Венгалис

Номер патента: 1675809

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Венгалис, Лауринавичюс, Янкаускас

МПК: G01R 33/035

Метки: бесконтактного, магнитных, образцов, параметров, переходе, сверхпроводящих, фазовом, электрических

...диэлектрической пластины 13,Для описанной последовательно цепи 1 Сй полное ее сопротивлениеЖ Я сь Х(. - Хс),где Хь:-э а(;О 20 зывает изменение магнитной восприимчивости сверхпроводника при фазовом переходе. 30 35 40 50 5 Хс = 1/ ГХС - реактивные сопротивления контура,при резонансе максимально, а ток в цепи и (-(ап(ряжение на реактивных элементах - максимальны. Максимальный ток цепи, напряжение на конденсаторе Ос в последовательном контуре, если вносимое развязывающим трансформатором 6 сопротивление мало, ограничивать сопротивление потерь контура, Изменение напряжения на конденсаторе 7 в условиях фазового перехода определяется потерями измеряемого обьекта(катушки 3 индуктивности с исследуемым сверхпроводящим образцом 14), а изменение...

Номер патента: 940025

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Валацка, Венгалис, Лидейкис

МПК: G01N 25/02

Метки: превращений, температур, фазовых

...пластинами до образования теплового контакта меж ду образцом и пластинами. К образцу прижимают слой термопары 2. Корпус помещают в печь и, нагревая, либо охлаждая его, измеряют ЭДС между внешними контактами полупроводниковых пластин. При медленном нагревании, либо охлаждении температуры образца и полупроводниковых пластин практически одинаковы и градиент температуры в них отсутствует, вследствие чего ЭДС на выходе равна нулю, В момент фазового превращения в образце выделяется, 30 либо поглощается теплота превращения, которая приводит к появлению разницы температур между внутренними и внешними сторонами полупроводниковых пластин и возникновению в них объемной термо-ЭДС, Поскольку в полупроводниках различного з 5 типа проводимости объемные...