H01G 4/12 — керамические диэлектрики

Номер патента: 1138397

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Аржановская, Бондаренко, Девликанова, Очиров, Резниченко, Фесенко

МПК: C04B 35/495, H01G 4/12

Метки: керамический, материал

...5,90 - 6,031. 1. О0 54 - 1,10В 02 10 63 - 1 20Синтез материала осуществляют путем реакции в твердой фазе. Температура синтеза 1050 С в течение 1-3 ч,оСпекание проводят методом горячегопрессования при 1000 - 1100 С, дав 0лении 4 -10 Па г, течение 40 мин.Поляризацию образцов проводят в силио 50коновом масле при 170 С в течение45 мин в поле напряженностью 3,54,0 кВ/мм с последующим охлаждением 7 2под полем до 90 оС. Данные о технологических и диэлектрических характеристиках составов системы хВаО- уИЬ О .-гТп О -цЬ О-ъ 7 ВО приведены, в табл. 1.Положительный эффект предлагаемо.го материала обусловлен его качественным и количественным составом, что подтверждается примерами 4 и 5, демонстрирующими ухудшение свойств за пределами предлагаемой...

Номер патента: 1258825

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Алексеева, Балакишиева, Бертош, Дорохова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Питушко, Ротенберг, Самойлов, Трояновская

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...10МпСО05Оксид из граз12588 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления. низкочастотных керами ческих конденсаторов.Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь и повьппение сопротивления изоляции керамики при максимальной рабочей температуре. 10Предлагаемую шихту для изготовюления сегнетокерамического конденсаторного материала получают следующим образом.Предварительно известным в керами ческом производстве образом изготавливают спеки титаната бария и цирконата кальция. Полученные спеки измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г. Измельченные спеки,Свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных кон 20 денсаторов...

Номер патента: 1291580

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Кузьмина, Никифорова, Сафонов, Сорокина, Чабан

МПК: C04B 35/01, H01G 4/12

Метки: керамический, материал

...С в течение 20-25 ч, Дляпроведения измерений электрофизичес 10 ких параметров полученный материалзапрессовывают в коксиальный датчик(Р = 1500 кг/см ) и измеряют емкостьи электросопротивление по ГОСТУ начастоте 1 кГц, величины с. и ТКЕ оп-.ределяют расчетным путем,Электрофизические свойства предлагаемого керамического материалаприведены в таблице. ров а Целью изобретения является увеличение диэлектрической проницаемости и удельного объемного электросопротивления при сохранении нулевых значений температурного коэффициента ди электрической проницаемости.Предлагаемые составы получают по известной керамической технологии. С т 1 СаО 342,3 10 2,3 10 199,00 99,00 0 2,1 10 198,00 198,00 0 2,6 с 0" 4 М 80 34А 1 0 33ТеО 33 5 МКО 40А 10 20 ТеО...

Номер патента: 1296548

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Петров, Сафонов, Филаткина, Чабан

МПК: C04B 35/057, H01G 4/12

Метки: керамический, материал

...необходима температурная стабильность электрофизических параметров, а именно сохранение удельного объемного электросопротивления на уровне 10 -10 Ом см в,интервале 10 20-500 С при диэлектрической проницаемости с =200-300 и температурном коэффициенте диэлектрической проницаемости ТКЕ= О.Цель изобретения - увеличение удельного объемного электросопротивления, диэлектрической проницаемости и верхней температурной границы нулевых значений температурного коэффициента диэлектрической проницаемости,Материал получают по известной керамической технологии. Исходную смесь оксидов вольфрама и теллура и карбоната кальция перетирают в агатовой ступке в присутствии ацетона до полного его испарения. Полученную гомогенизированную смесь помещают в...

