Архив за 1996 год
Резиновая композиция
Номер патента: 1455671
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Волченок, Дзюра, Маркова, Слезко, Ярчук
МПК: C08K 13/02, C08L 9/00
Метки: композиция, резиновая
РЕЗИНОВАЯ КОМПОЗИЦИЯ на основе ненасыщенного каучука, включающая полиамидное рубленое волокно, серу, ускоритель вулканизации, окись цинка, стеариновую кислоту, мягчители, антиоксиданты, технический углерод, N, N - м-фениленбисмалеинимид, отличающаяся тем, что, с целью повышения работоспособности литых шин на основе данной композиции, она дополнительно содержит гумат натрия или калия при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:Ненасыщенный каучук - 100Полиамидное рубленое волокно - 2 - 40Сера - 1,5 - 3Ускоритель вулканизации - 0,4 - 1,5Окись цинка - 3 - 5Стеариновая кислота - 0,5 - 2Мягчители - 5 - 20Антиоксиданты - 1 - 4
Водорастворимый состав для электроизоляционных покрытий электротехнической стали
Номер патента: 1630295
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Брюсова, Калинин, Капралов, Краснова, Лавров, Самсиков, Чумаевский
МПК: C09D 109/08, C09D 5/02, C09D 5/25 ...
Метки: водорастворимый, покрытий, состав, стали, электроизоляционных, электротехнической
...сушки покрытий 200- 15400 С, Односторонняя толщина покрытий0,8-2,0 мкм. Для испытаний образцы изотропной электротехнической стали обрабатывают 5 с при 20 + 5 С, Излишки раствораудаляют отжимом гуммированными валками,Коэффициент сопротивления изоляционного покрытия стали определяют по ГОСТ12119-80. Стабильность раствора определяют по содержанию коагулюма (в процентах 25от массы состава) после 20-дневной выдержки, Оценку содержания коагулюма в составе проводят путем фильтрования его через металлическую сетку(размер ячеек 100 мкм) и последующего высушивания при 110 С.Штампуемость стали характеризуют вырубленных пластин изотропной электротехнической стали на гидравлическом прессе П, полученных без видимых заусенцев,В качестве...
Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала
Номер патента: 1826463
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Булышев, Селявко, Серых, Шнейдер
МПК: C04B 35/00
Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего
...материала с максимальным количеством фазы В 1-2223 методом твердофаэного синтеза. Поставленная цель достигается тем, что в способе, включающем приготовление исходного состава из оксидов В 1, РЬ, Сц и карбонатов Зг, Са, синтез и отжиг при 840-850 С в течение 50 ч, используют шихту, в стехиометрическом соотношении соответствующую составу ВИ,еРЬо,Саг+5 гг-хСцзОю, где 0,35 х0,4.Способ осуществляют следующим образом.Используется исходный состав шихты В,оРЬ 0,4 Саг+хЗгг-хСцэ 01 о, где 0,35 х (0,4,Формула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА, включающего фазу В 1- 2223, путем приготовления шихты из оксидов В 1, РЬ, Сц и карбонатов Яг, Са, синтеза и отжига при 840 - 850 С. который предваригельно...
Способ выделения аллергена из биологического сырья
Номер патента: 1573578
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Власова, Дубняк, Мотавкина, Шаронов, Шаронова
МПК: A61K 35/56, A61K 39/35
Метки: аллергена, биологического, выделения, сырья
СПОСОБ ВЫДЕЛЕНИЯ АЛЛЕРГЕНА ИЗ БИОЛОГИЧЕСКОГО СЫРЬЯ путем его термической обработки в течение 10-15 мин, гомогенизации, дифференциального центрифугирования, обработки ультразвуком с последующей лиофилизацией целевого продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения специфической активности и растворимости в воде целевого продукта, в качестве биологического сырья используют кукумарию, термообработку сырья проводят при 50-70oС, а после дифференциального центрифугирования производят трехкратное замораживание при температуре не выше -30oС и оттаивание при комнатной температуре с последующим отделением жидкой фракции, содержащей целевой продукт, фильтрованием.
