Патенты с меткой «сегнетокерамического»

Номер патента: 429472

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Андреева, Булкина, Жуковский, Нейман, Семилетова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического

...проницаемости материал адиоэлектронспользовано в мических конИзобретение относится к р ной технике и может быть и производстве монолитных кера денсаторов. Для изготовления монолит ров, согласно известному спо турной стабильностью емкост ющей группе НЗО, применя мический материал Т. Для приготовления матер пользуют спек титаната ба ванный при 1200 - 1250 С, к добавляют, согласно рецепту поненты гТО ВОТО, ЛЪз 05ем не спек зда- браных конденсато собу, с темпера и, соответству от сегнетокера чиваи дна. иала Тисрия, синтезирокоторому затем , остальные комедмет изобретени соб изготовления сегнетокерамического иала для монолитных конденсаторов, чающий получение спека титаната баего помол с титанатом стронция, окисью та, двуокисью титана и...

Номер патента: 565022

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Барашкова, Елизарова, Жуковский, Заремба

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...дополнительно содержит борат кальция и углекислый марганец при следующих соотношениях компонентов, вес. а 1 а,Для получения шихты входящие в нее ком поненты загружают в вибромельницу в видепорошков и размалывают в течение 2 - 3 ч.В результате получают тонкоизмельченный порошок, к которому затем добавляют парафин или раствор каучука. Образцы получают 20 прессованием дисков или отливкой черезфильеру пленки, на которую наносят электроды из палладия. Образцы обжигают в нормальной среде при 1360 - 1420 С с выдержкой в течение 2 - 4 ч и получают конденсаторы.Предлагаемый материал имеет величинудиэлектрической проницаемости, равную или большую 1200, относительное изменение диэлектрической проницаемости в интервале температур в+85 С относительно...

Номер патента: 575339

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Андреева, Жуковский, Исупова, Ротенберг, Савченко, Яськова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...марганец 0,1П р и м е р 2 (по максимуму ввес,Ф).575339 30 Формула изобретения Сост авитеЛ ь П . Ля гинРедактор Б.Федотов Техред Н.Бабурка Ко ректо Д,Мельниченко Заказ 3985/17 Тираж 764 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий,113035 Москва ЖРа шская наб. д. 4 5Филиал ППП Патентф г. Ужгород, ул. Проектная, 4- Диэлектрическая проницаемость 3180, в интервале температур (-60) 125 фС изменяется от 7 до -12,5.Загружают в вибромельницу в виде порошков: 5Титанат бария 98,0Окись самарияОкись йеодима 0,3Пятиокись тантала 1,2Углекислый марганец 0,2П р и м е р 3 (по среднему значению в вес.) .диэлектрическая проницаемость 2950, в интервале температур (-60) - 125 С изменяется от 4,8 до...

Номер патента: 629198

Опубликовано: 25.10.1978

Авторы: Бойс, Михайлова, Продавцова, Соколова

МПК: C04B 35/465, H01B 3/12, H01G 4/12 ...

Метки: сегнетокерамического, шихта

...в кот тернал на основе окислов бария нли стронция титана н висмута чнвает величину диэлектрнческо цаемостн ( с ) только в преде 90 и предназначен для изготовл сокочас тотных конденсаторов 1 Ц Однако известное и зобре те ни недостаточную диэлектрическую цаемость .лый 5 0,4Кальций углекислый 3,4-4,8Тнтан двуокись 25,6-26,9цирконий двуокись 5,3-6,8Лантан окись 0,3-0,5Алюминий окись 0,2-0,6 5Введение двуокиси цкрконня и кальция углекислого обеспечивает высокуювеличину 6 магернала, добавка окисилантана прндаег материалу полупроводниковые свойства, а окись алюминияспособствует полноте вхождения лантанв решетку титана бария, образуюцегосяпри сннтезе нсходных компоненгов, г.е,обеспечивае г хорошую воспронзводимосгьизготовления материала с...

