Архив за 1996 год
Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения
Номер патента: 1827146
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: H01L 29/72
Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор
1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненной в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы без изменения его временных и электрических параметров за счет изменения ширины и уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и прилегающей к ней области коллектора, ширина активной базы стабилитрона больше ширины активной базы рабочей транзисторной структуры, а степень...
Полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя
Номер патента: 1827147
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: H01L 29/72
Метки: высоким, напряжением, полупроводниковый, прибор, пробоя
1. Полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной Нп периферийной области, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя рn-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, кольцевую базовую металлизацию шириной а, расположенную под частью периферийной области базы, прилегающей к центральной области базы, и находящуюся на расстоянии l от места выхода на поверхность высокоомного слоя р n-перехода, где величина l соответствует ширине области пространственного заряда в...
Планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя
Номер патента: 1827148
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: H01L 29/72
Метки: высоким, напряжением, планарный, полупроводниковый, прибор, пробоя
1. Планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной H и периферийной области шириной L, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя p-n-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины периферийной области базы при сохранении величины напряжения пробоя и диффузионных параметров центральной области базы, периферийная область базы состоит по крайней мере из двух зон, в которых p-n-переход имеет различный угол наклона к...
Мощный биполярный транзистор
Номер патента: 1827149
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: H01L 29/72
Метки: биполярный, мощный, транзистор
1. Мощный биполярный транзистор, имеющий по крайней мере одну эмиттерную область шириной I с постоянной глубиной и степенью легирования и активную базу с переменной степенью легирования, отличающийся тем, что, с целью уменьшения площади его транзисторной структуры с сохранением коэффициента усиления по току и устойчивости к вторичному пробою, ширину W активной базы выбирают из соотношения W Wmin + k I, где 0 К 1, а Wmin - минимальная ширина активной базы.2. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что участок активной...
Мощный биполярный транзистор
Номер патента: 1827150
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: H01L 29/72
Метки: биполярный, мощный, транзистор
1. Мощный биполярный транзистор, содержащий по крайней мере одну эмиттерную область шириной l переменной глубины и степени легирования, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления по току с сохранением устойчивости к вторичному пробою, эмиттерная область состоит по крайней мере из двух симметричных относительно центра эмиттерной области зон, в которых глубину эмиттерной области H выбирают из соотношения H=H0+kl, где а H0 глубина эмиттерной области на внешнем краю зоны.2. Транзистор по п. 1, отличающийся тем, что участку эмиттерной области с максимальной глубиной соответствует максимальная степень легирования, а участку с...
Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения
Номер патента: 1827151
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: H01L 29/72
Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор
1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, за счет изменения конструкции активной базы стабилитрона, активная база стабилитрона выполнена в виде областей-ячеек, в которых ширина и степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, окруженных...
Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения
Номер патента: 1827152
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: H01L 29/72
Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор
Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, причем ширина и/или степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и/или степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, при сохранении временных и электрических параметров транзистора за счет уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и...
Катализатор для гидропереработки тяжелого нефтяного сырья
Номер патента: 1518972
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Вайль, Зайцев, Коновальчиков, Кричко, Курганов, Ландау, Нефедов, Олещук, Осипов, Цисун
МПК: B01J 23/10, B01J 23/88
Метки: гидропереработки, катализатор, нефтяного, сырья, тяжелого
Катализатор для гидропереработки тяжелого нефтяного сырья, содержащий оксиды алюминия, никеля, триоксид молибдена, пентоксид фосфора и добавки соединений металлов III IV групп Периодической системы элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения активности катализатора в процессах гидрообессеривания и удаления коксообразующих веществ, катализатор содержит в качестве соединений металлов III IV групп Периодической системы элементов оксиды редкоземельных элементов и циркония при следующем содержании компонентов, мас.Триоксид молибдена 10 15Оксид никеля 2 5Пентоксид фосфора 2 7Оксиды редкоземельных элементов 0,1 10Оксид циркония 0,1 10Оксид алюминия Остальное
Электронные часы
Номер патента: 1828292
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Денисов, Зотов, Кузнецова, Кулевская, Обухович, Шелихова
МПК: G04C 9/04
Метки: часы, электронные
...Данное напряжение устанавливает режим работы усилительного элемента (транзистора 25 (26),в нагрузку которого включен транзистор 27 (резистор), Сопротивление открытого транзистора 27 выбирают из условия, когда падение напряжения на нем меньше или равно пороговому напряжению п-канального транзистора схемы, При выполнении этого условия на выходе элемента 22 сохраняется уровень лог,"Г при срабатывании контактов 34.В случае проворачивания ротора шагового двигателя 17 в процессе корректировки стрелочного индикатора 18 в его обмотке наводится ЭДС, полярность которой зависит от направления поворота ротора (12, фиг,2). Благодаря симметричности входа усилителя полярность наведенной ЭДС в обмотке для работы усилителя не имеет значения....