Мономерно-олигомерная композиция для получения сетчатого термостойкого сополимера, способ ее получения и способ ее отверждения
Номер патента: 1573845
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Гаркави, Гусарова, Зайцев, Храмова, Цыганкова
МПК: C08G 63/64, C08L 33/10
Метки: композиция, мономерно-олигомерная, отверждения, сетчатого, сополимера, термостойкого
1. Мономерно-олигомерная композиция для получения сетчатого термостойкого сополимера, включающая мономер 1 формулып - (CH2 = CH - C6H4)2O,мономер 2 формулымономер 3 формулыи олигомеры общей формулыгдеX -n = 0 - 3,отличающаяся тем, что, с целью повышения прочности сетчатого термостойкого...
Способ обработки инструмента
Номер патента: 1827109
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Константинов, Липинский, Маеров
МПК: C21D 9/22
Метки: инструмента
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ИНСТРУМЕНТА, включающий формообразование горячим гидродинамическим выдавливанием со степенью обжатия 0,55 - 0,87, закалку и трехкратный отпуск, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной стойкости инструмента, после формообразования проводят обработку косой стабилизированной бегущей волной с давлением 15 - 28 ГПа.
Устройство для измерения пространственного распределения нейтронов
Номер патента: 1400313
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Арм, Бурмистенко, Данилов, Засадыч, Малышев, Миллер, Михайленко, Мокроусов, Старинский, Шимелевич
МПК: G01V 5/10
Метки: нейтронов, пространственного, распределения
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ НЕЙТРОНОВ, содержащее размещенный в корпусе однокоординатный позиционно-чувствительный счетчик с резистивным катодом, имеющим два вывода на концах, и анодом, высоковольтный источник питания, подключеный к аноду счетчика, и спектрометрический усилитель, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия, оно дополнительно содержит источник напряжения смещения, подключенный к одному из выводов резистивного катода, другой вывод которого соединен с корпусом счетчика, а вход спектрометрического усилителя соединен с анодом счетчика.
Устройство для регулирования потока парашютистов
Номер патента: 1010790
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Горбонос, Драмарецкий
МПК: B64D 1/00
Метки: парашютистов, потока
УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПОТОКА ПАРАШЮТИСТОВ, содержащее установленную на пороге грузового пола защитную раму и отсекатели потоков парашютистов, выполненные в виде створок, установленных на защитной раме, отличающееся тем, что, с целью повышения удобства в эксплуатации и уменьшения рабочей площади, занимаемой створками при их рабочем ходе, на защитной раме в пределах ее обводов установлены направляющие, а створки выполнены сдвижными и установлены в направляющих.
Устройство для детонационного напыления покрытий
Номер патента: 1827872
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Барыкин, Коржик, Чернышов
МПК: B05B 7/20
Метки: детонационного, напыления, покрытий
...юлаат геоложительцые значения, если имеется прямой(сквозной) канал, имеет отрицательееые значения, если сквозной канал отсутствует;х 2 - ширина зазора, имеет полокительные эееаченбея, если имеетсл прямой свозбои ;.ацал, имеет отреецатале,цыа зееафеаееелесли пэяелой сквозной каееал отсугствует,ео и - центральный угол и-го отверстиявтулки 4; Рп - центральный угол и-го отверстиявтулки 3.Устройство работает следующим образом,Кз штуцеров компонентов горючей смеси, расположенных друг напротив друга вконфузорную часть камеры смещения 8 непрерывно подают гореочий газ и окислитель(возможны с нейтральным газом), смешива 10 лсь горячая смесь поступает в диффузорцубо часть камеры смешения 8, а оттудачерез переходную полость 7 в виде лабиринтцого...
Шихта для изготовления периклазошпинелидных низкокремнистых огнеупоров
Номер патента: 1828087
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Александров, Борисовский, Войникова, Загнойко, Коптелов, Фролов, Ципорина, Чуклай
МПК: C04B 35/04
Метки: низкокремнистых, огнеупоров, периклазошпинелидных, шихта
...0,063 мм с содержанием, мас. , М 90 95,62, 502 0,95, СаО 3,43; плавленный периклазохромит фракции 3 - 0 мм с содержанием, мас.о ; М 90 68, 45, СггОз 19,28, ЯОг 1,60, СаО 1,09, Ге 20 з 5,26, А 20 з, 4,32, йппр+0,18; плавленный хромглиноземшпинелид фракции 2-0,5 мм с содержанием мас, : М 90 44,2, Сг 20 з 31,13, ЯОг 0,67; СаО 1,14; РегОз 9,76, А 20 з 13,10; Ьппр+0,60: однофазный плавленный шпинелид с составами, приведенными в табл. 1; дисперсный плавленный оксидный цирконий.Связка в шихте по прототипу содержит 2 Ег 02 и 98 одисперсного периклаза.Плавку однофазного плавленного шпинелида проводят в злектродуговой печи ОКБ - 955 Н с параллельно включенными тр нсформаторами на подине, заправленной магнезитовым порошком, Продолжительность...
