Способ моделирования сверхпроводящих экранов в постоянном магнитном поле
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 484530
Авторы: Прокофьева, Пылинина, Шахтарин
Текст
111) 484530 Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл, С 06 7/48 исоединением заявкпГосударственный комнта овета Министров СССР 23) Приор оллетець34 Опубликовано 15.09.7(53) УДК 681.333(088 о делам изобретений ткрытнй опубликования описания 22.01.76(72) Авторы изобретения хтарин, С. Н. Пылинина и 3. С. Прокофьева 71) Заявитель 54) СПОСОБ МОДЕЛИРОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ЭКРАНОВ В ПОСТОЯННОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕили Н . К, го 1 у,где Я - напряженн1 - плотность6 т, - лондоновсмагцц 1 цогС другой стороцьного поля и обы шод ющая завцсимос ость магнитного поля тока, ая гл поля бцца проникновения в сверхпрогодццк,переменного мапцтводшка имеется следля про, И -:. К, о 1, (2) Изобретение относится к области созданиясверхпроводниковых магнитных систем и может найти применение при проектированиикриоэлектромашиц, магнитов для мазеров, лабораторных магнитов для физических исследований и др.Известен способ моделирования сверхпроводящих экранов в постоянном магнитном поле, основанный на измерении характеристикполей другого типа при помещении в цих экранов, Изучение картины магнитного поля втакой системе, подбор размеров, формы ивзаимного расположения экранов требуетбольших затрат времени и материальных затрат в случае, если это изучение проводят ца 15сверхпроводящих моделях в жидком гелии,С целью упрощения операции моделирования экрана из немагнитного материала с высокой электропроводностью, аналогичные поформе сверхпроводящим, помещают в магнитцое поле высокой частоты,Существо предложения заключается в следующем.В переменное магнитное поле высокой частоты, создаваемое магнитом с обычной, на зпример, медной обмоткой, помещают экраныиз немагнитного, например из меди, материала с высокой электропроводностью. Измеряявеличину напряженности переменного магнитного поля в рабочем объеме, получают в от носительных едцшщах распределение напряженности магнитного поля в сверхпроводящих магнитных системах со сверхпроводящими экрацамц. Эксперимент можно проводить при любой, в частности прц комнатной, температуре, Форму ц размеры экранов из немагнцтцого материала с высокой электропроводностью при нормальной температуре можно легко изменять, добиваясь заданных параметров поля. Возможность такого моделирования поясняется следующим образом.Для сверхпроводшкков между напряженностью магнитно:о поля и плотностью тока су. ществует зависимость484530 Предмет изобретения Составитель Е. Тимохина Техред Т. КурилкоРедактор Т. Юрчикова Корректор Т. Гревцова Заказ 3205/17 Изд.1804 Тираж 679 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам. изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 45Типография, пр. Сапунова, 2 3Ьгде б - плотность тока,о - угловая частота,р - удельная проводимость,р - магнитная проницаемость,Н - напряженность магнитного поля,Уравнения (1) и (2) имеют один вид и, таким образом, распределение напряженности постоянного магнитного поля и плотности тока в сверхпроводнике может быть смоделировано распределением переменного магнитного поля и плотности тока в обычном проводнике.При этом способе моделирования его точность не зависит от расположения экранов,Способ моделирования сверхпроводящихэкранов в постоянном магнитном поле, основанный па измерении характеристик полей другого типа при помещении в них экранов, отличающийся тем, что, с целью упрощения операции моделирования, экраны из 10ннемагнитного материала с высокои электропроводностью, аналогичные по форме сверх- проводящим, помещают в высокочастотное магнитное поле.
СмотретьЗаявка
1880784, 06.02.1973
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6794
ШАХТАРИН ВАЛЕНТИН НИКОЛАЕВИЧ, ПЫЛИНИНА СВЕТЛАНА НИКОЛАЕВНА, ПРОКОФЬЕВА ЗОЯ СТЕПАНОВНА
МПК / Метки
МПК: G06G 7/48
Метки: магнитном, моделирования, поле, постоянном, сверхпроводящих, экранов
Опубликовано: 15.09.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-484530-sposob-modelirovaniya-sverkhprovodyashhikh-ehkranov-v-postoyannom-magnitnom-pole.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ моделирования сверхпроводящих экранов в постоянном магнитном поле</a>
Предыдущий патент: Логарифмический функциональный преобразователь
Следующий патент: Устройство для моделирования синхронного генератора
Случайный патент: Устройство для скрепления листовшихтованного сердечника статораэлектрической машины