Номер патента: 1308598

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Бертош, Давыдова, Ларичева, Мамчиц

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

...1330130 131030 13 10+30 13000 0,8 10 11000 О,б 5900-7800 Известный 1360+20 ВНИИПИ Заказ 1771/20 Тираж 588 Подписное Произв-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности ксоставам керамических диэлектриков,и может быть использовано для изго"товления низкочастотных керамическихконденсаторов.Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости сегнето"керамического материала.Шихту получают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве способом притемпературе синтеза 1220-1300 С поолучают спеки ВаТгО, и СаЕгОэ которыезатем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г.Измельченные спеки ВаТ 10, СаЕгОэи ЯгСо, НЬО, ЕгО и ЕгО, взятые взаданном...

Номер патента: 1315440

Опубликовано: 07.06.1987

Авторы: Варфоломеев, Голубцова, Костомаров, Матвиевская, Миронова

МПК: C04B 35/465, C04B 35/495, H01G 4/12 ...

Метки: керамический, материал

...С25 С 155 С ЪмкФ/см ТК х 101/град,С прмВ/м Состав Предлагаемый б .10 1800 0,45 450+1 0 13-14 2-3 7-8 6-7 7,5 10 1500 0,4 1400 0,35 700-800 0,2 360+10 14-16 2-3 300+10 14-16 2-3 9.101 10" 1655 13-14 2-3,5 6-7 Известный ВНИИПИ Заказ 2271/24 Тираж 587 Подписное Произв.-полигр, пр-тие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 1131Изобретение относится к электронной технике, в частности к составамкерамических диэлектриков, и можетбыть использовано для изготовлениятермокомпенсирующих высокочастотныхконденсаторов с повышенной удельнойемкостью,Цель изобретения - расширение температурного коэффициента емкости иповышение диэлектрической проницаемости керамики и удельной емкостиконденсаторов.Керамический материал получаютследующим образом.Предварительно...

Номер патента: 1318577

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Варфоломеев, Голубцова, Костомаров, Матвиевская, Миронова, Самойлов

МПК: C04B 35/495, H01G 4/12

Метки: керамический, материал

...63,8 0,19 0,15 МпО 0,1 1,96 1,46 ЕгО 0,99 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности ксоставам керамических диэлектриков,и может быть использовано при изготовлении высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов,Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости и снижение температуры спекания керамики,Керамический материал получаютследующим образом.Предварительно известным образомполучают спеки ниобатов натрия-стронция и титаната кальция которые синтезируют при 1200-1250 С, а. затем8 15измельчают до удельной поверхности4000-5000 см /г. После этого полученные спеки смешивают с требуемым количеством МпО и Ег 01 и измельчают доудельной поверхности 5000-8000 см /г.2Из полученного материала формуют образцы...

Номер патента: 1318579

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Евдокимова, Корякова, Сорокина, Хрящева

МПК: C04B 35/465, H01G 4/12

Метки: керамический, материал

...проницаемости,Керамический материал, включающийдититанат магния (М 8 Т 1 О ) и оксидтитана (Т 10 ), дополнительно содер-жит лантано-цериевый концентрат приследующем соотношении компонентов,мас. 7.:Дититанат магния(Т 10 ) 25,0-30,0Лантано-цериевыйконцентрат 0,5-1 5Вводимый в качестве модифицирующей добавки лантано-цериевый концентрат представляет собой выпускаемыйпромышленностью концентрат оксидовРЗЭ состава, мас,7:Оксид лантана18579 гв течение 2 ц, Синтезированный дититанат магния (8 Т 0) измельчается в шаровой мельнице до удельнойповерхности 5000-6000 см /г,Изготовление образцов.Б шаровой мельнице сухим способом смешивается шихта состава,мас, 7.:Дититанат магнияО (МТ 1,0,)Оксид титана(Т 10 ) 25,0-30,0Лантаноцериевый концентрат...

Номер патента: 1364611

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Исупов, Никольская, Ротенберг, Рубинштейн, Торопов

МПК: C04B 35/495, C04B 35/499, H01G 4/12 ...

