Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИСОЦИАЛ ИСТИЧЕСКРЕСПУБЛИК А 1(19) САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ О ИДЕТЕЛЬСТВК АВТОРСКОМ быть использовано для изготовлениянизкочастотных керамических конденсаторов. Целью является увеличениедиэлектрической проницаемости. Цельдостигается за счет введения в материал на основе титаната бария добав м ИЬ 0 явля КОНст олог ра ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ(54) ШИХТА СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГОДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА(57) Изобретение относится к обдиоэлектронной техники и може 1) 4 С 04 В 35/46 Н 01 С ки 2 пО при следующем компонентов материал 85,7-89,8; Са 2 гОз 8- 1,3; 2 гО 0,55-1,0;2 пО 0,50-1,0. При з ношении компонентов 14000. Материал и и по традиционной техн ношении с,7: ВаТ 10 з гСОэ Оф 65 0,50-1,0; мом соотрастает до получают и. 2 табл.1308598 Таблица 1 Содержание компонентов,мас.й, в составе Компоненты 1 2 3 ВаТ 10Са 2 гО,ЯгСО 87,7 85,7 9,0 10,0 1,0 1,3 0,65 0,55 0,8 1,0 Ь,О,0,5 0,75 0,5 0,75 Таблица 2 188 10 Т.к., С Т.об., С Состав Предлагаемый 14000 20 1330130 131030 13 10+30 13000 0,8 10 11000 О,б 5900-7800 Известный 1360+20 ВНИИПИ Заказ 1771/20 Тираж 588 Подписное Произв-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности ксоставам керамических диэлектриков,и может быть использовано для изго"товления низкочастотных керамическихконденсаторов.Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости сегнето"керамического материала.Шихту получают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве способом притемпературе синтеза 1220-1300 С поолучают спеки ВаТгО, и СаЕгОэ которыезатем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г.Измельченные спеки ВаТ 10, СаЕгОэи ЯгСо, НЬО, ЕгО и ЕгО, взятые взаданном соотношении, смешивают любым из известных способов, например,в вибромельнице и измельчают доудельной поверхности 5000-7000 см/г.Полученную таким образом шихту сегнетокерамического материала используют для получения диэлектрика конденсаторов по принятой пленочнойтехнологии путем разлива керамического шликера. Полученные из керамической пленки заготовки конденсаторов обжигают при 1280-1360 С, азатем выполняют сборочные операцииизвестным способом,Составы предлагаемой шихты приведены в табл. 1.Свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных конденсаторов из предлагаемой шихты приведеныв табл. 2. г Формула из обре те нияШихта сегнетокерамического конденсаторного материала, включающая ВаТ 1.0, СаЕгО, ЯгСОэ, ЕгО, МЬ О и добавку, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью увеличения диэлектрической проницаемости, она содержит в качестве добавки 2 пО при следующем соотношении компонентов, мас.7:ВаТхО 85,7-89,8 СаЕгоэ 8,0-10,0 ЯгСОз О, 65-1, 3 ЕгО 0,55-1,0 1 ЬР 0,5-1, О ЕпО 0,5-1,0
СмотретьЗаявка
3980089, 26.11.1985
ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ А-1695
МАМЧИЦ ЭДУАРД ИОСИФОВИЧ, БЕРТОШ ИВАН ГРИГОРЬЕВИЧ, ДАВЫДОВА ЗОЯ ИВАНОВНА, ЛАРИЧЕВА ВЕРА ФЕДОРОВНА
МПК / Метки
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта
Опубликовано: 07.05.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1308598-shikhta-segnetokeramicheskogo-kondensatornogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала</a>