343299
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 343299ИЗОЬРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 07.Х.1970 (М 1490079/18-24)с присоединением заявки11 с 11 Комитет по аелам зоеретений и открытий при Совете Министров СССРиоритет Опубликовано 22 У.1972. Бюллетень81,327,66 (088 та опубликования описания 12.711.1972 Авторыизобретени. С. Вере Е,М,О В, И, Ваганов, В. А. Кузьмин, О. Р. Мочалкиннко, А. А. Орликовский и В. С, Першенк Трудового Красного Знаменифизический институт ос аявител кии орден инженерн НТЕГРАЛЬНЫЙ ТИРИСТОРНЫЯ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Цель предлагаемого ется в увеличении степ жения высокого быстр устойчивости элемента ции и неразрушающем гаемом устройстве это ключения эмиттера тра эмиттеру тиристора и варному входу считыв потенциала 0,изобретения ени интеграц одействия и при записи считывании.достигаетсянзистора счи через резист ания, а базо заключаии, дости- помехо- информа- В предл:а- путем подтывания к ор - к слой к шине Предлагаемое изобретение относится к области запоминающих устройств интегральногтипа,Тиристорные элементы памяти, изготовленные в интегральном виде, известны. Однако такие элементы имеют малую степень интеграции: во-первых, подключение транзистора считывания может привести к ложному переключению тиристора (разрушению информации), если опрашивающий сигнал превысит некоторое пороговое значение; во-вторых, подключение эмиттера тиристора к земляной шине при управления по р-базе приводит к низкой помехоустойчивости при записи и не обеспечивает достаточно высокого быстродействия из-за использования в элементе двухтактного цикла записи; в-третьих, компонентов в элементе велико. Принципиальная электрическая схема интегрального тири стори ого элемента памяти представлена на чертеже.Интегральный тиристорно-резисторный эле мент памяти состоит из тиристоров, двухтранзисторов и двух резисторов.Тиристор 1 подключен коллектором к источнику питания 2, эмиттером через резистор 8 - к словарному входу считывания 4. Транзи стор записи 5 подключен коллектором к р-базе тиристора, элтиттером - к разрядному входу б, базой через резистор 7 - к словарному входу записи 8, Транзистор считывания 9 подключен коллектором к разрядному выходу 10, 15 эмиттером - к эмиттеру тиристора, базой вшине 11 нулевого потенциала.В режиме хранения информации на словарном входе записи, на разрядном входе и на словарном входе считывания поддерживаются 20 нулевые потенциалы.Запись О, т. е. выключение тиристора, происходит при подаче положительного импуль,са на словарный вход записи при сохранении нулевого потенциала на разрядном выходе, 25 Запись 1, т. е. включение тиристора, происходит при одновременной подаче положительных импульсов на словарный вход записи и разрядный вход.Считывание О производится при подаче 30 отрицательного опрашивающего импульса на343299 Предмет изобретения Составитель В. МихеевТехред А. Камышникова Корректор Е. Миронова Редактор Б. Нанкина Заказ 2158/11 Изд.887 Тираж 406 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушокая наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 словарный вход считывания. Транзистор считывания переходит из области отсечки в активную область, и его коллекторный ток течет через разрядный выход,Считывание 1 производится при подаче опрашивающего импульса на словарный вход считывания, Потенциал на эмиттере транзистора считывания практически не изменяется (т. к. тиристор включен), и транзистор остается в режиме отсечки. Интегральный тиристорный элемент памяти,содержащий тиристор с продольной структурой, транзистор считывания записи, подключенный коллектором к р-базе тиристора, а базой через резистор к словарному входу записи, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции, повышения помехо устойчивости и быстродействия при записи исчитывании, транзистор считывания подключен эмиттером к эмиттеру тиристора и через резистор к словарному входу считывания, а базой в шине нулевого потенциала.
СмотретьЗаявка
1490079
А. С. Березин, В. И. Ваганов, В. А. Кузьмин, О. Р. Мочалкина, Е. М. Онищенко, А. А. Орликовский, В. С. Першенксн
МПК / Метки
МПК: G11C 11/39
Метки: 343299
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-343299-343299.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">343299</a>
Устройство для записи-считывания
Номер патента: 345517
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Андрианов, Бердников, Васильев, Иванов, Леонтьев
МПК: G11C 7/00
Метки: записи-считывания
...Т и Т и - р - 1 г проводимости, выполняющие функции воспроизведения и выделения считанного сип 1 ала, сосдииены эмиттсрами в общую точку, находящу 1 ося под потенциалом общсй шины источниканапряжения. Коллектор транзистора Т, соединен с коллектором транзистора Т и базойтранзистора Т:, в коллекторной цепи которого 15включен резистор Я, Коллектор транзистораТз находится под потенциалом Е,о,л согласующего источника напряжения,Устройство работает следу 1 ощим образом,Источник няпр 51 жения Ес ог; пита 10 щнй 20транзистор Тз, выполняет срункцию согласования по сигналу выхода блока считывания споследующим логическим элементом. Источник напряжения Еявляется общим для пако.пителя и для устройства записи - считывания. За счет того, что...