Химический источник тока с неводным электролитом
Номер патента: 1828344
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Белов, Боровиков, Котельников, Кошечко, Крылов, Левинский, Молчанов, Овчинников, Походенко
Метки: источник, неводным, химический, электролитом
...техническое решение соответствует критериям "новизна" и "существенные отличия".В качестве добавок к электролиту нами изучены антрацен и фенантрен, выбранные из класса конденсированных полициклических углеводородов, и макроциклические полиэфиры: дибензо-краун-б (ДБ 18 Кб), 18-к раун-б (18 К 6) и 6 ензо-краун(Б 15 К 5),Изобретение иллюстрируется приведенными конкретными примерами.Испытания проводили на базе элементов системы Ы-Мп 02 со спиральной намоткой электродов, Габариты элемента соответствовали международному стандарту СК 1 /ЗХ (диаметр 11,6 мм высота 10,8 мм). Элементы являлись аналогами выпускаемых фирмой "Бапуо", Их испытания проводили в импульсном режиме разряда (см. выше) при плотности тока в импульсе 34 мА/см, В2 качестве...
Способ изготовления мощного кремниевого транзистора
Номер патента: 1828719
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: H01L 21/331
Метки: кремниевого, мощного, транзистора
1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий создание в высокоомном слое кремниевой n-n+-структуры эмиттерной области, легированной примесью первого типа проводимости, имеющей атомный радиус, больший или меньший атомного радиуса кремния, создание базовой области, легированной примесью второго типа проводимости, одновременную разгонку эмиттерной и базовой примесей, легирование эмиттерной области на глубину h компенсирующей примесью, имеющей атомный радиус, соответственно меньший или больший атомного радиуса примеси первого типа эмиттерной области, подлегирование базовой области примесью второго типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью уменьшения числа высокотемпературных процессов, создание базовой...
Способ изготовления мощного кремниевого транзистора
Номер патента: 1828720
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: H01L 21/331
Метки: кремниевого, мощного, транзистора
1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий предварительную диффузию примеси р-типа проводимости в базовую область кремниевой n-n+-структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттерную область и дальнейшую совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей, отличающийся тем, что, с целью разрушения кластерных областей в объеме полупроводниковой структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттер проводят при 800-1100oC, а совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей проводят при температуре, выбираемой из интервала 1100-1250°С из условия обеспечения степени легирования эмиттерной области Ns<3
Способ изготовления полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя
Номер патента: 1828721
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Загрядский, Кондрашов, Мурзин
МПК: H01L 21/331
Метки: высоким, напряжением, полупроводникового, прибора, пробоя
1. Способ изготовления полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя, включающий последовательное формирование на поверхности полупроводниковой подложки аморфного или поликристаллического слоя толщиной Н, в котором коэффициент диффузии примеси, создающей базовую область полупроводникового прибора и формирующей его p n-переход коллектор база, превышает ее коэффициент диффузии в полупроводниковой подложке, формирование изолирующего слоя, вскрытие в изолирующем слое окна под диффузию примеси, создающей базовую область, диффузию указанной примеси в полупроводниковую подложку через окно в изолирующем слое с формированием базовой области, состоящей из центральной области глубиной Y
Способ изготовления бриллианта фантазийной формы
Номер патента: 1338230
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Барабанов, Исаенко, Травин
МПК: B28D 5/00
Метки: бриллианта, фантазийной, формы
Способ изготовления бриллианта фантазийной формы, включающий ориентацию будущего бриллианта площадкой в плоской сетке октаэдра алмаза, шлифование площадки, обработку рундиста и огранку нижней и верхней частей бриллианта, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности обработки монокристалла алмаза формы двойного усеченного тетраэдра, обработку рундиста осуществляют последовательной обточкой равными радиусами вокруг трех осей, каждая из которых расположена в плоскости, проходящей через вершину монокристалла перпендикулярно противолежащему ей ребру, а огранку осуществляют симметрично оси третьего порядка монокристалла с образованием нечетного количества граней.
