Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала

Номер патента: 1458355

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...в заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомуглекислого марганца и оксидов цинка и ниобия (см. табл. 1). изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки СаЯпО при следующем соотношениикомпонентов, мас.7.: ВаТ 10,8712- 88,97; СаЕгО 7,8-8,.6; ИпСОэ,0,08- О, 10; ИЬО у 0,70,-0,98; ЕпО 0,45- 0,70; Са 8 пОэ 2,00-2,50. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют, следующие характеристики: Е 15000-17000; с 8 с(1,25-2,25)х 10 ф; р при 100 С (5,0-9,1 ГОм м;Е5,0- й -6,4 МВ/м;Т15-25 С;, Тматериала 1260-1300 С. 2 табл. ную смесь...

Номер патента: 1474149

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Алексеева, Балакишиева, Бертош, Дорохова, Егоров, Мамчиц, Питушко, Ротенберг, Самойлов, Трояновская

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

....в кермическом производстве образом получают спеки титаната бария И цирконта кальция.Полученные спеки измельчают до удельной поверхности 40005000 см/г. Затем измельченные спеки, взятые в .заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомкарбоната марганца, оксида самария 4 С 04 В 35/46 Н 01 О 4/12 электриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотныхконденсаторов, Для сокращения потерькерамики по микротрещинам при пайкек ней выводов шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала содержит в качестведобавки глину при следующем соотношении. компонентов, мас.%: ВаТО92-98; СаЕгО 0,7-4,0; ИЪО 0,7 -глина 0,2-0,7. Полученный по обычной керамической технологии при1280-1360 С в течение 2 ч...

Номер патента: 1244129

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Андреева, Балакишиева, Бертош, Голубцова, Горонович, Жуковский, Ротенберг, Соловьева, Суслина

МПК: C04B 35/468

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

...значений емкости в интеровале температур от - 60 до +125 Си повышение удельного сопротивления 10керамики,Предлагаемую шихту сегнетокерамического конденсаторного материалаполучают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве образом изготавливают ВаТО которые синтезируют3при 1200-1300 С и измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г, Затем полученные в отдельности ВаТО, 20и СаЕгО смешивают в требуемом созотношении и обжигают при 1400 С в течение 2 ч. К полученной таким образомсмеси добавляют в требуемом соотношении МЬ,О МпСО ОУ 20 РхО и1 ЬО смешивают и измельчают доудельной поверхности 5000-7000 см /г.Полученную шихту сегнетокерамического материала используют для изготовления диэлектрика...

Номер патента: 1308598

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Бертош, Давыдова, Ларичева, Мамчиц

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

...1330130 131030 13 10+30 13000 0,8 10 11000 О,б 5900-7800 Известный 1360+20 ВНИИПИ Заказ 1771/20 Тираж 588 Подписное Произв-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности ксоставам керамических диэлектриков,и может быть использовано для изго"товления низкочастотных керамическихконденсаторов.Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости сегнето"керамического материала.Шихту получают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве способом притемпературе синтеза 1220-1300 С поолучают спеки ВаТгО, и СаЕгОэ которыезатем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г.Измельченные спеки ВаТ 10, СаЕгОэи ЯгСо, НЬО, ЕгО и ЕгО, взятые взаданном...

Номер патента: 1463729

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...ших 1, а в табл. ученных из ших" характеты матернало ности ной пов ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР енсаторов.ель изобретения - повышениетрической проницаемости мате и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамическихконденсаторов, Для повышения диэлектрической проницаемости материалашихта сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материаласодержит в качестве добавки СаЯпОзи каолин при следующем соотношениикомпонентов, мас,Ж: ВаТхОз 86,2188,40, Са 2 тО8,0-9,0; МпСО 0,080,10 БЬО 0,70-0,981 2 пО 0,450,70; СаБпОз 2,17-2,66; каолин 0,200,35. Полученные по обычной керамической технологии составы материалаиз полученной шихты имеют следующиехарактеристики:15000-16800, 8 Ф1463729...