Способ получения тонкодисперсных порошков сверхпроводящих нитридов

СООЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНРЕСПУБЛИН 19) ИИ Е ИЗОБРЕТЕН ВИДЕТВЛЬСТВ о т лв качезуют т 2, Способ по и, щ и й с я тем, цт ридов металлов исп рид титана или тет чаюве хлорахлонадия. я к полуценив нитридовверхпроводящи стен также способ попуц сперсных порошков нитри отированием порошка тит плазмы ВЧ-разряда, способ также не позвол ь нитриды с высокими кр мпературами и магнитным нияа тина в Изв тонкод тана а потоке Этоние относсных поро бладающих е получи кими т цеспо к изобретению чения тонкодисрхпроводящих нитрида титана,лением тетрахлоазотной плазмы ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЧНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Ждановский А,А;,. Лакошский В,И,О возможности получения тугоплавкихметаллов в низкотемпературной плазме.Порошковая металлургия, 1970,Грабис Я,П, Миллер Т,Н Хендеманс Г,М., Райцис Н.Б. Взаимодействие титана с азотом в факеле высоко"частотного разряда, сб, "Плазмохимия71", М 1971.Троцкий В,Н Айвазов .М,И., Кузнецов В,М., Корягин В,С, Использование сверхвысокоцастотного раЗрядадля получения порошка нитрида титана,Порошковая металлургия, 1972,Изобрете итс Ю, тонкодиспер шкометаллов, о с мсвойствами,Известен способ получения тонкодисперсных порошков нитридов переходных металлов, например нитрида тита"на, азотированием порошка титана впотоке плазмы злектродугового разря"да постоянного тока,Известный способ не позволяетполучать нитриды с высокими критическими температурами и магнитными по"лями,2 (54)(57) 1. СПОСОБ П ДИСПЕРСНЫХ ПОРОШКОВ НИТРИДОВ, включающий становление и аэотир металлов в потоке ни плазмы, о т л и ч а цто, с целью увелице магнитного поля и по туры перехода нитрид дящее состояние, вос аэотирование ведут и переменного электром частотой 1000-5000 м 10 -1 Ос,лями,Наиболее близкимявляется способ полуперсных порошков свнитридов, напримерводородным восстанорида титана в поток ЛУЧЕНИЯ ТОНКОВЕРХПРОВОДЯЦИХ водородное восвание хлоридов котемпературной щ и й с я тем, ия критического ышения темпера- в в сверхпровотановление и и воздействии гнитного поля ц в течение569105 Редактор Е, Курасова Техред А. Кравчук КорректорС,шекмар заказ 787 . Тираж ПодписноеБНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина, 101 звыделенной из СВЧ-разряда. Полученный нитрид титана представляет собойкристаллы кубической формы, среднийразмер около 500 А, содержание Т 1 И0,98-0,99, Критическая температура54,85 К.Данный способ не позволяет получать нитриды с высокими критическими температурами и магнитйыми 1 Ополями,Цель изобретения - увеличение критического магнитного поля и повышение температуры перехода нитридовв сверхпроводящее состояние, 15С этой целью восстановление и азотирование хлоридов металлов ведутпри воздействии переменного электро"магнитного поля частото"ц 10005000 мГц в течение 1 О -10 с, При 20этом в качестве хлоридов металловиспользуют.тетрахлорид титана илитетрахлорид ванадия,Предлагаемый способ позволяетполучить нитрид титана с критической температурой 5,5 К, нитрид ванадия с критической температурой8,8 К,П р и м е р 1, В поток с расходом 2 кг/ч азотной плазмы СВЧ-раз- . 30яда средней мощностью 2,5 кВт вводят 30 г/ч тетрахлорида титана и 45 г/ч водорода.На реагирующую систему (титан- хлор-водород-азот) накладывают элек тромагнитное поле частотой 2375 мГц и средней мощностью 2,5 кВт, За время пребывания в зоне действия поля около 10с получают нитрид титана со средним размером частиц 300- 500 А. Критическая температура нитрида титана 5,5 К, критическое магнитное поле 4,5 кЭ против 4,85 К и 0,5 кЭ длянитрида титана, получен-, ного беэ воздействия поля.П р и м е р 2. В поток с расходом 2 кг/ч азотной плазмы СВЧ-разряда средней мощностью 2,5 кВт вводят 25 г/ч тетрахлорида ванадия и 45 г/ч водорода, На реагирующую систему (ванадий-хлор-водород-азот) накладывают электромагнитное поле частотой 2375 мГц и средней мощностью 2,5 кВт. Яа время пребывания в зоне действия поля около 10 с. получают нитрид ванадия со средним размером частиц около 500 А. Критическая температура нитрида ванадия 8,8 К, критичес" кое магнитное поле 145 кЭ против 7,9 К и 95 кЭ для нитрида ванадия, полученного беэ возДействия поля,