Метки: керамического, сегнетоэлектрического, шихта

...емкость изготавливаемых из него .конденсаторов и расширить область применения конденсаторов. 2 табл,-5+24,8 0,051 Изобретение относится к электронной, а также к родственной и смежной с ней радиотехнике и может быть использовано в производстве керамических конденсаторов 11 типа группы Н, в том числе для изготовления многослойных монолитных конденсаторов,Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости и расши рение рабочего интервала температур.Материал из шихты получают по обычней керамической технологии,Сначала синтезируют из смеси оксидов стехиометрические соединения: магно. ниобат свинца (РЬ(М 8,МЬ) О),феррониобат свинца (РЬ(ГеЬЬн)Оз), титанат свинца (РЪТ 10). При этом темапература синтеза 750-900 С. Полученные...

Номер патента: 1379288

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Козлова, Мудролюбова, Ненашева, Панасюк, Федорова, Фирсова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: высокочастотных, керамического, конденсаторов, термостабильных, шихта

...парафина), прессуют образцы 115 мм, Гг2 мм при Р = 1000 кг/см, обжигают образцы при 1340-1360 С (подсыпка - бадделеит), 25 годные по внешнему виду образцы металлизируют серебросодержащей пастой, вжигают серебро, после чего проверяют г.р гГ до и после увлажнения, измеряют ТКЕ. 30В зависимости от ТКЕ твердого раствора готовят массу согласно рецептуре по примерам 1, 2 и 3Г 1 ри ТКЕ твердого раствора -(20- 30) 10 град " вводят в рецептуру 107. соединения Ва 11 с 1 гТг 40 г. Если ТКЕ твердого раствора (20-30) 10 град необходимо ввести 407 ВаЫ Тд,гО(пример 1)В случае, когда ТКЕ твердого раствора равно нулю, вводят 207 ВаЩТ 1 О,г (пример 3) .40Согласно примерам 1, 2 и 3 смешивают твердый раствор Ва(Ягп,.И) х х Тг.,гО ВаЫ Тг,гО МпСО, глину...

Номер патента: 1446130

Опубликовано: 23.12.1988

Авторы: Голубцова, Костомаров, Самойлов

МПК: C04B 35/465, H01G 4/12

Метки: высокочастотных, керамического, конденсаторов, термокомпенсирующих, шихта

...2 Е Потери массыпкВ/мм при обжиге, 7.8 - 10 Известный сс ВП)ППИ Заказ 6704/29 Тираж 594 Подписное 1 роизя-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная,:4 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков и может быть использовано при изготовлении высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов.Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости и удель- ного объемного электрического сопротивления керамики при повышенных температурах.Шихту керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих материалов получают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве образом получаютспеки титаната кальция и титаната стронция, которые синтезируют при 1220...

Номер патента: 1458353

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Бахметьева, Виноградов, Уткина, Чупрова

МПК: C04B 33/28, C04B 35/107, C04B 35/468 ...

Метки: керамических

...прочности рпри статическом изгибе на разрывноймашине МР,05 по схеме 3 точек.Окончательный обжиг деталей проводятр окислительной среде при 1630-1650 С,Физико-технические и механическиесвойства деталей из массы ВК 94-1 свведением триметилсилилированногоэтилсиликата остаются неизменными3 ф(см. табл, 3) .В табл. 1,2 представлены христики полуфабриката при различныхсоставах шпикера.В табл, 3 даны Физико-механическиесвойства деталей из массы по извест"ному и предлагаемому способам.1458353 Предлагаемый способ поэватяет получить полуфабрикат с механическойпрочноствю после удаления связки,в 2,0-10 раз большей по сравнению сизвестным способом и повысить выходгодных на этой операции в 2-6 раэ.При этом предел прочности при статическом изгибе...

Номер патента: 1458355

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...в заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомуглекислого марганца и оксидов цинка и ниобия (см. табл. 1). изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки СаЯпО при следующем соотношениикомпонентов, мас.7.: ВаТ 10,8712- 88,97; СаЕгО 7,8-8,.6; ИпСОэ,0,08- О, 10; ИЬО у 0,70,-0,98; ЕпО 0,45- 0,70; Са 8 пОэ 2,00-2,50. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют, следующие характеристики: Е 15000-17000; с 8 с(1,25-2,25)х 10 ф; р при 100 С (5,0-9,1 ГОм м;Е5,0- й -6,4 МВ/м;Т15-25 С;, Тматериала 1260-1300 С. 2 табл. ную смесь...