Технологический узел установки для электрогидроимпульсной запрессовки труб
Номер патента: 963170
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Головахин, Иванов, Касяненко, Мазуровский, Тютюнник, Школьников
МПК: B21D 26/12
Метки: запрессовки, технологический, труб, узел, установки, электрогидроимпульсной
Технологический узел установки для электрогидроимпульсной запрессовки труб, содержащий видеоконтрольное устройство и телевизионную камеру наблюдения за позиционированием злектрода установки, связанную с системой управления, отличающийся тем, что, с целью повышения долговечности узла за счет защиты объектива телевизионной камеры в момент разряда установки, он снабжен несущим телевизионную камеру кронштейном, установленным на неподвижном основании, осью, прикрепленной к кронштейну через промежуточную державку, а также поворотно установленной на оси, подпружиненной к кронштейну шторкой, перекрывающей объектив телевизионной камеры, и взаимодействующим с шторкой электромагнитом, встроенным в систему управления.
Вибрационный источник сейсмических сигналов
Номер патента: 1831127
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Алексеев, Босонко, Бурый, Ковалевский, Матушкин, Пушной
МПК: G01V 1/133
Метки: вибрационный, источник, сейсмических, сигналов
...Пневмопереключатель 17 содержит золотник (на чертеже не показан), который в одном крайнем положении соединяет гибкий шланг 15 с трубопроводом 18 со сжатым воздухом, а в другом - с трубопроводом 19, соединенным с атмосферой, Управление золотником осуществляется системой управления (на чертеже не показана),Вибрационный источник сейсмических сигналов работает следующим образом,Перед началом работы корпус 3 источника заполняют жидкостью 4. Затем открывают вентиль 16 и через переключатель 17 заполняют пневмопружину 5 воздухом до требуемого объема. Поданный в пневмопружину воздух заполняет ее верхнюю часть под днищем, не попадая в корпус источника. Пневмопружина 5 поддерживается во взвешенном состоянии не касаясь дна корпуса 3, с...
Инжекционный лазер
Номер патента: 1831211
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Бородкин, Дмитриев, Пак, Поповичев, Хлопотин, Швейкин, Шишкин
МПК: H01S 3/18
Метки: инжекционный, лазер
...результаты измерения предельной мощности излучения каждой из групп лазеров с покрытиями,Лазеры первой группы имели интерференционное покрытие с оптической толщиной Л/2, которое не меняет коэффициент отражения выходной грани. В соответствии с этим предельная мощность таких лазеров не увеличивалась в сравнении с лазерами без покрытий. Лазеры второй группы имели на выходной грани интерференционное покрытое 310, с оптической толщиной Л/4, уменьшающее коэффициент отражения до 7,5, В этом случае, который соответствует выбранному прототипу, наблюдалось увеличение предельной мощности за счет просветления выходной грани в 1,8-1,9 раза.Более эффективно использование конструкции с монокристачлическим, эпитаксиальным покрытием селенида цинка...
