Логический элемент на биполярных и моп-транзисторах

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСГ 1 УБЛИН 9) И Н 03 К 19/08 19/094 ЕНИЯ ьсается л ьног ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕниям и отщъпиПРИ ГННТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(54) ЛОГИЧЕСКИИ ЭЛЕМЕНТ НА БИПОЛЯРНЫХ И ИОП-ТРАНЗИСТОРАХ(57) Изобретение относится к имтулнойехнике и может быть использовно в:;ифровых схемах, Цель изобртения - повышение надежности устрства путем устранения сквозного тов выходном каскаде. Это достигза счет введения пятого и-канаМОП-транзистора. 1 ил.Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в цифровых схемах.Цель изобретения - повышение на 5дежности путем устранения сквозноготока в выходном каскаде.На чертеже представлена электрическая схема логического элемента.Логический элемент содержит первый 1, второй 2 р-канальные МОП-транзисторы, первый 3, второй 4 и третий5 и-канальные МОП-транзисторы,1 первый б и второй 7 биполярные и-р-итранзисторы, входную шину 8, шину 9питания, общую шину 10, выходную ши ну 11.Входная шина 8 соединена с затворами транзисторов 1, 3 и 5. Исток, транзистора 1, сток транзистора 5 иколлектор транзистора 6 соединены сшиной 9 питания, Сток транзистора 1соединен со стоком транзистора 3,затворами транзисторов 2 и 4 и базойтранзистора 6, эмиттер которого со".единен с выходной шиной 11 и коллектором транзистора 7. База транзистора 7 соединена со стоками транзисторов 4 и 2, исток которого соединенс истоком транзистора 5. Истоки транзисторов 3 и 4 и эмиттер транзистора7 соединены с общей шиной 10.Логический элемент работает слеДующим образом,При подаче на входную шину 8 киз кого потенциала логического "0"транзистор 3 закрыт, транзистор;открыт. При этом на стоке транзистора 1 сформирован потенциал, близкийпо величине напряжению источника питания; который удерживает транзистор 402 в закрытом состоянии, а транзистор4 - в открытом. Открытое состояниетранзистора 4 формирует на базетранзистора 7 потенциал, близкийпотенциалу общей шины 10, вследствие 45чего транзистор 7 закрыт. Благодарявысокому потенциалу на стоке транзистора 1, на эмиттере транзистора6 (выходной шине 11) сформирован вы"сокий потенциал логической "1". 50При возрастании входного напряжения до величины, равной половине напряжения питания, транзисторы 5 и 2 находятся в закрытом состоянии, так как возникающая при этом разность потенциалов между затворами транзисторов 5 и 2 меньше напряжения отпирания этих транзисторов. Например при величине входного напряжения, равной половине напряжения питания, потенциал на стоке транзистора 1 соответственно также равен половине напряжения питания, т,е, и потенциал на затворах транзисторов 5 и 2 равен этой же величине, а поскольку истоки транзисторов 5 и 2 соединены между собой, то оба эти транзистора закры ты.При дальнейшем возрастании входного напряжения потенциал на стоке транзистора 1 соответственно уменьшается и наступает момент, когда разность потенциалов между затворами транзисторов 5 и 2 становится больше напряжения отпирания этих транзисторов. При этом транзистор 4 еще открыт и поэтому транзистор 7 продолжает оставаться закрытым, вследствие чего сквозной ток через .транзисторы выходного каскада не протекает.К моменту, когда потенциал на стоке транзистора 1 становится близким к потенциалу общей шины 10, транзисторы 4 и 6 закрываются, а транзисторы 5 и 2 максимально открываются, что приводит к формированию такого базового тока транзистора 7, при котором этот транзистор входит в насыщенное состояние, на выходной шине 11 присутствует низкий потенциал логического "0" и сквозной ток через транзисторы выходного каскада не протекает.Формула и з о б р е т енияЛогический элемент на биполярных и МОП-транзисторах, содержащий входную шину, соединенную с затворами первого и второго МОП-транзисторов, шину питания, соединенную с истоком первого МОП-транзистора и коллектором первого биполярного транзистора, база которого подключена к стокам первого и второго МОП-транзисторов, эмиттер - к выходной шине и коллектору второго биполярного транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, база подключена к стокам третьего и четвертого МОП-транзисторов, затворы которых подсоединены к стоку первого МОП-транзистора, а истоки второго и четвертого МОП-транзисторов-кобщейшине, отлич аю 1 п и й .с я тем, что, с целью повыше ния надежности, в него введен пятый158 7 Составитель А,ЦехановскийТехред М;Дидык Корректор А,Обручар Редактор Н.Тупица Заказ 3996 Тираа 664 ПодписноВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.уагород, ул. Гагарина, 101 516 ИОП-транзистор, причем сток пятого. ИОП-транзистора соединен с шиной пй тания, затвор - с входной шиной, исток - с истоком третьего МОП-транзистора, первый, третий ИОП-транзисторы - одного типа проводимости, второй четвертый, пятый МОП.-транзисторы - другого типа проводимости, первый и второй биполярные транзисторы - одного типа проводимости.