Номер патента: 1463729

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...ших 1, а в табл. ученных из ших" характеты матернало ности ной пов ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР енсаторов.ель изобретения - повышениетрической проницаемости мате и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамическихконденсаторов, Для повышения диэлектрической проницаемости материалашихта сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материаласодержит в качестве добавки СаЯпОзи каолин при следующем соотношениикомпонентов, мас,Ж: ВаТхОз 86,2188,40, Са 2 тО8,0-9,0; МпСО 0,080,10 БЬО 0,70-0,981 2 пО 0,450,70; СаБпОз 2,17-2,66; каолин 0,200,35. Полученные по обычной керамической технологии составы материалаиз полученной шихты имеют следующиехарактеристики:15000-16800, 8 Ф1463729...

Номер патента: 1474149

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Алексеева, Балакишиева, Бертош, Дорохова, Егоров, Мамчиц, Питушко, Ротенберг, Самойлов, Трояновская

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

....в кермическом производстве образом получают спеки титаната бария И цирконта кальция.Полученные спеки измельчают до удельной поверхности 40005000 см/г. Затем измельченные спеки, взятые в .заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомкарбоната марганца, оксида самария 4 С 04 В 35/46 Н 01 О 4/12 электриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотныхконденсаторов, Для сокращения потерькерамики по микротрещинам при пайкек ней выводов шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала содержит в качестведобавки глину при следующем соотношении. компонентов, мас.%: ВаТО92-98; СаЕгО 0,7-4,0; ИЪО 0,7 -глина 0,2-0,7. Полученный по обычной керамической технологии при1280-1360 С в течение 2 ч...

Номер патента: 1474150

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...изобретения - повышение диэлектрической проницаемости материала.Пихту получают следующим образом.Предварительно известным в керамической технологии способом получают спеки титаната бария, цирконата кальция и станната кальция, которые синтезируют при 1220-1300 С, затем измельчают до удельной поверхности 4000 - 5000 см /г. Измельченные сле- г удельной пов и используют ка конденсат ическом кон ноло бл,1 хты Составы шихты приведеныхарактеристики полученныхматериалов - в табл.2. Ф о а изобре Ших лектрето- онде для изготовления се еского керамического ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССРОЛИСАНИЕ ИЗ ВТОРСНОМУ СВИДЕ заданном соотношении,ребуемым количеством фарганца и оксидов цинка,и циркония.смесь...

Номер патента: 1583393

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Дорохова, Кускова, Продавцова, Ревина, Ротенберг, Юргенсон

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: конденсаторов, сегнетокерамического, шихта

...спирт в количестве 8 Е) и методом прессования изготавливают образцы в виде дисков 2 гослойных монолитных керамических конденсаторов, Для снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов содержит дополнительно УОз при следующем соотношении компонентов, мас.Е: ВаТОз 88,00-89,90; СаХг 03 7,50-7,90; ЕпО 1,40 - 1,65; 1 Ы О 0,80-1,40; ЫЬ О 0,30 - 0,60; МпСОэ О, 05-0, 15 и 70О, 05-0, 30. Полученный из указанной шихты материал имеет следующие характеристики: г, , 9000-14000; йЕ/ Е в интервале температур (-60 +8 8-843; еда 0,0021-0,0048.ЪаИ для испытаний. Образцы обжигают в инотервале температур 1320-1380 С, затем наносят...