Формирователь записи-считывания для запоминающих устройств
Номер патента: 765873
Опубликовано: 23.09.1980
Авторы: Исаева, Невядомский
МПК: G11C 7/10
Метки: записи-считывания, запоминающих, устройств, формирователь
...проводимостей транзистора 2 и МДПрезисторавозрастает,Вследствие этого через открытый транзистор 2 на затвор управляющего транзистора 3 поступает напряжение, достаточное дляего отпирания, Соотношение проводимостей. управляющего транзистора 3 и МДП-резистора 6 выбрано таким, что на шине выбранэю ной строки накопителя устанавливается напряжение + 5 В. Если одновременно на изолированную подложку подать напряжениестирания амплитудой - 30 В, то в ячейкахвыбранной строки происходит стирание ин 46формации. При работе формирователя наневыбранную строку иа словарную шину 9из дешифратора поступает напряжениелог. О.В этом случае коммутирующий транзистор 2 и транзистор 5 считывания закрыты,м а через МДП-резисторемкость затворауправляющего...
Усилитель записи-считывания для запоминающих устройств
Номер патента: 1612801
Опубликовано: 30.12.1994
Авторы: Вершинин, Габова, Портнягин
МПК: G11C 7/00
Метки: записи-считывания, запоминающих, усилитель, устройств
УСИЛИТЕЛЬ ЗАПИСИ-СЧИТЫВАНИЯ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ содержащий ключевые транзисторы с первого по двенадцатый и нагрузочные транзисторы с первого по восьмой, причем затвор и исток первого нагрузочного транзистора подключены к стоку первого и затвору второго ключевых транзисторов, стоки первого, четвертого, пятого, шестого, седьмого и восьмого нагрузочных транзисторов подключены к первой шине питания, исток первого ключевого транзистора подключен к шине нулевого потенциала, затвор и исток второго нагрузочного транзистора подключены к затвору третьего ключевого транзистора, затвор и исток третьего нагрузочного транзистора подключены к стоку четвертого ключевого транзистора, исток четвертого ключевого транзистора подключен к стокам третьего...
Устройство для записи-считывания
Номер патента: 574773
Опубликовано: 30.09.1977
Авторы: Еремин, Стоянов, Сухоруков, Толстых, Хорошунов
МПК: G11C 7/00
Метки: записи-считывания
...транзистора. Сток транзистора 5 подключен к выходу усилителя 1 считывания и к затвору первого выходного транзистора 8. Ис ток транзистора 9 объединен со стоком транзистора 8, исток которого связан с шиной 10 нулевого потенциала. К первому входу элемента ИЛИ - 1-1 Е 7 подключен один вывод элемента 11 задержки, другой вывод которого 25 подключен и объединенным затворам второго транзистора 2 считывания и первого транзистора 12 считывания и к шине 13 считывания. Истоки транзисторов 2 и 12 такке объединены и подключены к адресной шине 14, к 30 которой также подключены исток транзистора 5 записи и исток третьего транзистора 15 считывания. Затвор транзистора 15 связан с выходом элемента ИЛИ - НЕ 7, а сток объединен со стоком первого...
Устройство записи и считывания информациидля накопителей ha мноп транзисторах
Номер патента: 830563
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Ваняшев, Мякиньков, Тищенко
МПК: G11C 7/00
Метки: записи, информациидля, мноп, накопителей, считывания, транзисторах
...источник 8 питания неучаствует, так как изолируетсяразделигельным диодом б за счет егозапирания отрицательным напряжениемзаписи Б, возникающим на выходеоткрытого формирователя 5 записи.В режиме Считывание на входдешифратора 3 адреса из блока 4 управления пэсгупает сигнал Считы:вание 1, по которому дешифратор3 адреса обеспечивает запуск соответствующего формирователя 1 считывания. При этом на вход накопителя 2 поступает импульс считывания0 , амплитуда которого задаетсясцивторым источни ком 8 питания (импульспоступает через диод б и выбранныйформирователь 1 считываниями. В данномрежиме не участвует первый источник7 питания, так как при этом формирователь 5 записи находится н закрытом состоянии,В предлагаемом устройстве каждый...
Предыдущий патент: Устройство управления числовыми линейками криотронного ассоциативного запоминающегоустройства
Следующий патент: Буферное запоминающее устройство
Случайный патент: Устройство для измерения размеров объектов