Почежерцев

Номер патента: 1247730

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Почежерцев, Пузанов, Пяткова

МПК: G01N 23/203

Метки: взаимной, гетероэпитаксиальной, кристаллических, ориентации, пленки, подложки, решеток

...рассеяние 5 на большой угол ядрами атомов одного сорта. Чем выше энергия, тем ближе к поверхности произошел акт рассеяния, Разрешение по глубине определяется энергетическим разрешением спектрометрической системы, тормозной способностью вещества мишени и геометрией рассеяния. При энергии ионов 0,5 МэВ/нуклон для большинства веществ легко достижимо разрешение по 15 глубине 0,01 мкм. Имея в наличии совокупность спектров обратнорассеянных ионов, измеренных при различных углах 6 между направлением регистрации и кристаллографическим направле нием, строят зависимость х(9) для выбранного интервала глубин рассеяния (= сопят).Такая зависимость для образца 1 пР/СаАз имеет вид, показанный на 25 фиг,3. Значение угла 8, при котором . х(В) = х ,...