Патенты с меткой «сверхпроводящих»

Номер патента: 1582828

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Желамский, Стариков

МПК: G01N 29/14

Метки: дефектности, магнитных, сверхпроводящих, систем

...заведении тока в свер магнитной системе при налич обусловленных механическим ми сверхпроводящей токонесу вод действием пондеромотор никают импульсные электрич жения. С другой сторон возникают импульсы акустичес1582828 Составитель А, Куренков .Редактор Т. Куркова Техред М.Моргентал Корректор Л. Пилипе Заказ 1973 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина,.101 После измерения интервалами времени между моментами появления импульсов электрических напряжений определяется наличие и местоположение дефекта с учетом формулы5Я=Сгде 3 - расстояние отточки приема сигналов акустической эмиссии...

Номер патента: 1830396

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Дозорцев, Ипатов, Рычагов, Сытников, Яшнов

МПК: C23C 18/38, C25D 15/00, C25D 5/50 ...

Метки: керамических, купратов, перовскитной, покрытий, сверхпроводящих, структурой, типа

...в течение 3,5 часа при пульсирующем перемешивании.Композиционное покрытие системы СоВ 1-Яг-Са-О сначала отжигали при 780 С на воздухе 48 ч,.а затем - в.кислороде при 850 С в течение 2 ч. Композиционное покрытие У-Ва-Сц-О отжигали 24 ч на воздухе при 950 С и в кислороде 8 ч при 900 С,П р и м е р 2, Для получения купратного покрытия УВагСиз 07-х электрохимическим методом на плоскую подложку из сплавасеребра с палладием (5 мас.оь) осаждали композиционное покрытие СизУо,г - окись бария - окись иттрия. Покрытие наносили из электролита, содержащего, г/л; сернокислая медь (водная) 120, сульфат аммония 60. сульфат натрия (водный) 60, этилендиамин 60, иттрийаммонийэтилендиаминтетраацетат 35, медненный порошок ВагУо,60 э,2 с размером частиц 1 мкм...

Номер патента: 1832135

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Горшков, Павлов, Романов, Царева

МПК: C23C 14/48

Метки: пленок, сверхпроводящих

...стимулируется воздействием упругих волн, сопровождающих ионное облучение, Уменьшение энергии ионов ниже 30 кэВ не позволяет получать упрочненный аморфный слой в сверхпроводящей пленке достаточной толщины. При увеличении энергии ионов выше 80 кэВ сверхпроводящие свойства пленок ухудшаются, что связано с значительным увеличением толщины аморфного несверхпроводящего слоя и вследствие этого уменьшением толщины сверхпроводящей пленки.1 Я 32135 Составитель О. ГоршковТехред М,Моргентал Корректор Н. Ревская Редактор Заказ 2604 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035,Москва.Ж-З 5, Раушская наб., 45 Производственно-издательский комбинат "Пвтент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 П р и м е р,...

Номер патента: 1342309

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Желамский

МПК: H01B 12/00, H01F 5/08, H01F 7/22 ...

Метки: возникновения, магнитных, места, нормальной, охлаждением, сверхпроводящих, систем, фазы, циркуляционным

...тока в магнит. Датчик 5 нормальной фазы предназначен для измерения напряжения нормальной фазы на обмотке магнита, Сигналы с датчика 5 нормальной фазы и с акустического приемника 1 подаются на измеритель б временных интервалов. Сигнал с акустического приемника 1 усиливается в необходимое число раэ усилителем 7,Устройство работает следующим образом,При появлении нормальной фазы сигнал с датчика Б запускает измеритель б, который останавливается сигналом с при. емника 1, усиленным а усилителе 7, В результате измеритель 6 показывает величину, пропорциональную расстоянию Способ определения места возникновения нормальной Фазы для сверхпроводящих магнитных систем с циркуляционным Охлаждением, основанный на регистрации электрического...

Номер патента: 1515789

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Космына, Машков, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

...отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составляет 0.16. а для предлагаемого способа 0.9.Параметры монокриствллов 40 45 50 УВаэ хЗгСоэОт-д.НоВаэ.хЗгСцзОт-д оптимальны (температура сверхпроводящего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены беэ дополнительной термообработки. Ширина сверхпроводящего переРазмеры монокристаллов составляют0,7 х 0,7 х 0,6 мм, вдоль направления оси с размер составляет 0,6 мм, отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а составляет 0,86.П р и м е р 3, Выращивание монокристаллов 08 аг-хЗгхСозОт-д.8 платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные ве щества в количестве, г: б 20 з 53,15; ВаСОз96,94; ЗгСОз 21,66: СцО 78,25; что соответствует...