Номер патента: 1631056

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Дорохова, Ревина, Ротенберг, Рябинина

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

...помо ики еровкой В таблице аль резиновоишарами в т це сныминой пле че ены с авы шихты чецие 2-4 а 0,4-0,5 ят дополн БК до уде ее 2 м 2/г ч до удельм/г, постельный по -хараканной о р м ис тики ты мате л а и олученных из ука верхностио произво иалов, о б р тени ьной похт то егнеток го мате мельнице рамического кониала, включающая о е ерхности не ГОСУДАРСТНЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(57) Изобретсцие относится к малам радиоэлектронной техники и рдиотехники и может быть использоно в производстве однослойных игослойцых моцолитцых керамических 1 зобретение отцоси радиоэлектронной техники и может быт(51)5 С 04 В 35/46 Н 01 С 4,/12мЫ,ФР 3 2низкочаст отцых конденс атор ов по группе Н 90. Для повышения диэлектрической...

Номер патента: 1712342

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Зеилиня, Кутузова, Новикова, Шитца

МПК: C04B 35/475, H01G 4/12

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...брикеты дробят в фарфоровой ступке, затем измельчают в яшмовом барабане в среде изопропилового спирта. Из высушенной шихты прессуют диски диаметром 12 мм и толщиной 1 мм. В качестве(51)5 С 04 В 35/46, Н 01 6 4/12 при изготовлениии электромеханических преобразователей, работающих в широком интервале температур. Для повышения значения пьеэомодуля сзз пьезоэлектрический керамический материал содержит дополнительно МоОз при следующем соотношении компонентов, мас,: 820 з 75,65 - 75,73; Т 02 22,34 - 22,84; йа 20 1,10-1,12; СГ 20 з 0,16-0,47 и МоОз 0,15-0,44, Полученный по обычной керамической технологии: синтез при 850 С, 2 ч; спекание при 1080 С 2 ч, материал имеет следующие характеристики: еззте 0 110-120; щ д (0,8-1,3)16 сз 1 (2,80 - 3,12)...

Номер патента: 1714702

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Михневич, Нестеренко, Сегодник, Цыбин

МПК: H01G 4/12

Метки: керамический, конденсатор, низкочастотный

...1 и 2 схематически изображепредлагаемый конденсатор; нэ фиг. 3 - график, характеризующий закон изменениконцентрации легирующей добавки (ниобия) вдоль плоскости обкладок конденсаторэКонденсатор содержит диэлектрикплоские обкладки 2, контактные площадк3 для пайки выводов,П р и м е р 1. На керамическую пластину размером 11,5 х 10 х 0,25, изготовленнуиз диэлектрика 1, применяемого в конденсэторе К 10-7 В группы Н 70, методом нэпыления от двух источников, смещенныотносительно друг друга, наносят обкладк2 иэ двуокиси ванадия с примесью ниобияконтактные площадки 3 из серебра для паки выводов. Концентрация ниобия по длинеобкладок конденсатора изменяется от 0,001до 9 ат, по закону, указанному на фиг. 3. 30Нижний предел концентрации ниобия...

Номер патента: 1719357

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Аболтиня, Виноградова, Кутузова, Рамата, Скалозуб, Сухов

МПК: C04B 35/00, H01G 4/12

Метки: диэлектрический, керамический, материал, термокомпенсации

...материал для термокомпенсации содержит дополнительно В 2 УУ 06 и ОИЬОЗ при следующем соотношении компонентов, мас.;: Яг 2 МЬ 207 41,6 - 85,2, В 2 Ю 06 14,0-55,2 и ОМЬОз 0,8 - 3,2. Полученный по обычной керамической технологии материал имеет характеристики, данные в описании. 2 табл. вого спирта в течении 16 ч, затем порошок з брикетируют, Совместный синтез ъ Зг 2 МЬ 207 с добавками ОИЬОз и В 12 ЮОб проводят при 950 ОС, 4 ч. Для спекания образцы 0= 0,012 м прессуют поддавлением 1000 кгс/см, В качестве связки используют Зоуь-.ный водный раствор поливинилового спирта. Спекание керамических материалов 4 проводят при 1140-1180 С, 1 ч. На сошлифсааннна диски наносят ппатиноауа пасту и вжигают при 750 ОС, аким образом получая термостабильные...

