Способ определения эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 550882
Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Юзкевичене
Текст
А СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК БО 55 О 882 31 Оо ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ идете 31/О СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬ 1 ТИИ(71) Институт Физики полупроводниковАН Литовской ССР(54)(57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКЕ, заключающийся втом, что в однородном образце создают градиент концентрации горячих носителей тока, измеряют возникающую термо-ЭДС, и по ее величине судят об зФфективной температуре, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерений, между омическим контактом, расположенным на одной стороне образца, и емкостным контактом - на другой прикладывают постоянное напряжение, поляр" ность которого на емкостном контак" те противоположна знаку основных носителей тока, затем снимают, это напряжение, а на часть образца с емкостным контактом накладывают импульс СВЧ излучения и измеряют импульс возникающей термо-Эдс,Д550882 Редактор О,ЮрковаТехред Ж. Кастелевич Корректор;С Шекмар Заказ 6475/2 , Тираж 873 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к областиопределения электрических свойств полупроводниковых материалов.Эффективную температуру горячихносителей тока в полупроводнике обычно определяют по величине термоэдс, 5обусловленной градиентом концентрации носителей тока, который создаютпосредством лвгирования полупроводника, что является технологически слож, ным и трудно контролируемым процес Осом. В процессе измерения наряду сполезным сигналом обычно появляютсяи нежелательные ЭДС. Все это приводит к снижению точности измерений.В известном способе определения 15эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике 1в части однородного образца с контактами, создаютэлектрическое поле,причем контакты находятся вне области электрического поля, освещают образец светом, в результате чего создается необходимый градиент концентрации носителей тока, приводящий квозникновению ЭДС.. Однако в известном способе необходимо оцениватй создаваемый светомградиент концентрации носителей тока,что значительно снижает точность измерений.Целью изобретения является повыше-З 0ние точности измерений,Это достигается тем, что по предлагаемому способу посредством элект"рического поля, приложенного к образцу между омическим контактом на одной 35 стороне образца и,емкостным контактом - на другой, заполняют медленные поверхностные состояния основными носителями така, затем после выключения электрического поля на часть образца с емкостным контактом наклады- вают импульс СВЧ излучения и измеряют импульс возникающей термо-ЭДС,Схема измерений по Описываемому способу показана на чертеже.В образце элвктричесКИм полем создается слой 1, обедненный основными носителями тока. Между образцом и стенкой резонатора, в который он по" мещен, существует диэлектрический зазор 2. При выполнении условия где в - заряд электрона К - постоянная Кольцмана, 7, - температура решетки полупроводника.. В полупроводнике, помещенном в электрическое поле , температура носителей тока ТВ (Е) связана с тер. моэдс следующим соотношениемК Те еТ 5 Е . 1 иднор ЧТО В дОстатОЧОно широких пределах изменений электричеокого поля величина термоэлектродвижущей силы однозначно связана с температурой горячих носителей то ка в полупроводнике.
СмотретьЗаявка
2093411, 03.01.1975
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АН ЛИТССР
КАЛЬВЕНАС С. П, ЮЗКЕВИЧЕНЕ М. М, ВЕРСОЦКАС А. П
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26, H01L 21/00
Метки: горячих, носителей, полупроводнике, температуры, эффективной
Опубликовано: 23.06.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-550882-sposob-opredeleniya-ehffektivnojj-temperatury-goryachikh-nositelejj-toka-v-poluprovodnike.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике</a>
Датчик для бесконтактного измерения концентрации носителей тока в полупроводниках
Номер патента: 345948
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Нтно, Пожела, Топутис, Ука
МПК: G01N 27/04
Метки: бесконтактного, датчик, концентрации, носителей, полупроводниках
...отличающийся тем, что, с целью стабилизации электрических параметров датчика и осуществления быстрой смены исследуемых образцов без отключения датчика от измерительной аппаратуры, индикационная катушка выполнена в виде держакоаксцальными тсабеляхтгт, а катушка возбуждения выполнена в виде съемной части датчика с контактной колодкой,25 явлено 09.1.1970 ( 1402 ата опубликования опи нститут физики полупроводн ДАТЧИК ДЛЯ БЕСКОНТОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам, предназначенным для бесконтактного измерения концентрации носителей тока в полупроводниках.Известны датчики для бесконтактного измерения концентрации носителей тока в полупроводниках, в которы.с исследуемый образец...