Номер патента: 654580

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Иванова, Кускова, Продавцова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...потери(70 - 100) 10 - 4 на частоте 1 кГц,Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь в керамике. 25Поставленная цель достигается тем, чтошихта для изготовления сегнетокерамического материала на основе титаната бария,включающая ВаТ 10 з, Са(1 пОв, МпСО, иглину, дополнительно содержит 1 чЬ 20 в при 30 следующем ов, вес, %:ВаТ 10, 87,75 - 88,95 СаЯпО, 10,15 - 11,35 МпСОв 0,05 - 0,15 Глина 0,2 - 0,4 1 л 11,О, 0,4 - 0,6В качестве исходных компонентов используют спеки ВаТ 1 Ов, обожженного при 1200 - 1250 С, и СаЯпО обожженного при 1340 в 13 С.Керамический материал изготавливают по обычной керамической технологии - смешением компонентов, оформлением заготовок нужного вида и спеканием их при 1350 в 14 С.Влияние составов шихты на...

Номер патента: 1028644

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Аборинская, Андреев, Андреева, Бертош, Голубцова, Жуковский, Константинов, Макарова, Ротенберг, Соловьева

МПК: C04B 35/468

Метки: сегнетокерамического, шихта

...и углекислый марганец, дополни.тельно содержит окись празеодимаи двуокись титана при следующемсоотношении компонентов, мас.Ъ:ТитанатбарияПятиокисьниобия 1,4-2,0 650,05-0,3 Окисьдиспрозия 0,1-1,0ОкисьиттербияУглекислыймарганец 0,05-0,3Окисьпразеодима 0,2-1,5Двуокисьтитана 0,1-1,0Компоненты шихты перемешиваютв вибромельнице в течение 2-3 ч,в результате чего получают тонкоизмельченный порошок, к которому добавляют поливиниловый спирт либораствор каучука, а затем получаютобразцы либо прессованием дисков,либо отливкой через фильеру пленки,на которую наносят палладиевые электроды. Образцы обжигают при 1360,1420 С в течение 2-4 ч и получаютдисковые или монолитные заготовкиконденсаторов из предлагаемого сегнетокерамического...

Номер патента: 1096700

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Гольцов, Клубович, Мальцев, Мамчиц, Михневич, Нахрова, Ремова

МПК: C04B 35/468, C04B 35/49

Метки: сегнетокерамического, шихта

...дополнительно 45 содержит смесь оксидов бария и бора или смесь оксидов бария и бора с оксидом элемента, выбранного из группы включающей кальций, фосфор и германий, при следующем соотношении 50 компонентов, мас.7; Смесь титаната барияс модицифирующими добавками, выбраннымииз группы, включающейцирконаты, станаты,титанаты щелочноземельных металлов и оксиды редкоземельныхметаллов 98,5-99,8Смесь оксидов барияи бора или смесь оксидов бария и бора соксидом элементавыбранного из группы,включающий кальций,фосфор и германий 0,2-1,5Оксиды бария и бора берут в следующем соотношении компонентов, мас.7.:Оксид бария 35-55Оксид бора 45-65Смесь оксидов бария и бора а окси.дом элемента, выбранного из группыкальций, фосфор и германий, содержитсмесь...

Номер патента: 1244129

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Андреева, Балакишиева, Бертош, Голубцова, Горонович, Жуковский, Ротенберг, Соловьева, Суслина

МПК: C04B 35/468

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

...значений емкости в интеровале температур от - 60 до +125 Си повышение удельного сопротивления 10керамики,Предлагаемую шихту сегнетокерамического конденсаторного материалаполучают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве образом изготавливают ВаТО которые синтезируют3при 1200-1300 С и измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г, Затем полученные в отдельности ВаТО, 20и СаЕгО смешивают в требуемом созотношении и обжигают при 1400 С в течение 2 ч. К полученной таким образомсмеси добавляют в требуемом соотношении МЬ,О МпСО ОУ 20 РхО и1 ЬО смешивают и измельчают доудельной поверхности 5000-7000 см /г.Полученную шихту сегнетокерамического материала используют для изготовления диэлектрика...