Номер патента: 1726452

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Алексеева, Дорохова, Макарова, Мищенко, Пышков, Ротенберг, Тронин

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: конденсаторов, сегнетокерамического, термостабильных, шихта

...а также обеспечение высокой эластической прочности и малого изменения диэлектрической проницаемости при воздействии постоянного электрического поля.Поставленная цель достигается тем, что шихта сегнетокерамического материала, включающая термически разложенный титанил-оксалат бария, (Ч) оксид ниобия и добавку, содержит в качестве добавки оксид кобальта при следующем соотношении компонентов,мас.о.Титанил-оксалат барияВ а Т ОС 204)2.4 Н 20 99,11 - 99,35 Оксид ниобия (Ч) КЬ 205 0,57 - 0,73 Оксид кобальта Соз 04 0,08 - 0,16 Предлагаемый материал готовят па обычной керамической технологии как путем сухого помола и смешения в вибромельнице в течение 4 ч, так и мокрым помолом в шаровой мельнице в гечение 24 ч. Рекомен дуемая удельная поверхность...

Номер патента: 1752197

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Бурилова, Костомаров, Матвиевская, Харламова

МПК: H01G 4/12

Метки: высокочастотных, керамический, конденсаторов, материал

...а 20 з, В 20 з и МпСОз, ее обжига присторонние Фазы, например, ЯпТ 04,1250-1310 С с последующим измельченидм. 20 В 12 Т 120 т 1.а 2 Т 120 т и дрприводящие к ухудЗатем получают борат цинкайутем варкишению электрических технологическихкэрбоната или оксида цйнка и борной кис свойств материала.лоты в кипящей воде йри постоянном пере-При введении в материал СаТ 10 з меньмешивании до получения композиции, шеминимального количества 0,5 мас, , исвключающей ЕпО ВОз пН 20, воду, иполной 25 ключается возможность, регулировки ТКЕ впотери текучести. Йеобходимую"сыпучесть заданных пределах, а при количествах больбората цинка и удаление воды обеспечива-ше максимального 0,5 мэс.,ь ТКЕ возрастают термообработкой при 150 ОС. Получен- " ет, но в то...

Номер патента: 1791428

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Дорохова, Кускова, Пахомова, Продавцова, Ротенберг, Рябинина

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: конденсаторный, материал, низкотемпературный, сегнетокерамический

...82,44 - 89,24 Цирконат кальция 5,34 - 7,52 Оксид неодима 0,77 - 1,41 Пентоксид ниобия 0,24 - 0,56 Оксид цинка1,36 - .1,88 Углекислый марганец 0,05 - 0,19 Цинкоборатное стекло 3,00 - 6,00При этом цинкоборатное стекло имеетследующий состав, мас.%Оксид цинка 47 - 53 Оксид бора 38 - 42Оксид калия 1,8 - 2,2 Оксид натрия 1,0 - ,1,6Оксид свинца 4,4 - 5,0Оксид бария 1 8 - 2,2Керамический материал йриготавливали по следующей керамической технологии,Сначала готовят состав керамики сухимпомолом в вибромельнице в течение 1;5 - 2ч. Загрузку компонентов пройзводят согласно укаэанному соотношению компонейтов;титанат бария, цирконат кальция, оксид неодима, пентоксид ниобия, углекислый марганец, оксид цинка, Помол производят доудельной поверхности...

Номер патента: 1807041

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Балутянская, Бросаева, Еркова, Качан, Попов, Скворцова

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: заготовки, керамической, конденсаторной, многослойной

...и малеиновой кислоты; АФ-12 - моноалкиловый эфир полиэтиленгликоля; латексное связующее - карбоксилсодержащий бутадиеннитрильный латекс, 2) Условия приготовления шликера: время помола суспензии 2 ч, время приготовления шликера 3 ч, время вакуумирования 0,5 - 1 ч.40 Примечания к табл, 2 и 3; параметрыприведены для состава пленки 13 (см. табл.1),Формула изобретения5 Способ изготовления многослойнойконденсаторной керамической заготовки,включающий приготовление шликера с ке рамическим порошком на основе титанатабария, дистиллированной водой и добавка 10 ми, отливку керамической пленки из полученного шликера на металлическуюподложку, сушку пленки, сборку в групповойпакет, прессование и резку пакетов, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с...

