сохранения беэ изменений фотолитографических характеристик. При этом контролируют такжепоявление посторонних...