Устройство для азотирования в высокочастотной плазме тлеющего разряда
Номер патента: 1403982
Опубликовано: 27.06.1996
Автор: Чаевский
Метки: азотирования, высокочастотной, плазме, разряда, тлеющего
Устройство для азотирования в высокочастотной плазме тлеющего разряда, включающее в себя две вакуумные камеры с высоковольтными вакуумными вводами и электронагревателями, высоковольтный источник питания постоянного тока и ВЧ-генератор, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и интенсификации процесса азотирования, корпус вакуумной камеры, высоковольтный ввод и электронагреватель каждой вакуумной камеры подсоединены в схеме ВЧ-генератора так, что образуют триоды, причем корпус вакуумной камеры служит анодом, высоковольтный вакуумный ввод катодом, а электронагреватель сеткой триода.
Ножевой блок головки куттера
Номер патента: 1832542
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: B02C 18/18
Метки: блок, головки, куттера, ножевой
Ножевой блок головки куттера, содержащий серповидные ножи, расположенные в дисковом корпусе, и средство для фиксации каждого из ножей в виде сухаря, установленного в пазу ножа с возможностью радиального перемещения в пазу дискового корпуса посредством проходящего через сухарь винта с головкой, контактирующей с плоскостью ножа, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности работы, на внутреннем диаметре головки винта и наружном диаметре стержня винта выполнены зубья, входящие в зацепление между собой, а на наружном диаметре головки выполнена лыска, взаимодействующая с плоскостью ножа.
Полимерная композиция
Номер патента: 1832700
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Бобровский, Бутаков, Головненко, Каменский, Китайгора, Паверман, Соболева, Суворов
МПК: C08K 13/02, C08L 27/06, H01B 3/44 ...
Метки: композиция, полимерная
Полимерная композиция, содержащая суспензионный поливинилхлорид, сложноэфирный пластификатор, свинцовый стабилизатор и антипирен-дымоподавитель, включающий трехокись сурьмы, окись цинка, борную кислоту, карбонат кальция и тригидрат окиси алюминия, отличающаяся тем, что, с целью снижения дымообразования и выделения хлористого водорода при горении при сохранении низкой горючести и относительного удлинения при разрыве после теплового старения, она дополнительно содержит аэросил при следующем соотношении компонентов, мас.ч.Суспензионный поливинилхлорид 100Сложноэфирный пластификатор 45 60Свинцовый стабилизатор 4 6Трехокись сурьмы 6 12Окись цинка 1,5 2,5Борная кислота 0,1 1,0Карбонат кальция 40 80
Способ монтажа катодных секций алюминиевого электролизера
Номер патента: 1832763
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Аюшин, Власюк, Евменов, Занин, Кучер, Тепляков
МПК: C25C 3/06
Метки: алюминиевого, катодных, монтажа, секций, электролизера
1. Способ монтажа катодных секций алюминиевого электролизера, включающий установку блюмса в паз угольного блока, нагрев блока, заливку зазоров между блюмсом и блоком жидким чугуном и охлаждение секции, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы электролизера и снижения энергозатрат, перед установкой в паз блока блюмс нагревают до 650 800oС, нагрев блока осуществляют теплом блюмса до температуры стенок паза 300 350°С, а охлаждение ведут со скоростью не выше 100°С/ч.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нагрев блюмса ведут индукционным током.
Способ ровенского для управления реверсивным вентильным электроприводом и устройство для его осуществления
Номер патента: 1833094
Опубликовано: 27.06.1996
Автор: Ровенский
МПК: H02P 5/06
Метки: вентильным, реверсивным, ровенского, электроприводом
1. Способ управления реверсивным вентильным электроприводом, согласно которому контролируют величину скорости электродвигателя, полярность ошибки регулирования скорости и напряжения задания тока и наличие тока в якорной цепи электродвигателя, при изменении полярности напряжения задания тока и уменьшении тока электродвигателя до нуля отключают систему импульсно-фазового управления от управляющих электродов обеих групп вентилей преобразователя и входной сигнал контура тока блокируют посредством закорачивания цепи обратной связи регулятора скорости, а по истечении установленной бестоковой паузы систему импульсно-фазового управления подключают к группе вентилей преобразователя, осуществляющей торможение электродвигателя, и устраняют блокировку...
