Патенты с меткой «фторида»

Номер патента: 1798394

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Икрами, Парамзин, Халимов

МПК: C30B 13/00, C30B 29/12

Метки: кальция, кристаллического, фторида

...жеемния. 1 ил. 2 табл.1798394 3рости выше 80 мм/ч - эффективность очистки уменьшается,Поскольку существенные отличия, аименно; скорость протяжки 8-80 мм/ч череззоны плавления больше одной, температурный градиент между которыми 80100 С/см, а вакуум 10 -10 мм рт,ст. визвестных решениях не обнаружены,П р и м е р. В тигель, предназначенныйдля зонной плавки. помещали фторид кальция, полученный по известному способу, Горизонтальную перекристаллизацию.производили в печи СГВВ.100.250/22 ИТ. Градиент температур между зонами составлял 80-100 С/см относительной 15ширины зоны нагрева 10-25 мм, расстояниемеждч зонами составляло 80 мм, В зоненагрева создавали вакуум 10 мм рт,ст. и-5температура плавления 1480"С, тигель протягивали через 6 зон...

Номер патента: 1801948

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Махамбетов, Молдабеков, Шапиро

МПК: C01F 11/22

Метки: кальция, фторида

...количеств фтористых соедине ний приводит к увеличению содержания С) примесей диоксида кремния и сульфата и кальция в продукте. 0 Верхнии предел по норме сме да и кремнефторида аммония 120 кг фосфогипса выбран в связи с применение больших количеств ф реагентов приводит к значительно чению времени термообработки и повышению энергозатрат. Двустадийная термообработ няется в связи с тем, что при однос термообработке для достижения бретения требуется значительно нормы фторида и кремнефторида1801948 должение таблицы Нижний предел по температуре первой стадии термообработки 150 С выбран потому, что термообработка при более низких температурах резко замедляет реакции образования кремнефторида аммония и взаимодействия последнего с сульфатом...

Номер патента: 1817855

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Гасанов, Зверев, Ким, Малько, Хотамов

МПК: G01T 1/11

Метки: дозиметрического, магния, основе, термолюминесцентного, фторида, элемента

...формы и охлаждают до температуры впомещении.Доэиметрические характеристики изготовленного элемента совпадают в пределахпогрешностей измерений с характеристиками, приведенными на фиг.2.П р и м е р 3. Порцию 4,25 мг перманганата калия растворяют в 2 мл дистиллированной воды и пропитывают этимрастворам порцию 6 г порошка фтаридамагния квалификации "химически чистый".Высушивают полученную смесь (в которойрасчетное соотношение СмпСмдг 2 = 2,510000)и перемешивают. После этого загружаютсмесь в цилиндрическую форму с внутренним диаметром 30 мм, нагревают да температуры 600"С, прикладывают однаосноедавление 245 МПа и выдерживают в течение15 мин. Затей снимают давление, догревают полученный спек до температуры 800 Си выдерживают 2,5 ч,...

Номер патента: 1820858

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Алексеев, Любимов, Макаров

МПК: B01D 53/14, B01D 53/34

Метки: водорода, газов, кремния, отходящих, тетрафторида, фторида

...образованием водного раствора аэотнокислого кальция и углекислого газа по реакции2 НМОз+ СаСОз -аз(МОз)2+ Н 2 О+ СО 2 . Раствор Са(МОзЬ после отделения от него твердой фазы снова направляют на абсорбцию,Концентрация образующегося азотноСа(ИОз)2 в растворах, поступающих нэ абсорбцие, выше 10 мас. образуется мелкодисперсный осадок фтористого кальция, который трудно отделяется от жидкости. В обоих случаях процесс усложняется. На практике возможны потери нитратов, поэтому в схеме предусмотрена компенсация нитратов и повышение концентрации Са(МОз)2 эа счет азотной кислоты, подаваемой нэ стадию регенерации эбсорбционного раствора.В процессе абсо 1 збции иэ-ээ разности температур газа и поглотителя наблюдается конденсация водяных паров иэ газа,...

Номер патента: 1824378

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Бахарев, Васильев, Семиндейкин, Смирнов, Тараскин, Тесленко, Чемеров

МПК: C01F 11/22

Метки: кальция, минерализатора, основе, фторида

...содержания воды в исходной суспенэии гидроокиси кальция): и ри массовом соотношении Ж:Т4,5 реакционная масса плохо перемешивается и транспортируется; увеличение данного соотношения более 7,5 нецелесообразно из-за увеличения объема водной фазы. Температура реакции 20- 40 С(верхняя граница достигается без применения постороннего источника тепла за счет теплового эффекта процесса); время проведения реакции при этих условиях 0,5 -2 ч. При уменьшении температуры и времени реакции процесс разрушения золя двуокиси кремния не завершается; увеличение температуры и времени реакции по сравнению с укаэанным экономически нецелесообразно.В оптимальных условиях реакция протекает с практически количественныМ (по фтору) выходом с получением продукта...