Способ получения угольных брикетов
Номер патента: 1828126
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Литвин, Лысенко, Слета
...пределы (опыты 2, 3, 5).Из приведенных в таблице данных сле дует, что для достиженил достаточного уровня прочности о известном способе исбходимо использовать в 1,3 - 3 раза больше связующего, чем о предложенном способе.35 Высокий расход связующего приводитк повышенным эксплуатационным расходам иа брикетирование, так как они в основном определяются затратами иа соязуащее и его подготовку. Присутствие в шихте значительного количества (6 - 7 Д) связующего, т, е, компонента с высоким выходом летучих (60 - 80, снижает выход кокса из брикетов, что ухудшает экономические показатели процесса коксования с исполь эооаиием брикетираваниого угля,Битумииозиое связующее в процессеполучения брикетоо играет роль клеющего вещества, пои фем...
Лигатура
Номер патента: 704277
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Вахобов, Ганиев, Джураев, Нагибина
МПК: C22C 35/00
Метки: лигатура
ЛИГАТУРА, содержащая алюминий и стронций, отличающаяся тем, что, с целью повышения модифицирующего эффекта, повышения физико-механических, литейных и антикоррозионных свойств сплавов, она дополнительно содержит иттрий и кремний при следующем соотношении компонентов, мас.%:Стронций - 1,0 - 12,0Иттрий - 1,0 - 10,0Кремний - 1,0 - 12,0Алюминий - Остальное
Способ определения прочности поверхностных слоев грунта
Номер патента: 1828672
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Ольховский, Петров, Степанов
МПК: E02D 1/00
Метки: грунта, поверхностных, прочности, слоев
1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОЧНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ ГРУНТА, включающий метание зонда на поверхность грунта и регистрацию параметров проникания, при котором определяют прочность, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, метание осуществляют двумя зондами, имеющими одинаковые начальные аэродинамические параметры с заданным углом рыскания для каждого зонда под углом к поверхности грунта с известной скоростью, в качестве параметров проникания измеряют расстояние между точками входа зондов в грунт и точками выхода зондов из грунта, а прочность поверхностных слоев грунта определяют в зависимости от скорости удара, угла метания и рыскания зондов по разнице между измеренными параметрами, используя предварительно установленную указанную...
Способ периодической прокатки слитка
Номер патента: 877845
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Журавлев, Жучин, Зюзин, Никитин, Сидякин, Цветков, Шпицберг
МПК: B21B 1/46
Метки: периодической, прокатки, слитка
СПОСОБ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ ПРОКАТКИ СЛИТКА, выходящего из машины непрерывного литья, включающий подачу в стан и совмещенную прокатку непрерывноотливаемой заготовки без порезки, отличающийся тем, что, с целью гашения вибраций в слитке и предотвращения прорыва металла под кристаллизатором, перед прокаткой слиток деформируют путем изгиба его относительно линии прокатки с образованием по меньшей мере одной петли.
Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией и способ их изготовления
Номер патента: 824824
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Кокин, Манжа, Назарьян, Одиноков, Чистяков
МПК: H01L 21/82
Метки: изоляцией, интегральных, комбинированной, конструкция, схем
1. Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией, содержащая транзисторы и резисторы, изготовленные в областях, изолированных локальными областями, легированными примесью противоположной скрытому и эпитаксиальному слоям типом проводимости, и диэлектриком, отличающаяся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных схем, боковая диэлектрическая изоляция транзисторных структур состоит из двух слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный слой и касающихся локальной области, между которыми расположен эпитаксиальный слой с легированной областью резисторной структуры.2. Способ изготовления интегральных схем с комбинированной изоляцией по п.1, включающий операции формирования диэлектрической изоляции,...