Способ односторонней контактной сварки
Номер патента: 1834131
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Белозубов, Бычко, Демченко, Липецкий
МПК: B23K 11/10
Метки: контактной, односторонней, сварки
...по формулезМомент инерции поперечного сеченияместа наибольшей деформации проводникапо предлагаемому способу сварки (см.фиг.2)определяется,а(Ь+Ь )1 = 1-ВС ) - 4 ВС (1-С) , (2)г 12а - а1где В =а1- ь+ьВзяв отношение 1, к 1 определим, во сколько раз момент инерции поперечного сечения проводника по предлагаемому способу больше момента инерции поперечного сечения проводника по известномч способ(Я нК НлП54Геометрические размеры (величины а, а п,п,) места наибольшей деформации проводника зависят от геометрических размеров электрода и проводника, режимов сварки: температуры, определяемой током сварки, давления электрода на проводник и материала проводника.1834131 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ В связи со сложностью аналитического определения размеров...
Измерительное устройство
Номер патента: 1834493
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: G01B 11/03
Метки: измерительное
...3, параллельных соответствующим направляющим 5, 6, жестко закреплены два фотоэлектрических нуль-индикатора 15, 16 в той же плоскости манипуляционной системы 2.Каждый лазерный излучатель 9, 10 оптически связан с соответствующим фотоэлектрическим нуль-индикатором 15, 16 через соответствующую пентапризму 13, 14,Стол 17 с автоматическим приводом и объектом измерения 18 выполнен с возможностью перемещения по оси Х (на чертеже не показана).Автоматические приводы перемещений (на чертеже не показаны) измерительного устройства, подвижных кареток 11, 12 и стола 17 электрически связаны с блоком Измерительное устройство, содержащее манипуляционную систему, блок программного управления и измерительную головку с закрепленным на ней щупом,...
Охранное кодовое устройство
Номер патента: 1834549
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Анурьев, Грибок, Давлетшин, Косарев, Школьников
МПК: G08B 13/00
...частотой Ро = 100-200 кГц при подключении единичного сигнала на его вход (см. диаграмму 5.2 на фиг,2). При нулевом сигнале на входе генерация импульсов прекращается. Импульсы с второго выхода генератора импульсов 5 поступают на антенный контур б, который может быть выполнен в виде конденсатора и катушки индуктивности, подключенных к общей шине замка, Антенный контур б настраивается на частоту Ро генератора импульсов 5, Таким образом создается переменное магнитное поле, Если к антенному контуру б поднести ключ, то в его антенном контуре 7, настроенном на ту же частоту РО и который может быть выполнен в виде конденсатора и катушки индуктивности, подключенных к общей шине ключа, возникает переменное напряжение в виде радиоимпульсов...
Грузовой поддон
Номер патента: 1835750
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Корона, Лебедева, Мирзабейли, Синдицкий, Степанец
МПК: B65D 19/26
...б изображен опорный элемент настила, вид сверху; на фиг, 7 - то же, вид сбоку; на фиг. 8 - то же, вид в разрезе; на фиг, 9 - крепление тяжеловеса (оборудования) на поддоне; на фиг, 10 - захват поддона с грузом автопогрузчиком, вид сбоку: на фиг, 11 - то же, вид сверху; на фиг, 12 показаны захват поддона крановой подвеской (общий вид) и крепление груза к поддону за рымы,Предлагаемый поддон (фиг,1, 2, 3) состоит из окантовывающ его каркаса 1, выполненного из балок прямоугольного, например Г -образного профиля, обращенных своими полками внутрь, по периметру которого установлены фитинги 2 в виде втулок; центральной части 3, покрытой настилом 4, и опорных брусьев (балок) 5 также прямоугольного профиля. Центральная часть 3 выполнена из двух...