Номер патента: 1825799

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Березин, Кадыков, Шейнин

МПК: C07D 487/22, C07F 13/00

Метки: марганца, тетрафенилпорфирина, фторида

...("),)Л(Е),) ;( ( )( ОПИСЬ(:ИЕ Ил,) и)( р( (-"ян;)е Г)(цс, и и ) и) нго цр(ЕЧ:та;Вл;.,); ) Е д;) игаегсГ РО) Г.С ВРДЧГ:,; )Ч СтДИЮВЗсглие тетра( е н. лц) (Лл э; фторилнЕВ Р ле;( ( )1 сч,нг)й киснаГрР Влн 1) и ц) РГ)(игл ни и;Е 2 ГГ 1)ГВГГ 1 егО 11 и Р ()) (" 1) . и 3 н э к 0 лсгОГ,О)э: ляе г:)) д) я Осудерел 1;иг.э1,") Г)енз(эон(э ОеСгвпримос, и ЛцГ уксчснои к;Г.ЛОТГ;,Зеэя ВлВк 1.Й сОСэо солучРич 1) ГО)ид ноГ) комплекса тезамен)Вцо)флна мэр Энцн (11) ОГЛэде)ет ) ехническим преимуцетво 1 и но)изной ) О с) Вению с изВссэ ны 1 спосоОлуп родеие г) роцесГЭ -инт ез; Г (Лг)()ТФ П зеэ сот сок рэцзния с) е(Еии РГО получеия и 3):ОНОТЛЕ)Л ЕРЭ 1(ЕН;повышен 1 е Выход, кос )О о цродукта,Способ получени . Глг ГцГ огНсывлется следующим 11Г)илпрэм(1П р...

Номер патента: 1828845

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Ананичев, Демидов, Морачевский

МПК: C01B 9/08

Метки: металла, фторида

...10 % /с.1828845 Формула изобретения Фторид металла Температура плавления, С Температура конденсации,Выход,Температура нагрева, СМеталл емкости камеры Аз (прототип)Аз ЯЬ ЯЬ В ОеСе-8,5 -8,5 292 6 727 110 -15 90 90 85 85 85 87 85 0020020200 24 2 2 4 3 4 2 450-500200 500 500 600 450 450 АЗЕзАзЕз ЯЬЕз ЯЬ Е 5 ВЕз беЕг ОеЕ 4 500 600 600 450 600 600 Составитель В,Ананичев Редактор Е.Полионова Техред М.Моргентал Корректор М,КерецманЗаказ 2466 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, 101 Принципиальное отличие предлагаемой операции фторирования металла от применяемой в прототипе...

Номер патента: 1834837

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Ковалева, Шнитко

МПК: C01B 31/00

Метки: углерода, фторида

...инертную среду и подают фтор, поддерживая в реакторе избыточное давление 1,5, - 2 кгс/см в течение 6 ч при2температуре 50 С, после чего процесс останавливают. Целевой продукт - фторид углерода - представляют собой бесцветное вещество, содержащее 60,3% фтора и 39,7% углерода общим г".сом 3,904 г, что соответствует 100% выходу реакции,П р и м е р 2. В реактор, указанный в примере 1. загружают 1,5 г стеклоуглерода беэ добавки серы. Остальные условия проведения процесса аналогичны примеру М 1, Выход целевого продукта - фторида углерода - через 6 ч составляет 0,34%,Остальные переменные параметры примеров выполнения, включая примеры 1 и 2 сведены в таблицу.Как видно из таблицы заявляемый способ обеспечивает безопасное технологичное...

Номер патента: 1467932

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Гелюк, Колмакова, Никольская, Росоловский, Титова

МПК: C01B 15/055

Метки: калия, пероксогидрата, фторида

...в сухом продукте; Нг 02 36,8%, К 42,6%, Вычглслено для КРН 202: Н 20 36,9%, К 42,4%. Степень разложения (а)за 360 мин при 8 ООС составляет 0,7 , константа скорости распада (К 10, минэ80) равна 0,13, за 35 суток продук(разлагается на 1,7%П р и м е р 2. К 94 г твердого дигидрата. Фторида калия добавляют 4,7 г КНР 2 (5% КНР от КГ 2 Н 20) и сухуго смесь добавляют к 170 г 20%-ного водного раствора перекиси водорода. Образовавшийся раствор выдерживагот в вакууме при 40 - 45 С до получения. сухого вещества, Получают 98 г твердогопродукта, Содержание в.продукте; Н 202 36,8%, К 42,3%, Степень разложения (а 1 за ость. образцов устав изотермических условиях ( егося кислорода, Вычисляют с ысляю онстату скорос овиях, приближенных к естес вых...