Номер патента: 1258825

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Алексеева, Балакишиева, Бертош, Дорохова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Питушко, Ротенберг, Самойлов, Трояновская

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...10МпСО05Оксид из граз12588 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления. низкочастотных керами ческих конденсаторов.Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь и повьппение сопротивления изоляции керамики при максимальной рабочей температуре. 10Предлагаемую шихту для изготовюления сегнетокерамического конденсаторного материала получают следующим образом.Предварительно известным в керами ческом производстве образом изготавливают спеки титаната бария и цирконата кальция. Полученные спеки измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г. Измельченные спеки,Свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных кон 20 денсаторов...

Номер патента: 1271850

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Бертош, Котляр, Ларичева, Мамчиц

МПК: C04B 35/468, H01B 3/12

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

...цирконата кальция и титаната стронция, которые синтезируют при 12201300 С и затем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г, Измельченные спеки и оксид цинка, .взя-тые в заданном соотношении, смешивают и измельчают в течение 1-2 чдо удельной поверхности 5000 -7000 см 7 г. Полученную таким образомшихту используют для получения диэлектрика конденсаторов по известнойв керамическом конденсаторостроенинтехнологии. 10 15 Состав и свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных конденсаторов приведены в табли- в це,держание компонентов, масСостав ВаТз.0 СаЕ БгТО Еп 200 О,-48 О 2 78 5,5 1,3,0 О,8600 0,8 7 Составитель Л, КосяченкоТехред И.Попович Коррект Редактор Н, Яцола ск Заказ 6307 24 40 Поого комитета СССРий и...

Номер патента: 1308598

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Бертош, Давыдова, Ларичева, Мамчиц

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

...1330130 131030 13 10+30 13000 0,8 10 11000 О,б 5900-7800 Известный 1360+20 ВНИИПИ Заказ 1771/20 Тираж 588 Подписное Произв-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности ксоставам керамических диэлектриков,и может быть использовано для изго"товления низкочастотных керамическихконденсаторов.Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости сегнето"керамического материала.Шихту получают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве способом притемпературе синтеза 1220-1300 С поолучают спеки ВаТгО, и СаЕгОэ которыезатем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г.Измельченные спеки ВаТ 10, СаЕгОэи ЯгСо, НЬО, ЕгО и ЕгО, взятые взаданном...

Номер патента: 1440898

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Базуев, Ким, Михайленко, Надолинский, Фотиев, Черных

МПК: C04B 35/49

Метки: основе, свинца, сегнетокерамического, цирконата-титаната

...подвергают тонкому измельчению, прессованию и обжигу при 1230-1250 С 25 с выдержкой 3-4 ч и передают на аттестацию электрофизических свойств. П р и м е р 1. Берут 223,19 г оксида свинца РЬО, 39,95 г оксида титана ТОл и 61,61 г оксида циркония ЕгО; и тщательно перемешивают. Термообработку смеси производят при 820 С 1,5 ч и при 900 С 1,5 ч. Затем продукт закаливают в воде. Согласно данным рентгенофазового и химического 35 анализов получен однофаэный продукт, отвечающий составу РЪТ 1 о,л Его,О О.Синтезированный материал подвергают тонкому измельчению, прессованию, об- жигу и аттестуют на электрофизические40 свойства. Таблица Тангенс Пример, У Диэлектрическая проницаемость, Е / Ео Коэффициентэлектромеханическойсвязи, К. ПлотДисперсия,6 Е...

Номер патента: 1474149

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Алексеева, Балакишиева, Бертош, Дорохова, Егоров, Мамчиц, Питушко, Ротенберг, Самойлов, Трояновская

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

....в кермическом производстве образом получают спеки титаната бария И цирконта кальция.Полученные спеки измельчают до удельной поверхности 40005000 см/г. Затем измельченные спеки, взятые в .заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомкарбоната марганца, оксида самария 4 С 04 В 35/46 Н 01 О 4/12 электриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотныхконденсаторов, Для сокращения потерькерамики по микротрещинам при пайкек ней выводов шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала содержит в качестведобавки глину при следующем соотношении. компонентов, мас.%: ВаТО92-98; СаЕгО 0,7-4,0; ИЪО 0,7 -глина 0,2-0,7. Полученный по обычной керамической технологии при1280-1360 С в течение 2 ч...