Номер патента: 1809932

Опубликовано: 15.04.1993

Автор: Ян

МПК: H01G 4/12

Метки: бесщелочная, диэлектрического, керамического, композиция, литьевая, элемента

...некристаллической фаз двуокиси кремнияв данной композиции.Флюс и некристаллическая двуокиськремния используется совместно с различными количествами альфа-кварца (511 чегВопб В., Татгпзпбцзтг 1 ез Со,). Альфа-кварцизмельчается до частиц размером примерно 2,0 мкм, Изготавливается зеленая лентаи прессуется в стержни размерами примерно 20 х 6 х 3 мм после их термообработки, Затем зти стержни исполЬзуются дляизмерения коэффициента термическогорасширения с помощью дилатометраМеизсЬ, Средние показания коэффициентатермического расширения для диапазонатемпературы 200 - 300 С приводятся в таблице.35 Иэ таблицы видно, что композиции,отвечающие настоящему изобретению,охватывают диапазон коэффициентовтермического расширения...

Номер патента: 1632254

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Заремба, Пахомова, Ротенберг, Рубальский

МПК: H01G 4/12

Метки: конденсаторов, материал, сегнетокерамический

СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНДЕНСАТОРОВ, содержащий титанаты бария и стронция и цирконат металла, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости и сокращения расхода драгметаллов, в качестве цирконата металла использован цирконат стронция при следующем соотношении компонентов, мас.%:Титанат бария - 78,90 - 81,10Титанат стронция - 8,20 - 11,22Цирконат стронция - 9,88 - 10,70

Номер патента: 1586101

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Иванова, Инкина, Камушкина, Картенко, Лимарь, Ненашева, Новиков

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: высокочастотных, керамических, конденсаторов, раствор, твердый

ТВЕРДЫЙ РАСТВОР ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ системы Ba1-yAy (Nd1-xBix)2Ti4O12, где y = 0,10 - 0,15, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости при сохранении значений температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и удельного объемного электрического сопротивления, он содержит в качестве элемента A Pb, x = 0,30 - 0,50.

Номер патента: 1767823

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Блохина, Наумова, Пышков, Тронин

МПК: C04B 35/00, H01G 4/12

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, включающий SrNb2O6, BaNb2O6 и Pb Nb2O6, отличающийся тем, что, с целью снижения относительного изменения диэлектрической проницаемости под действием постоянного электрического поля и снижения температуры спекания, он содержит дополнительно GeO2, B2O3 и Cu2O при следующем соотношении компонентов, мас.%:SrNb2O6 - 35,0 - 58,9BaNb2O6 - 20 - 30PbNb2O6 - 20 - 30GeO2 - 1 - 4B2O3 - 0,05 - 0,5Cu2O - 0,05 - 0,5

Номер патента: 1829320

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Миненков, Самохвалов, Шубин

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: сегнетоэлектрического, стеклокристаллического

...табл.1829320 мула иэо етени СТЕКЛОКР ЭЛЕКТРИЧ ающий ра щей Т 102 цию и о о, с цель и проница качестве восний и дополследующем мас %27,3 - 28,02,8-5,267,5 - 69,2 едут на возСПОСОБ СТАЛЛИЧЕСК СКОГО МАТЕ плавление ш восстановител жиг, отличаю повышения ЛУЧЕНИЙ ОГО СЕГНЕТО РИАЛА, включ хты, содержа кристаллиэ щийся тем, ч иэлектрическоПО и тнко Составитель Л, Ко Техред М.Моргентал Редак Л. Филь Заказ 2 Тираж НПО "Поиск" Роспатента13035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/ Подписно Производстве здательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 1,01 Изобретение относится к производствустеклокристаллических материалов и можетбыть использовано при создании элементовмощных газовых лазеров, в частности приизготовлении предионизаторов, а также в...