Номер патента: 1322948

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Григоров, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: f2-центрами, активная, лазерная, лития, монокристалла, окраски, основе, среда, фторида

АКТИВНАЯ ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ.1. Активная лазерная среда на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски, концентрация F2-центров соответствует коэффициенту их оптического поглощения в интервале 100 - 700 см-1.2. Способ получения активной лазерной среды на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами , включающий облучение монокристалла ускоренными электродами, отличающийся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски,...

Номер патента: 1393290

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активной, лазерной, лития, монокристалла, основе, среды, фторида, центрами

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АКТИВНОЙ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ по авт. св. N 1322948, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности концентрации F2-центров, облучение электронами производят в течение интервала времени от 0,1 до , где t - время жизни анионной вакансии.

Номер патента: 1152475

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.

Номер патента: 969026

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Афонин, Мироненко, Непомнящих

МПК: C09K 11/55, C09K 11/61

Метки: лития, люминофора, монокристалла, основе, фторида

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЮМИНОФОРА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ путем его выращивания методом направленной кристаллизации из шихты, содержащей фторид лития и добавку фторида щелочно-земельного металла, отличающийся тем, что, с целью обеспечения стабильности работы люминофора при повторном применении и уменьшения потерь дозиметрической информации, исходную шихту предварительно термообрабатывают в вакууме при 100 150oС.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что термообработку шихты ведут в две стадии, на первой из которых при 100 150oС в течение 1 3 ч, а на второй при 400 450oС в течение 1 10 ч.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что добавку берут в виде фторида магния в количестве 0,05 0,07...

Номер патента: 1264604

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Фигура, Хулугуров

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, основе, фторида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ для лазерных элементов из расплава, содержащего фторид и гидроксид лития, в тигле, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих F+2-центры в кристаллах, процесс проводят в тигле из никеля или стеклографита в атмосфере инертного газа при добавлении в расплав оксида бора в количестве 0,001 0,100 г/см2 поверхности расплава.

Номер патента: 1443496

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Проворов, Симин, Цирульник

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: f-2-центров, кристаллах, лазерноактивных, лития, создания, фторида

Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.

Номер патента: 1565084

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Иванов, Хулугуров, Чернышев, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, фторида

Способ выращивания кристаллов фторида лития для лазерных элементов из его расплава, содержащего ионы гидроксила, в стеклографитовом или никелевом тигле в инертной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью удешевления продукции при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих лазерно-активные F+--центры в кристаллах, ионы гидроксила вводят в расплав путем добавки паров воды в инертную атмосферу при их парциальном давлении 20 - 30 мм рт.ст.

Номер патента: 1575585

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Волочек, Иванов, Хулугуров, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристалла, лития, фторида

1. Способ выращивания кристалла фторида лития с примесью гидроксила для лазерных элементов, включающий приготовление шихты фторида лития с добавкой и вытягивание кристалла из расплава, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа при сохранении концентрации гидроксила, в качестве добавки используют соединение фтора, разлагающееся при температуре плавления фторида лития в концентрации 0,1 - 1,0 мас.%, а вытягивание ведут на воздухе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NH4F.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NiF2.

Номер патента: 203911

Опубликовано: 27.04.2013

Авторы: Агапитова, Грищенко, Дьяков, Сутурин

МПК: C22B 61/00

Метки: скандия, фторида

Способ получения фторида скандия из окиси скандия путем дегазации продуктов реакции в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения извлечения и качества фторида, дегазации при ступенчатом повышении температуры от 200 до 600°C подвергают двойную соль бифторида аммония - фторида скандия, полученную высаливанием из раствора при кислотности 70-100 г/л HCl.

Номер патента: 1261534

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Васильев, Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Овчинников

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, создания, фторида, центров

Способ создания лазерноактивных -центров окраски в монокристалле фторида лития, включающий охлаждение и облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения величины поглощения неактивных центров окраски при одновременном упрощении создания -центров окраски, перед охлаждением монокристалл облучают при комнатной температуре в интервале доз 5·108 - 5,1·108 P, затем охлаждают его до температуры -20°С - 0°С, ограничивающей подвижность анионных вакансий, и облучают при этой...

Номер патента: 1245207

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Лобанов, Максимова, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, примесями, создания, фторида, центров

Способ создания лазерноактивных центров окраски в монокристалле фторида лития с примесями, включающий термическую обработку и последующее облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации -центров окраски и создания -центров окраски, монокристалл перед термической обработкой предварительно облучают ионизирующим излучением в интервале доз 5·107 - 108 P и проводят его термическую обработку в течение 30-60 мин в температурном интервале 220-250°С, затем монокристалл охлаждают...