Способ формирования планаризованных тонких пленок
Номер патента: 1829760
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Баранов, Достанко, Казачонок, Попов
МПК: H01L 21/263
Метки: планаризованных, пленок, тонких, формирования
...частоты модуляции Гмг35 имеет значение порядка 4 МГц, Ограничение частоты модуляции определяется ограничением подвижности ионов вэлектрическом поле, которые за один период модуляции Тг=1 Рмг не успевают пере 40 сечь область катодного падения потенциалав плазме тлеющего ВЧ-разряда.Способ поясняется схемой, представленной на чертеже, где 1 - рабочая камера,2 - магнетронный источник распыления, 3 -45 блок питания магнетронэ, 4 - мишень, 5 -подложка с рельефной поверхностью, 6 -подложкодержатель, 7 - керамические элементы, 8 - ВЧ-генератор, 9 - согласующееустройство, 10 - генератор импульсов,50 Для реализации способа формированияпланариэованных тонких пленок была модернизована промышленная установка типа 01 НИ-006, предназначенная...
Способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов
Номер патента: 1829767
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Баранцев, Бессонов, Костюк, Пономаренко
МПК: H01L 21/28
Метки: межсоединений, полупроводниковых, приборов
...того, в межсоединениях, изготовленных по способу-прототипу, возникает дополнительный вклад во внутренние напряжения, связанный с различием температурных коэффициентов линейного расширенич материалов окисного и проводящего слоев, В заявляемом способе этот вклад отсутствует, так как межсоединения представляют собой единую монолитную систему.Предлагаемый способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов позволяет, рассчитав предварительно температурный режим испарения, необходимый для реализации оптимальной глубинь фракционирования, данной навески сплава А - В - С, в дальнейшем осуществлять испарение, строго следуя этому режиму. При этом сам процесс испарения становится высокотехнологичным, а параметры получаемых...
Способ изготовления интегральных схем
Номер патента: 705934
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Кокин, Манжа, Сергеев, Стадник, Шварц
МПК: H01L 21/82
Метки: интегральных, схем
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование жесткой маски, создание рабочих областей структуры в объеме полупроводниковой подложки, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности интегральной схемы, вскрывают базовые окна, наращивают поликристаллический кремний (Si*), легированный примесью противоположного типа проводимости эпитаксиальной пленке, маскируют Si* диэлектрической пленкой, которая не травится в травителях два SiO2 и Si3N4, создают базовые области диффузией из поликристаллического кремния, методом фотолитографии удаляют диэлектрическую пленку и поликристаллический кремний везде, за исключением участков, где...
Штамм гриба tolypocladium inflatum subsp. blastosporum продуцент циклоспорина а и способ биосинтеза циклоспорина а
Номер патента: 1830947
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Бибикова, Востров, Дмитриева, Елизарова, Злобин, Иваницкая, Казакова, Кудинова, Навашин, Рыбакова, Спиридонова, Шабанова
МПК: C12P 1/06
Метки: blastosporum, inflatum, subsp, tolypocladium, биосинтеза, гриба, продуцент, циклоспорина, штамм
...посевнува среду следуОщега состава, мас,:Соевая мука 3,0Глицерин 3,5Калий фасфорнокислыйодноэзмещенный 0,6Н зтрий хл Ори сты Й 0,6Мела сса 2,5Вада ОстальноерН 6,5Обьем среды 11 колбах 50 мл, Выращивание проводяг и колбах на качалках при 240г(б/мин и г(р(л 24 С в течение 48 ч,Мицелий из маточной колбы переносятп посевные колбы, содержащие 100 мл среды указанога саста(а. Культивирование впосевных колбах ведут также, как и в маточных,Уицелий из посевных колб использу(атг 2 качестве и(Окулята при биосинтезе цикласпорина в колбах на качалках, Количествовносьлмг.(го посевного материал 10.Для ферментации использугот средуследу 1 ощего состав, мас, 4;1 у О(а с са 14БВК 0,6Гл(ицери(1 1,0Аммсний фосфорнокислыйдв 2 замацень и 0,6КОбальт хлооистый...
Устройство для свч-нагрева
Номер патента: 1403976
Опубликовано: 27.03.1996
Автор: Шмырев
МПК: H05B 6/64
Метки: свч-нагрева
УСТРОЙСТВО ДЛЯ СВЧ-НАГРЕВА, содержащее камеру нагрева, отрезок волновода, один конец которого соединен с камерой нагрева, а другой расположен в полости, заполненной энергопоглощающей жидкостью, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности поглощения, на поверхности энергопоглощающей жидкости расположены введенные плавающие отражающие тела, покрывающие всю поверхность энергопоглощающей жидкости.
