Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала

ZIP архив

Текст

я изготовл ения сегнеточеского кондвн-включающая ВаТО,ЕпО и добавку,еского керамио материала,Мпсо , ИЬ Оч а ю щ а я с саторно СаЕгО отли с целью я тем, что,лектрическойдержит в качеповышения ницаемости, он ГОСУДАРСТНЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ П(НТ СССР(56) Авторское свидетельство СССР В 1258825, кл . С 04 В 35/46, 1986.Авторское свидетельство СССР В 810643, кл; С 04 В 35/46, 1981. (54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА(57) Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков,и может быть использовано для Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности ксоставам керамических диэлектриков,и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамическихконденсаторов.Цель изобретения - повьппение диэлектрической проницаемости,Шихту получают следующим образом.Предварительно известным, способомполучают спеки титаната бария, цирконата кальция и станната кальция ко 8торые синтезируют при 1220-1300 С;затем измельчают до удельной поверх-.ности 4000-5000 см/г. Измельченныеспеки, взятые в заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомуглекислого марганца и оксидов цинка и ниобия (см. табл. 1). изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки СаЯпО при следующем соотношениикомпонентов, мас.7.: ВаТ 10,8712- 88,97; СаЕгО 7,8-8,.6; ИпСОэ,0,08- О, 10; ИЬО у 0,70,-0,98; ЕпО 0,45- 0,70; Са 8 пОэ 2,00-2,50. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют, следующие характеристики: Е 15000-17000; с 8 с(1,25-2,25)х 10 ф; р при 100 С (5,0-9,1 ГОм м;Е5,0- й -6,4 МВ/м;Т15-25 С;, Тматериала 1260-1300 С. 2 табл. ную смесь измельчают до оверхности 5000-7000 см/г уют для получения диэлектриаторов по принятой техноные примеры составов шив табл. 1,2 приведены характерииз шнхты материалов. формула и э о1458355 стве добавки СаБпо при следующем соотноШении компонентов, мас.Е:ВаТО 87, 12-88,97Са 2 го 7,8-8,6 Таблица 1 Содержание компонентов, мас,З Са 2 гОэ МпСО ИЬОСостав ВаТхо 2 по СаВпо 0,98 , 0,70 2)5 0,1 0,58 2,25 0,84 0,09 0,08 0,45 2,0 0,70 Таблица 2 АС/С 100в интервале от минус 40 доплюс 20 С еда 10 оТ, С Тспек)С Епр ) ИВ/м 17000 ф 200 1)250)25 5 5 15400+600 2)150)35 9,15 89 1260 2 20 89 1280 3 15000+600 2) 25 Ю) 25 7,8Известный 10500- 0,75 9-1014000 1300 13201370 5,9 10-25 90 Составитель Л.Касяченко Редактор А.огар Техред М.Дидык Корректор М,Пожощ еа шше ее юеееее шеммме е ФВ аЗаказ 322/27 Тираж 589 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Матери-, лл иэшихты саств, ва 87,12 8,6 88,04 , 8,2 88,97 7,8 ГгГом мпрй100 С МпСО,ИЬ О2 поСазпОэ 0,08-0,10 0,70-0,98 0,45-0,О 2,00-2,50

Смотреть

Заявка

4143614, 03.11.1986

ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ А-1695

МАМЧИЦ ЭДУАРД ИОСИФОВИЧ, БЕРТОШ ИВАН ГРИГОРЬЕВИЧ, САМОЙЛОВ ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ, ЕГОРОВ ЛЕОНИД ИЛЬИЧ, ДАВЫДОВА ЗОЯ ИВАНОВНА, ПОДЛАСЕНКО ЛЮДМИЛА ДАНИЛОВНА, ЛАРИЧЕВА ВЕРА ФЕДОРОВНА

МПК / Метки

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

Опубликовано: 15.02.1989

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1458355-shikhta-dlya-izgotovleniya-segnetoehlektricheskogo-keramicheskogo-kondensatornogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала</a>

Похожие патенты