Устройство для измерения концентрации горючих компонентов дымовых газов
Номер патента: 1805364
Опубликовано: 30.03.1993
Автор: Семеновский
МПК: G01N 25/32
Метки: газов, горючих, дымовых, компонентов, концентрации
...предлагаемого устройства.На схеме обозначено; 1 - мостовая измерительная схема,2 и 3 - измерительный и компенсационный элементы, 4 - источник питания, 5 - вторичный прибор, 6 - плечи отношения, 7 - нуль-корректор, 8 - регулятор чувствительности устройства, 9 - переключатель рода работы, 10 - выключатель двухпозиционный, 11 и 12 - резисторы, 13 - 14 - контакты выключателя,Измерительный мост 1 содержит элементы 2 и 3, плечи отношения 6, нуль-корректор 7, вторичный прибор 5, корректор чувст вител ь ности устройства 8. Пере кл ючатель рода работы 9 содержит двухпозиционный выключатель 10 и два резистора 11 и 12. Резистор.11 включен в питающую диаго наль моста 1, а резистор 12 - в измерительную диагональ моста. Резистор 12 включен...
Устройство для измерения концентрации, скорости и расхода твердого компонента в двухфазных потоках
Номер патента: 655935
Опубликовано: 05.04.1979
Автор: Колотуша
МПК: G01N 15/00
Метки: двухфазных, компонента, концентрации, потоках, расхода, скорости, твердого
...установлены по обестороны изогнутого патрубка, причем одиниз них установлен в зоне расслоения фази выполнен с неравномерным по его сечению электрическим полем.35На чертеже представлена схема предлагаемого устройства,Устройство содержит трубопровод 1для подачи анализируемого потока, вход- .ной участок которого выполнен в видеизогнутого патрубка 2.В корпусе-акране 3 по образующимпрямолинейного участка трубопровода 1установлены идентичные односторонниеемкостные компенсационные преобразователи 4-6, причем преобразователи 4, 5предусмотрены для компенсации изменений электрофизических свойств трвнспортируюшей фазы потока (газа или жидкости), в преобразователь 6 - для компенсаЗбции изменений электрофизических свойствтвердого компонента....
Устройство для измерения концентрации пыли в воздухе
Номер патента: 1257477
Опубликовано: 15.09.1986
Авторы: Гарбузов, Казунин, Солодко, Эскин
МПК: G01N 21/53
Метки: воздухе, концентрации, пыли
...процессе измерения может превышать величину верхнего пределавыходной шкалы, Это происходит в случае,когда измеряемая величина находитсяв пределах более старшего диапазона. Таким образом, усиленный информационный сигнал всегда попадает впределы выходной шкалы только какогото одного диапазона (значащего), так 10как в младших диапазонах он превышаетверхний предел, а в старших не достигает нижнего, Всего в предлагаемом -устройстве может быть, например, четыре рабочих диапазона: первьп 10,0100,0, второй 1,00 - 10,0, третий0,10 - 1,00 и четвертый 0,010,10 г/м ,Выходные аналоговые сигналы каж -дого из усилительных каскадов, несущие информацию о соответствии измеряемой концентрации пределам измерениясоответствующих диапазонов, с помощью...
Способ измерения концентрации носителей тока в полупроводнике
Номер патента: 275235
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G01R 35/00
Метки: концентрации, носителей, полупроводнике
...волны в образце /р при данном значении индукции внешнего поля В.Исследуемый полупроводниковьш образец4 помещают в скрещенные катушки: возбуж дения б (вход датчика) и индикации 6 (выход датчика) гелпконной волны. Образец вырезан из полупроводникового монокристалла в виде пластинки толщиной д с параллельными плоскостями, Другие размеры должны быть 25 много больше с/, а их конфигурация значительной роли не играет. Катушки выполнены на твердых каркасах и расположены так, что плоскости их сечения перпендикулярны плоскости образца и между собой. Это позволяет 30 избежать передачи паразитного сигнала от. Г. Карпас Тскред А, А. Камышникова Корректор Т. А. Уманец дак аказ 2888 т 7Ы 1 ИИПИ Компте Тираж 480 о делам изобретений и открытий при...
Предыдущий патент: Способ изготовления многослойных обечаек для сосудов высокого давления
Следующий патент: Аппарат для выращивания микроорганизмов
Случайный патент: Способ определения колебательного потенциала антенны