Катализатор для окисления и окислительного аммонолиза пропилена
Номер патента: 707003
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Андронова, Андрушкевич, Антипин, Боресков, Борисова, Дзисько, Еренбург, Луйксаар, Никоро, Платонов, Тюликова, Хоркин
МПК: B01J 23/76
Метки: аммонолиза, катализатор, окисления, окислительного, пропилена
КАТАЛИЗАТОР ДЛЯ ОКИСЛЕНИЯ И ОКИСЛИТЕЛЬНОГО АММОНОЛИЗА ПРОПИЛЕНА, включающий активную часть, содержащую молибден, висмут, кобальт, никель, хром, фосфор, щелочной металл и кислород, на носителе - двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения активности и селективности катализатора, активная часть дополнительно содержит железо и состав ее соответствует эмпирической формулеAaNiбCoв FeгCrдBieMoжPзОх,где А - литий, натрий, калий, рубидий, цезий;а = 0,01 - 0,1;б = 0,1 - 7;в = 1 - 7;г = 0,5 - 5;д = 1 - 2,5;е = 1 - 3;ж = 12 - 18;з = 0,1 - 0,5;х - количество атомов...
Способ консервирования кумыса
Номер патента: 1686719
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Гончарова, Грызлова, Джолдубаев, Кибрик, Климова, Кожомкулов, Комаров, Коренькова, Мусаева, Соколова, Тумашова, Финкель
МПК: A23C 9/127
Метки: консервирования, кумыса
1. СПОСОБ КОНСЕРВИРОВАНИЯ КУМЫСА, предусматривающий замораживание кумыса с последующим его высушиванием в вакууме и хранением сухого продукта, отличающийся тем, что, с целью увеличения сроков хранения полноценных качеств кумыса и ускорения процесса его замораживания, перед замораживанием кумыс разливают в цилиндрические емкости, замораживание осуществляют при ротации емкости в охлажденном до -40 - -50oС спирте, а в процессе высушивания проводят повышение температуры продукта до 27 - 40oС в течение 10-12 ч с последующей выдержкой при этой температуре до достижения 1% остаточной влажности, при этом сухой продукт хранят герметически укупоренным при 4-8oС.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что объем...
Установка для сварки секционных изделий
Номер патента: 1831826
Опубликовано: 27.03.1996
Автор: Терещенко
МПК: B23K 37/00
Метки: сварки, секционных
1. УСТАНОВКА ДЛЯ СВАРКИ СЕКЦИОННЫХ ИЗДЕЛИЙ, содержащая опорную площадку для изделия, смонтированные на площадке направляющие для установки изделия, токоподводы, отличающаяся тем, что она оснащена закрепленной на токоподводах и выполненной в виде усеченного конуса термостойкой втулкой с размещенным в ней индуктором с индуктирующей головкой, причем основание меньшего диаметра термостойкой втулки расположено со стороны индуктирующей головки, а в опорной площадке выполнены отверстия для токоподводов.2. Установка по п. 1, отличающаяся тем, что она оснащена устройством подачи защитного газа, а на боковой поверхности втулки выполнены сквозные отверстия, соединенные с устройством подачи защитного газа.3. Установка по п.2, отличающаяся...
Состав для получения влагостойкого и высокотеплоемкого теплоаккумулирующего материала
Номер патента: 1734368
Опубликовано: 27.03.1996
МПК: C09K 5/06
Метки: влагостойкого, высокотеплоемкого, состав, теплоаккумулирующего
СОСТАВ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ВЛАГОСТОЙКОГО И ВЫСОКОТЕПЛОЕМКОГО ТЕПЛОАККУМУЛИРУЮЩЕГО МАТЕРИАЛА, включающий влагостойкий фазопереходный наполнитель на основе воска, эпоксидную смолу с отвердителем и органофильный аэросил, отличающийся тем, что, с целью повышения тепловой емкости при сохранении удерживающих свойств полимерной матрицы при повышенных температурах, состав содержит в качестве фазопереходного наполнителя торфяной воск при следующем соотношении компонентов, мас.%:Торфяной воск - 68 - 77Органофильный аэросил - 7 - 11Эпоксидная смола с отвердителем - 12 - 25
Способ обработки коксового газа
Номер патента: 1834279
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Вшивцев, Назаров, Симонов, Стерн
...З,ОЛммиак (летучий) 2,2Сероводород 0,045Цианистый водород 0,13Диоксид углерода 1,025 Раствор из отстойника с температурой77 С количестве 2004,5 м /ч поступает виспаритель 11, где поддерживают вакуум 70кПа, пары в количестве 20 т/ч с температурой 67 С иэ испарителя 11 поступают в деЗО сорбер 8. Пары имеют следующий состав,о(.Аммиак 0,5Сероводород 0,0003Цианистый водород 0,01535 Диоксид углерода 0,045В десорбере 8 пары контактируют с аммиачной водой, поступающей из абсорбера7 о количестве 100 мэ/ч с температурой 33 Сследующего состава, г/дм .40 Аммиак (летучий) 11,5Сероводород 2,75Цианистый водород 1,25Диоксид углерода 3,5В процессе тепломассообмена с парами45 из аммиачной воды десорбируются аммиаки кислые компоненты. Вода из...