Номер патента: 1583393

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Дорохова, Кускова, Продавцова, Ревина, Ротенберг, Юргенсон

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: конденсаторов, сегнетокерамического, шихта

...спирт в количестве 8 Е) и методом прессования изготавливают образцы в виде дисков 2 гослойных монолитных керамических конденсаторов, Для снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов содержит дополнительно УОз при следующем соотношении компонентов, мас.Е: ВаТОз 88,00-89,90; СаХг 03 7,50-7,90; ЕпО 1,40 - 1,65; 1 Ы О 0,80-1,40; ЫЬ О 0,30 - 0,60; МпСОэ О, 05-0, 15 и 70О, 05-0, 30. Полученный из указанной шихты материал имеет следующие характеристики: г, , 9000-14000; йЕ/ Е в интервале температур (-60 +8 8-843; еда 0,0021-0,0048.ЪаИ для испытаний. Образцы обжигают в инотервале температур 1320-1380 С, затем наносят...

Номер патента: 1631056

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Дорохова, Ревина, Ротенберг, Рябинина

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

...помо ики еровкой В таблице аль резиновоишарами в т це сныминой пле че ены с авы шихты чецие 2-4 а 0,4-0,5 ят дополн БК до уде ее 2 м 2/г ч до удельм/г, постельный по -хараканной о р м ис тики ты мате л а и олученных из ука верхностио произво иалов, о б р тени ьной похт то егнеток го мате мельнице рамического кониала, включающая о е ерхности не ГОСУДАРСТНЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(57) Изобретсцие относится к малам радиоэлектронной техники и рдиотехники и может быть использоно в производстве однослойных игослойцых моцолитцых керамических 1 зобретение отцоси радиоэлектронной техники и может быт(51)5 С 04 В 35/46 Н 01 С 4,/12мЫ,ФР 3 2низкочаст отцых конденс атор ов по группе Н 90. Для повышения диэлектрической...

Номер патента: 1726452

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Алексеева, Дорохова, Макарова, Мищенко, Пышков, Ротенберг, Тронин

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: конденсаторов, сегнетокерамического, термостабильных, шихта

...а также обеспечение высокой эластической прочности и малого изменения диэлектрической проницаемости при воздействии постоянного электрического поля.Поставленная цель достигается тем, что шихта сегнетокерамического материала, включающая термически разложенный титанил-оксалат бария, (Ч) оксид ниобия и добавку, содержит в качестве добавки оксид кобальта при следующем соотношении компонентов,мас.о.Титанил-оксалат барияВ а Т ОС 204)2.4 Н 20 99,11 - 99,35 Оксид ниобия (Ч) КЬ 205 0,57 - 0,73 Оксид кобальта Соз 04 0,08 - 0,16 Предлагаемый материал готовят па обычной керамической технологии как путем сухого помола и смешения в вибромельнице в течение 4 ч, так и мокрым помолом в шаровой мельнице в гечение 24 ч. Рекомен дуемая удельная поверхность...

Номер патента: 1726465

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Добрянский, Косарев, Лугаков, Приходько, Чобот

МПК: C04B 35/49

Метки: свинца-лантана, сегнетокерамического, титаната, цирконата

...поддерживающих колец,По достижении определенного давления прессования Ргп через графитовые нагреватели пропускается электрический ток,величина которого определяет максимальную температуру горячего прессования Тгп.1726465 Выход за пределы указанных в предлагаемом способе (табл.1) режимов получения сегнетокерамики ведет к ухудшению электрофизических параметров, которые стано вятся сравнимыми со значениямисоответствующих параметров образцов, получаемых по режимам, указанным в известном способе. По истечении определенного промежутка времени тгп электрический ток отключается и температура в реактивном объеме понижается. После этого проводится снижение величины Ргпдо атмосферного давления, Спеченные образцы шлифуются и подвергаются отжигу...