Способ обработки подложки из ситалла

4 (51) С 3 С 1706 ГОСЗЩЮфСТНЕННЫЙ НОМИТ 3 Т 0003 ф па ли асайнОЗУщ 6 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ(71) Иркутский государственный университет им, А.А.Жданова и Иркутский завод радиоприемников им.50-летия СССР(56) 1,Авторское свидетельство ССС Р 626060, кл. С ОЗ С 17/06, 1977 е2,Суйковская Н.В, Химические ме, тоды получения тонких прозрачных пленок. Л "Химия", 1971, с.34.(54) (57) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИИЗ СИТАЛЛА, перед вакуумным напылением тонких пленок путем термообработки, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью увеличения сил адгезиЬАоннай связи пленок с поверхностьюснталла одну сторону подложки наЭ6гревают до 220-250 С в течение 1 О 5 мии охлаждая одновременно другуюдля создания градиента температур4 5 .10 ф град/и, затем подложку охлаждают на воздухе до комнатной тем-пературы,13578 Изобретение относится к микроэлектронике.н может найти применение при подготовке ситалла, используемого в качестве диэлектрических подложек при нанесении тонких пленок (не более нескольких тысяч ангстрем) материалов в процессе изготовления микросхем.Известен способ очистки подложек перед напылением, включающий хими О ческую обработку с неоднократным кипячением в дистиллированной водеДля окончательного удаления молекул воды адсорбционных газов применяют вакуумный прогрев при 200-300 С в 1" течение 2-3 мин, Одновременно с прогревом осуществляют очистку подложки в тлеющем разряде 01 .Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигае р мому результату является способ обработки подложек из стекол и стекло" кристаллических материалов путем термообработки при 200-300 С 23.Недостатком известных способов 23 является довольно низкая адгезионная связь нанесенной пленки с по-. верхностью.Подложки (1-3 н/м). Кроме того, поверхность материалов, обработанных таким образом, мажет . щ загрязниться и содержать своеобразные налеты, чта крайне нежелательно . при нанесении тонких пленок методом вакуумного распыпения, Указанньв 1 способ в основном может быть исполь- З зован для увеличения адгезии при склеивании силикатньх материалов или для пайки металлизированных диэлектриков пленок порядка несколь ких микрон, полученных методом . р осаждения. Для пленок порядка несколь-, ких тысяч ангстрем известный способ не пригоденЦелью изобретения являетсй увеличение, сил адгезионнай связи пленок с поверхноствю ситалла. Наставленная цель достигается тем, что согласна способу обработки подложки из ситалла перед вакуумным у напылением тонких пленок путем термообработки, одну сторону подложки нагревают.до 220-250 С в течение 10-15 мин, охлаждая одновременно другую для создания градиента температур 4-5 10 град/м, затем подложку охлаждают на воздухе до комнатнойтемпературы; 3Предлагаемую обработку производятна воздухе в специальном устройстве,отделенном от напыляемой камеры,Обработка увеличивает электрическуюактивность подложек, а такое активи.рованное состояние подложек сохраняется .скопь угодно долго.Предлагаемый, способ обработкине искЛючает, а дополняет соответствующие термические способы обработки подложек во время нанесениятонких пленок. Существуощие технологические режимы нанесения тонкихспленок для обработанных подложекмогут в принципе оставаться безизменения. В этом случае дополнительно увеличиваются силы адгезионной связи пленки с поверхностью. Особенно это важно для вторичных слоев,т,е. когда на напыленную тонкуюпленку, находящуюся на подложке,наносят второй слой пленки, обычнодругого материала( например, в технологии ннтегральньх микросхем;иа резистивный слой - проводящиеслои),П р и м е р 1, Перед нагрева- .нием образца на контрольном образце устанавливают термический режимнагрева: температура поверхностинодложки 220 С и огай Т 4-10 град/м.Сила адгеэионной связи для пленокхрома, нанесенных на предварительнотермообработанные подложки ситалла,увеличилась с 1-3 до 6,510 н/ьР всравнении с известным способом.Ниже указанных режймов уменьшаетсяэлектрическая активность ситаллов,П р и и е р 2, Перед нагрева-,нием образца устанавливают терми-ческий режим: температураповерх".;ности 250 С и огай Т=5 10 град/м,Сила адгезионной связи проводящегосплава БрНИ.То , нанесенного нарезистивные слои из сплава РС,возрастает для термообработанныхподложек ситалла в 1,5-2 раза (от3-5 10 до 8,5 10 и/м). При болеевысоких термических режимах и времени нагрева на нагреваемой поверхности ситапла появляются микрообразования в вице своеобразных наростов.Высота их может достигать несколькихдесятков (а иногда и сотен) нанометров, а их размеры нескольких сотеннанометров. Это приводит к увеличению шероховатости поверхности подложки. При выбранных режимах терСоставитель Г. Буровцева Техред О. Веце ,Корректор, Л. Пилипенко Редактор Н,Даугав и Заказ 0237/5 . Тираа 457 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий3035Иосква,. 3-35Раущская наб., д.4/5филиал ППП "Патент".г,уагород, ул,Проектная, 4 3 35728, 4мообработки раэмерымикрообраэоваини , чить силу адгеэионной связи тонких не превышаютраэмеры микронеровиостей пленок, нанесенных на снталловую полированной поверхности ситаллов, подлонку, что увеличивает выходПо сравнению с известным спосо= годной продукции и повышает их долбом, предлагаемый позволяет увели- .говечность.