Номер патента: 1522792

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Машков, Некрасов, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

..."РИФ", Нагревают со скоростью 80 С/ч до 1280 С, при этом шихтурасплавляют и расплав выдерживают 10 чдля полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 3 С/ч до 1140 С и далееохлаждают со скоростью100 С/ч до комнатной температуры. Монокристаллы отделяют от застывшего расплава механическимпутем. Размеры монокристаллов 0,7 х 0,7 хх 0,3 мм, 2,3 х 2,3 х 0,4 мм. Выход монокристаллов составляет 7,6/ что намного превосходит выход кристаллов поспособу-прототипу ( 1 ).П р и м е р 3. Выращивание монокристаллов Мб Ва 2 Сц 07 - д.В платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г; Кб 20 з 39,08; ВаСОз99,28; СцО 61,64, что соответствуетс оста ву, м ол, /,: 75 М б В а 2 С оз 07-4,25 (0,5 ВаО - СцО).Тигель...

Номер патента: 1612820

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Акопян, Батаков, Дедюрин, Костенко

МПК: H01B 12/00

Метки: импульсных, магнитных, обмоточный, охлаждением, провод, сверхпроводниковый, сверхпроводящих, систем, циркуляционным

1. СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ ОБМОТОЧНЫЙ ПРОВОД С ЦИРКУЛЯЦИОННЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ ДЛЯ ИМПУЛЬСНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МАГНИТНЫХ СИСТЕМ, содержащий скрученные сверхпроводниковые многоволоконные проволоки, размещенные в герметичном корпусе из нержавеющей стали или алюминиевого сплава, отличающийся тем, что, с целью уменьшения затрат на охлаждение и повышения эксплуатационной надежности путем реализации возможности обнаружения локальных тепловых возмущений в проводе, по продольной оси провода выполнен сквозной канал, сверхпроводниковые многоволоконные проволоки размещены в пространстве между стенками канала и герметичным корпусом, а внутри канала размещены по крайней мере два световода.2. Провод по п.1, отличающийся тем, что стенки канала выполнены...

Номер патента: 1800858

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Шибанова, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02, C30B 9/12 ...

Метки: yba2cu3o7, высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводящих

...Тс. 90 К,ЬТс Я 0,5 К) без удорожания процесса(т,е. без замены корундовых тиглей на платиновые);Цель достигается тем, что в известном способе получения монокристаллов УВагСцз 07- д включающем расплавление смеси оксида иттрия( П), меди(П) и бария(П) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1-4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и отжиг в атмосфере кислорода, последний проводится при давлении 3-4 атм,Нижний предел давления кислорода при отжиге определяет минимальное давление кислорода, позволяющее насытить монокристалл кислородом до оптимальной концентрации в температурных и временных условиях, укаэанных в прототипе. Верхний предел интервала давлений определяется...

Номер патента: 1792186

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Воронков, Комаров, Мелехин, Нигматулин, Новиков, Пегов

МПК: H01B 12/00

Метки: оксидных, сверхпроводящих, соединений

...реализуется в устройстве, пред ставленном на чертеже,Устройство состоит из медной водоохлаждаемой плиты 1, в которой выполнены канавки различной конфигурации 2, плита снабжена механизмом перемещения ее го-35 ризонтально с регулируемой скоростью (насхеме не показан). Сверху плиты находится медный водоохлаждаемый валик 3 со свободной посадкой на валу, существует возможность регулируемого упругого поджима 40 валика к плите. Над плитой находится медный водоохлаждаемый блок 4 в котором на плоскости наклоненной относительно поверхности плиты находится лунка-тиГель 5 для размещения расплава и канал 6 для45 подачи шихты.П р и м е р 1, Исходные химическичистые окислы В 120 з, ЗгСОз, СаСОз и СцО взятые в пропорции, обеспечивающей...

Номер патента: 1823732

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Скутин, Сычев, Тихомиров, Югай

МПК: H01L 39/24

Метки: y-ba-cu-o, высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих, травления

...на фиг.3 - зависимость среднего числа молекул Н 20 в кластере воды от давленияар воды Рно; на фиг.4 - завсоссреднего числа молекул воды и в кластереНС пН 20; на фиг,5 - зависимость скороститравления от парциального давления кластеров воды РнотоРеакционная камера 1 представляет собой вакуумированный насосом 2 сосуд, в15 которем помещается стравливаемая пленка У-Ва-Си-О 3, напыленная на подложкуиэ ЯгТОз или сапфир, Реакционная камера1 изготавливается иэ материала химическинейтрального к хлористому водороду (молибденовое стекло, кварц, полимер и др,).В начале эксперимента в предварительно откаченную камеру 1 напускают парыводы из емкости 4 до получения давленияРн,о =7 - 11 Торр, что при температуре 17 Ссоставляет (0,5-0,7)Рнонасы,ц....

Номер патента: 1829818

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Григорашвили, Сотников, Фомин

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих

...узла на расстояние свыше 8 200 пленка обладает плохими свойствам, ввиду малой толщины и снижения эффективности использования распылительного материала, а также нестабильности работы распылительного устройства.На чертеже показано устройство для осуществления способа получения ВТСП- пленок; 1 - подложки; 2 - нагреватель; 3 - мишень; 4, - область разряда; 5 - вакуумная камера.П р и м е р 1, В качестве распылительного узла используют систему встречно размещенных магнетронов. Подложки Ег 02 или ЗгТОз диаметром до 30 мм в количестве 10 шт, нагревают до 700 С и зажигают разряд. Выходные отверстия системы напуска аргона и кислорода, нагреватель 2 подложки и входное отверстие вакуумной откачной системы, размещают на оси симметрии...