Способ подготовки к поливу галогенсеребряных фотографических эмульсий
Номер патента: 1637558
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Власов, Курашов, Оранский, Федоров, Хасанова
МПК: G03C 7/26
Метки: галогенсеребряных, подготовки, поливу, фотографических, эмульсий
...и добавки полива, а именно 30,0 г 5-ного раствора тартразина, 2 г этиленгликоля, 7 г 3 о -ного раствора дубителя Дуи дополнительно 0,77 г2 аэросила с удельной поверхностью 300 м или 0,07 г аэросила на 1 г эмульсионного желатина (общее содержание аэросила в37558 5 16пересчете на 1 г желатина 0,02 г или 20).Эмульсию, подготовленную к поливу, подвергают действию ультразвуком (УЗДН,частота 22 кГц, 10 мин при 38-40 С).Подготовка к поливу желатиновой прослойки, В 500 г водного 1-ного растворажелатина вводят 4 г 170-ного водногораствора смачивателя СВи 6 г 470-ногораствора смачивателя СВ, 7 г 3 У,-ногораствора дубителя Дуи 16 г 500-ногораствора стиромали (Ха-соль стирола ималеинового ангидрида),Нанесение светочувствительных слоев набесцветную...
Способ геоэлектроразведки
Номер патента: 1409024
Опубликовано: 27.06.1996
Автор: Дмитриев
МПК: G01V 3/08
Метки: геоэлектроразведки
Способ геоэлектроразведки, при котором возбуждают электромагнитное поле импульсом тока с помощью заземленной электрической линии, подключенной к генератору, измеряют ЭДС (сигнал) неустановившегося электромагнитного поля с помощью незаземленной приемной рамки, определяют значения кажущегося сопротивления, по которым судят о наличии залежи углеводородов, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности поиска залежей углеводородов, осуществляют предварительные измерения значений силы тока в заземленной электрической линии при заданном режиме работы генератора в заданных точках исследуемой площади, по результатам измерений определяют минимальное значение силы тока Iмин, после чего осуществляют зондирование по исследуемой...
Патрон разового действия для электрогидроимпульсной развальцовки труб
Номер патента: 594639
Опубликовано: 27.06.1996
Авторы: Ищенко, Кузьмина, Мазуровский
МПК: B21D 26/12
Метки: действия, патрон, развальцовки, разового, труб, электрогидроимпульсной
Патрон разового действия для электрогидроимпульсной развальцовки труб, содержащий диэлектрический корпус, заполненный водой, взрывающийся элемент, отличающийся тем, что, с целью механизации, упрощения процесса изготовления патрона и повышения качества развальцовки, в корпусе установлена втулка, выполненная из гигроскопичного материала, например фильтровальной бумаги, с центрирующим отверстием для ввода взрывающейся проволоки.
Пигмент для красок и эмалей и способ его получения
Номер патента: 1837610
Опубликовано: 27.06.1996
Метки: красок, пигмент, эмалей
...ет качество пигмента,и м е р 1. Отбеленные синтетические ы кальция в количестве 80 и 20% мещают в мелющий аппарат планеевощий им нно илик ухудш П илик ТЮ,обусл Упрощение процесс то помол компонентов яют при комнатной тем ено тем пигмея ератур осуществ- нормальм давлени тарного типа, Загрузка мелющих тел 0,5 барабана по объему, обороты двигателя 710 об/мин, ускорение 50 я. В качестве мелющих тел используют винипластовый цильпебс диаметром 20 мм, высотой 25 мм и порфиритовые шары свойства пигмента; белизна 97%, содержание водорастворимых веществ 0,3 мас.%, укрывистость 60,0 г/м (состав 5 в таблице).П р и м е р 2, Отбеленные синтетические силикаты кальция в количестве 85 и 15% ТЮ, измельчают в мельнице планетарного типа, Загрузка мелющих...