Формирователь сигнала напряжения смещения подложки для интегральных схем

СВОЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК А С 11 40 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИДЕТ ЕЛЬСТВ Н АВТОРСКО ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИ(54) (57) ФОРМИРОВАТЕЛЬ СИГНАЛА НАПРЯЖЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержащий первый конденсатор, первый и второй ключевые транзисторы, одна обкладка первого конденсатора подключена к первой входной шине, другая соединена со стоком, затвором первого и истоком второго ключевых транзисторов, исток первого ключевого транзистора соединен с общей шиной, сток второго ключевого транзистора соединен с выходной шиной, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности форми,ЯО 1149311 рователя, он содержит триггер: выполненныи на первом и втором транзисторах, пороговые транзисторы, нагрузочный транзистор, второй, третий и четвертый конденсаторы, причем истоки первого и второго транзисторов триггера соединены с истоками пороговых транзисторов и с выходной шиной формирователя, затвор первого и сток второго транзисторов триггера соединены со стоком на.грузочного транзистора, одной из обкладок третьего конденсатора и затвором второго ключевого транзистора, затвор второго и сток первого транзисторов триггера соединены с одними обкладками второго и четвертого конденсаторов, с затвором и истоком одного порогового транзистора, другие обгфс кладки второго, третьего и четвертого конденсаторов подключены соответственно к первой, второй и третьей входным шинам, затвор нагрузочного транзистора соединен с третьей входной шиной, затвор и исток дру- С гого порогового транзистора соединены с истоком нагрузочного транзистора.Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при конструировании интегральных схем на МДП- транзисторах. Цель изобретения - повышение надежности формирователя.На фиг. 1 приведена принципиальная схема формирователя сигнала напряжения смещения подложки; на фиг. 2 - временная диаграмма входных сигналов. Формирователь сигнала напряжения смещения подложки для интегральных схем содержит первый конденсатор 1, первый ключевой транзистор 2, второй ключевой транзистор 3, триггер на транзисторах 4 и 5, пороговые транзисторы 6 и 7, нагрузочный транзистор 8, второй, третий и четвертый конденсаторы 9 - 11, Первая обкладка конденсатора 1 подключена к первой входной шине 12, вторая соединена со стоком и затвором первого ключевого транзистора 2 и истоком второго ключевого транзистора 3, исток транзистора 2 соединен с общей шиной 13, сток транзистора 3 соединен с истоком транзисторов 4 и 5 триггера, истоками пороговых транзисторов 6 и 7 и выходной шиной 14, затвор первого транзистора триггера 4 соединен со стоком транзистора 5, стоком нагрузочного транзистора 8, одной обкладкой третьего конденсатора 10 и с затвором второго ключевого транзистора 3, затвор второго транзистора триггера 5 соединен со стоком первого транзистора триггера 4 одними обкладками второго и четвертого конденсаторов 9 и 11, затвором и стоком одного порогового транзистора 7, другие обкладки второго 9, третьего 10 и четвертого 11 конденсаторов подключены соответственно к первой 12, второй 15 и третьей 16 входным шинам, затвор погрузочного транзистора 8 соединен с третьей входной шиной 16, затвор и сток другого порогового ф транзистора 6 соединен с истоком нагрузочного транзистора 8,Формирователь сигнала напряжения смещения подложки работает при подаче последовательности импульсов напряжения одинаковой частоты на входные шины 12, 15, 16 с временными соотношениями, указанными на фиг. 2. Начала фронтов на первой и второй входных шинах 12 и 15 совпадают, фазы противоположны.Импульс на третьей входной шине 16 опережает импульс на первой входной шине 2 на время 1, равное 0,25 - 0,1 от периода следования импульсов.Импульсы должны иметь амплитуду, превышающую по крайней мере в 1,5 - 2 раза пороговое напряжение МДП-транзистора. 5 10 5 20 25 30 35 40 45 50 55 К началу положительного фронта импульса на первой входной шине 12 затвор транзистора 3 через транзисторы 6 и 8 разряжен до потенциала выходной шины 14 плюс величина порогового напряжения, транзистор 3 практически закрыт.Во время положительного полупериода импульса на шине 12 конденсатор 1 заряжается до напряжения, равного амплитуде импульса на шине 12 за вычетом величины порогового напряжения,. Отрицательный фронт импульса на второй входной шине 15 передается через конденсатор 10 на затворы транзисторов 3 и 4, обеспечивая надежное запирание этих транзисторов.Положительный фронт импульса на шине 12 передается через конденсатор 9 на затвор транзистора 5.Транзистор 5 удерживается в открытом состоянии так, что падение напряжения между стоком и истоком транзистора 5 существенно меньше напряжения открывания р-и-перехода (стоковая область транзистора 5 - подложка), инжектирование носителей не происходит. Это обеспечивается тем, что в то время, когда через транзистор 5 протекает максимальный ток, а он максимален во время отрицательного фронта импульса на шине 15, напряжение на затворе транзистора 5 также максимально, так при положительном фронте импульса на входе 12 почти вся амплитуда входного импульса передается на затвор транзистора 5.К моменту прихода отрицательного фронта на вход 16 затвор транзистора 5 уже разряжен через транзистор 7 до напряжения выходной шины 14 плюс пороговое напряжение МДП-транзистора, Отрицательным фронтом импульса на входе 16 через конденсатор 11 транзистор 5 надежно закрывается.Положительный фронт импульса на входе 15 почти полностью передается на затворы транзисторов 3 и 4, так как транзистор 5 к этому времени закрыт, а транзистор 8 либо также закрыт, либо открыт небольшим напряжением.Высокое напряжение на затворах транзисторов 3 и 4 сохраняется до прихода положительного фронта на входную шину 16, после чего затворы разряжаются через транзисторы 6 и 8 до потенциала выходной шины плюс пороговое напряжение МДП- транзистора.Во время отрицательного пол упериода импульса на первой входной шине 12 заряд с конденсатора 1 через открытый транзистор 3 передается на выходную шину 14, Затвор транзистора 5 в это время через открытый транзистор 4 подключен к выходной шине. Проводимости транзисторов 3 и 4 выбираются таким образом, чтобы напряже1149311 Составитель В. Теленков Редактор С. Патрушева Техред И. Верес Корректор О. Тигор Заказ907/37 Тираж 584 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и от крытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4ние между стоком и истоком транзисторов 3 и 4 не превышало напряжение открывания прямосмещенного р-п-перехода, так что и в этом случае неосновные носители не будут инжектироваться в подложку. Таким образом, предлагаемый формирователь сигнала напряжения смещения подложки не инжектирует неосновные носители при любых значениях порогового напряжения МДП-транзисторов.