Способ получения стеклообразного сульфата алюминия
Номер патента: 1341910
Опубликовано: 27.03.1996
Автор: Кириленко
МПК: C01F 7/74
Метки: алюминия, стеклообразного, сульфата
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛООБРАЗНОГО СУЛЬФАТА АЛЮМИНИЯ путем термообработки сульфата алюминия, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения качества продукта, в качестве сульфата алюминия используют кристаллогидрат сульфата алюминия формулы Al2(SO4)3 18H2O, термообработку последнего ведут при 110 - 125oС, выдерживают полученный расплав при этой температуре до содержания воды 36,7 - 40,6 мас.% и охлаждают до комнатной температуры.
Способ очистки нефтяного остаточного сырья
Номер патента: 1341997
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Вишневский, Дерех, Мартыненко, Поташников, Ширяева
МПК: C10G 21/02, C10G 21/20
Метки: нефтяного, остаточного, сырья
СПОСОБ ОЧИСТКИ НЕФТЯНОГО ОСТАТОЧНОГО СЫРЬЯ путем деасфальтизации пропаном с последующей очисткой деасфальтизации в растворе пропана фурфуролом с добавкой второго растворителя с выделением рафината, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода рафината, снижения потерь и количества растворителя, в качестве второго растворителя используют N-метилпирролидон в количестве 5- 30 об.%.
Полупроводниковый прибор и способ его изготовления
Номер патента: 1225426
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Думаневич, Зумберов, Кузьмин
МПК: H01L 21/28
Метки: полупроводниковый, прибор
1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2 1013 Па/м.2. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование в полупроводниковой пластине по крайней мере одного p - n-перехода, нанесение на пластину металлизации и термообработку, отличающийся тем, что металлизацию создают последовательным нанесением слоев металла, а...
Способ сборки рефлектора антенны
Номер патента: 1524759
Опубликовано: 27.03.1996
МПК: H01Q 15/16
Метки: антенны, рефлектора, сборки
СПОСОБ СБОРКИ РЕФЛЕКТОРА АНТЕННЫ, включающий установку на стапеле узловых шаровых вставок каркаса, размещение между ними труб каркаса и закрепление на узловых шаровых вставках труб каркаса и панелей отражающей поверхности, отличающийся тем, что, с целью упрощения сборки рефлектора и снижения материалоемкости, в качестве узловых шаровых вставок используют усеченные шары и устанавливают их на стапеле с возможностью вращения, трубы каркаса устанавливают между плоскими участками усеченных шаров, после чего усеченные шары поворачивают и устанавливают следующие трубы каркаса, затем усеченные шары, расположенные на лицевой стороне каркаса, поворачивают, устанавливая плоские участки перпендикулярно нормали к отражающей поверхности, закрепляют...
Способ изготовления диэлектрических деталей
Номер патента: 647984
Опубликовано: 27.03.1996
МПК: H01J 9/02
Метки: диэлектрических
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ преимущественно для вакуумных интегральных схем, включающий селективное электрохимическое оксидирование алюминиевой заготовки, химическое травление неокисленных участков, нагревание в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью улучшения диэлектрических свойств деталей за счет уменьшения их пористости, после нагревания в окислительной атмосфере диэлектрические детали обрабатывают жидким тетраэтоксисиланом, нагревают до 750 - 800oС и выдерживают 10 - 15 мин, после чего упомянутые операции повторяют многократно.