Интерферометр сверхпроводящих токов

Номер патента: 142821

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Контарев

МПК: G11C 11/44

Метки: запоминающая, пленкой, сверхпроводящей, цилиндрической, ячейка

...4 (из того же сверхпроводящего металла, что и пленка) с намотанной на нем обмоткой считывания 5. При отсутствии тока в считывающей обмотке центральный провод 4 будет находиться в поле либо +Н либо Н,. Абсолютная величина этого поля недостаточна, чтобы разрушить сверхпроводимость центрального провода 4. При считывании в обмотку считывания 5 (зажимы б) поступает импульс тока, который создает магнитное поле (Н,), совпадающее по направлению с + Н. Величина Н, выбирается из условия:Н,1) й.0 - (- Н.Н,. - критическое значение напряженности магнитного поля дляериала центрального провода 4, при котором материал теряет ство сверхпроводимости.142821 л.с;. Таким образом, ЛйСчитруании 1 сверхпроводимость центрального провода будет,.11 азп 1...

Номер патента: 717926

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Быковский, Дудоладов, Кобыляков, Козленков, Лощинин, Миронос, Шаповалов

МПК: C23C 14/28

Метки: двухслойных, основе, пленок, сверхтонких, сплошных, структур

...с и в существенно неравновесных условиях. Пересыщения, развивающиеся при этом, настолько велики, что эффективные размеры устойчивого зародыша должны быть меньше атомных размеров, т.е. рост пленки происходит сразу сплошным слоем. Подавление процессов миграции во время сверхбыстрого осаждения тонких слоев является причиной образования сплошных сверхтонких пленок при испарении вещества импульсным ОКГ. Режим работы импульсного ОКГ при этом не имеет решающего значения, Дальнейшее поведение осажденной пленки зависит от ее толщины с;, температуры подложки 1 з, в еличины пер е грев а ь 1 пленки в момент осаждения, адгезии пленки к подложке, степени соответствия параметморфологическая релаксация первоначально сплошной пленки в дискретную. Время...

Номер патента: 1639364

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борзенко, Вдовин, Касумов, Кислов, Кононенко, Кудряшов, Матвеев

МПК: H01L 39/24

Метки: планарная, сверхпроводящая, структура

Сверхпроводящая планарная структура, содержащая две сверхпроводящие пленки, разделенные субмикронным зазором и расположенные на проводящей подложке, отличающаяся тем, что, с целью увеличения критической плотности тока при большой ширине зазора, подложка выполнена или из массивных кристаллов или из кристаллической пленки сплава висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат.%:Sb - 10-5 - 23Bi - Остальное

Номер патента: 423071

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Берюл, Зильберштейн, Рум, Рыжков

МПК: G01R 33/00

Метки: аксиальным, внешнего, возбуждением, магнитного, напряженности, поля, постоянного, синхронной, токов

...На фиг. 1 показаны зависимости напряженности постоянного внешнего магнитного поля Н от тока якоря при работе машины в режиме нагрузки (кривая а) и от тока возбуждения К,а прп неподвижной машине с обесто ченным якорем (кривая б) для одной и тойже точки пространства. Зависимости показаны с учетом влияния гистерезиса стали магннтопровода. Штриховыми линиями со стрелками показано определение тока возбуждения для 25 остановленной машины с обесточенным якорем, соответствующего току нагрузки из усло.лия равенства напряженностей постоянного внешнего мапппного поля,На фиг. 2 дана характеристика соответствия 30 тока возбуждения ьо неподвижной машиныс обесточенным якорем режимам нагрузки машины с током якоря по условию равенства напряженностей...

Номер патента: 1646481

Опубликовано: 30.06.1992

Автор: Соколов

МПК: H05H 9/00

Метки: сверхпроводящая, структура, ускоряющая

...1 ис автономными гелиевыми ваннами 3, отделенными друг отЪдруга зазорами между боковыми радиальными стенками 4 и размещена в вакуумном контейнере 5. 2 ил,На фиг.2 показан верхний секторданной ВЧ-структуры, состоящей из рабочей стенки 7 двух боковых ради" Б .альных плоскостей В с элементамиконцевых пролетных трубок 9 и узла- а ,ми 10 регулировки и фиксации величины радиальных зазоров при сборке, на" ружной обечайки 1 1 и торцевых кры век 12,Ка рабочем Е-типе колебаний вы- Оф сокочястотный ток течет лишь в осевом направлении и радиальные зазоры между секторами не вызывают дополнительных потерь ВЧ-мощности. Сверх- проводящая ВЧ-структура, состоящая иэ двух секторов, может быть использована для стабилизации плоскости по" ффффф...