Номер патента: 1827089

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Аксенов, Олейников, Пектемиров, Писарев, Рогозин

МПК: B23K 20/08

Метки: внутренней, полостью, сверхпроводящих

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ИЗДЕЛИЙ С ВНУТРЕННЕЙ ПОЛОСТЬЮ сваркой взрывом, при котором устанавливают соосно трубчатый полостеобразующий элемент с удаляемым наполнителем и трубчатую облицовку, в зазор между ними засыпают порошок сверхпроводящего материала и инициируют наружный заряд взрывчатого вещества, отличающийся тем, что, с целью исключения повреждения поверхности трубчатой облицовки и повышения качества слоя из сверхпроводящего материала, между зарядом взрывчатого вещества и трубчатой облицовкой соосно размещают защитную трубчатую прослойку, между ней и трубчатой облицовкой в зазор засыпают тонкодисперсный керамический порошок, берут взрывчатое вещество со скоростью детонации 1580 - 3800 м/с, а процесс ведут при отношении...

Номер патента: 1715152

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Кукуев, Попов, Харламов

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: пленок, сверхпроводящих

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК, заключающийся в плазменном напылении в инертной газовой среде порошкового материала YBa2Cu3O7 на разогретую подложку с последующей ее термообработкой в кислорде и охлаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок путем уменьшения количества пор, величину гранул порошкового материала выбирают в пределах 80 - 150 мкм, напыление производят до толщины пленки 10 - 1000 мкм, при этом в зону образования пленки подают кислород, после чего в течение 2 ч производят нагревание пленки до 945 - 955oС с постоянной скоростью, выдерживают при этой температуре в течение 2,5 - 3,0 ч, а затем постепенно охлаждают в течение 4 ч.

Номер патента: 1732572

Опубликовано: 20.06.1997

Авторы: Писарев, Рогозин

МПК: B23K 20/08

Метки: взрывом, внутренней, полостью, сваркой, сверхпроводящих

Способ получения сверхпроводящих изделий с внутренней полостью сваркой взрывом, при котором устанавливают соосно трубчатый полостеобразующий элемент с удаляемым наполнителем и наружную оболочку, в зазор между ними засыпают порошок сверхпроводящего материала и инициируют заряд взрывчатого вещества, расположенный на наружной оболочке, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности трубчатого полостеобразующего элемента, между его наружной поверхностью и слоем порошка помещают металлическую трубчатую упрочняющую прослойку из высокоэлектропроводного металла с внутренним диаметром, на 2 4 мм большим наружного диаметра полостеобразующего элемента, при этом берут взрывчатое вещество со скоростью детонации, равной 2400 3520 м/с, а процесс...

Номер патента: 1783940

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Булышев, Иванов, Парфенов, Серых, Шнейдер

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, покрытий, сверхпроводящих

Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий на подложках из поликристаллической окиси алюминия, включающий приготовление суспензии из YBa2Cu3O7, формирование покрытия и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров, перед формированием покрытия формируют промежуточный слой путем нанесения суспензии на подложку и термообработки при 1100 - 1200oС в течение 5 - 20 мин с последующей закалкой при комнатной температуре.

Номер патента: 1637216

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Баргон, Журавлев, Кощеева, Розенталь, Середа, Фотиев

МПК: C01G 1/00

Метки: медьсодержащих, оксидных, сверхпроводящих, соединений

Способ получения медьсодержащих оксидных сверхпроводящих соединений, включающий соосаждение гидроксидов соответствующих металлов из растворов их солей и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода и чистоты целевого продукта, предварительно соосаждают гидроксиды меди и редкоземельных элементов, полученный осадок взмучивают в растворе гидроксида бария или смеси гидроксидов бария и другого щелочноземельного элемента с одновременной отгонкой воды при гидродинамическом числе Пекле 0,25-0,45 и давлении 0,03-1,0 атм.

Номер патента: 1792185

Опубликовано: 27.05.2004

Авторы: Алексеев, Кузьмин, Позигун, Рылов, Струнников, Шишков

МПК: H01B 12/00

Метки: металлооксидных, модификации, сверхпроводящих, соединений

1. Способ модификации изделий из сверхпроводящих металлооксидных соединений, при котором изделие помещают в вакуумную камеру и обрабатывают его поверхность плазмой при температурах, не превышающих к нагреву изделия более 400 К, отличающийся тем, что, с целью повышения сверхпроводящих свойств путем улучшения стехиометричности и образования в поверхностном слое новых фаз с повышенной температурой перехода в сверхпроводящее состояние, а также ускорения процесса модификации, изделие обрабатывают в серии импульсов плазмы, в которой плотность частиц не менее 1020 м-3, а плотность мощности (Вт/см2) в каждом импульсе превышает величину, задаваемую формулой