Патенты с меткой «электронорезист»

Номер патента: 721794

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Быстрова, Вайнер, Дюмаев, Лиманова, Эрлих

МПК: G03C 1/68

Метки: позитивный, электронорезист

...примеру 1. Чувствительность резиста к электронному лучу составляет 7,810 Кл/см по сравнению с 1,4 10 Кл/см для аналогичного резиста на основе полиметилметакрилата.П р и м е р 3. Так же, как в примере 1, получают гидролизованный полиметилметакрилат с кислотным числом 170 мг КОН/г (время реакции 8 ч)(Готовят раствор 10 г укаэанно 1 о.полимера в 150 мл смеси растворителей того же состава, что в примере 1 получая электронорезист следующего состава, вес.%:Гидролиэованный полиметилметакрилат 7,0 Этилцеллозольв 48,2 Бутилацетат 27,3 Толуол 17,5 Далее действуют аналогично приме (1 у 1, Чувствительность резиста к электронному лучу составляет 6,3 10Кл/см по сравнению с 1,310 Кл/смййдля резиста на основе полиметилметакрилата.П р и м е р,...

Номер патента: 701324

Опубликовано: 23.06.1981

Автор: Мартынова

МПК: G03C 1/68

Метки: электронорезист

...травления фреонами.Затеи защитную маску снимают с помощью ионного травления в аргоне.Сравиительйые данные известногоэлектронного резиста и заявляемого,известного способа электронолитографин и заявленного приведены 1. табл, 1, 2. 20 3 7013Подложками служат окнсленные шайбы кремния 60 к 60, Толщина окисла по.рядка О, мкм. Температуру испаревияизиеняют от 30 аС до 160 С в следующем режиме:ЗОфс - 5 мнн50-150 С - 10 мин150-1600 С - 5 минПолучены глянцевые пленки, равномерные по толщине. Толприну пленки 1 Оопределяют на эллипсометре. Она сос-.тавляет 0,2 мкм.Полученную пленку чувствительногослоя затем экспонируют электронамина электронно-лучевой установке "Элуврнеподвижным расфокусированным лучомпри следующих параметрах:диаметр...

Номер патента: 1056123

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Игнашева, Калошкин, Корчков, Мартынова

МПК: G03C 1/68

Метки: электронорезист

...и толщины защитной маски,Наличие сурьмы в полученных защитных масках и их высокая термостабильность открывает новое Функциональное назначение резиста - возможность использования его в ка- . честве истоцника диффузанта сурьмы в полупроводниковую подложку и менять тип ее проводимости.П р и м е р 1, Получение защитной маски негативного типа и р- п перехода.Пленку чувствительноГо слоя наносят на установке УВНР 2, для чего 0,2 г (винил,стибин) силсес" квиоксана помещают в испаритель тигельного типа и напыляют на холодную подложку кремния Р -типа, расположенную над испарителем на расстоянии 20 смРабочий вакуум в камере 10 мм рт,ст , время испарения вещества 2 мин. Температуру испарителя изменяют от 20 до 150 С в следующем режиме:;30-140 С...

Номер патента: 1078399

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Басенко, Воронков, Данилович, Корчков, Мартынова, Мирсков, Рахлин

МПК: G03F 7/26

Метки: электронорезист

...ЭЛЛИС). В результате воздействия электронов на полученный таким образом слой в нем формируется скрытое изображение за счет способности предлагаемых материалов полимеризоваться под воздействием электронного облучения.Экспериментально установлено, что наиболее чувствительными к действию облучения являются слои на основе аллил- и винилсилатранов. Изображение проявляют путем вакуумного термического реиспарения, для чего под" ложку с пленкой выдерживают в том ;же вакууме в течение 10-15 минопри 110-140 С. При этом не подвергшиеся воздействию облучения участки чувствительного слоя реиспаряются с поверхности подложки.В результате проведенных экспериментов установлено, что рельеф, полученный на пленках метил- и хлорметилсилатрана является...