Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала

Номер патента: 975680

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Андреев, Андреева, Жуковский, Константинов, Макарова, Ротенберг

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...Проектная, 4 П р и м е р 1 по минимуму). Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количестве95,0, затем добавляют к нему,:оксид ниобия 1,0;окись самария 2,0оксид иттербия 1,0 и оксид диспрозия 1,0. Характеристики материаласледующие: удельное объемное сопротивление при +125 С= 1"10 э Ом смтангенс угла диэлектрических потерьпри +20 С Фдд = 0,008,П р и м е р 2 ( по максимуму). Загружают в вибромельницу в виде порош.ков титанат бария в количестве 98,0,затем добавляют к нему,В: оксид самария 0,2, оксид иттербия 0,1 и оксид диспрозия 0,2. Характеристикиматериала следующие: удельное объемное сопротивление при +125 Сб 10" Ом см тангенс угла диэлект(орических потерь при +20 С 1 рГ0,012.П р и м е р 3 (по среднему эначениюу....

Номер патента: 897757

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Никифоров, Урбанович

МПК: C04B 35/497, H01G 4/12

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...но содержит 2 гО при следующем соотношении компонентов, мас.4: РОО 67,0 - 69,01.10 1,0 - 2,02 г 02, 0,1 - 0,5МЬ 20ОстальноеВ табл 1 представлены примерысе гнетоэле ктри це ского ке рами че с ко гоматериала.897757 4 Ь О гго Смесь,РЬО 68,33 0,1 68,33 30,23 68,33 67,00 69,00 0,5 30,03 0,5 30,50 2,00 0,1 29 90 1,00 Таблица 2 Величина диэлектрической проницаемостипри 20 С Температура Удельноесопротивление,Ом. см Тангенс у гла диэлектрическихпотерь Кюри, С Смесь,143,8.10 00 5 чО й,0.109 3,6. 10 3,7 10 560 392 380 510 520 Формул а и зобрет ения В качестве исходных реактивов используют: РЬСО марки "ч", ИЬО - экстракционная и ионообменная,Все исходные смеси приготавливают смешиванием в течение 1 ч в фарфоровой ступке со спиртом. Первый обжиг...

Номер патента: 962263

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Андреев, Андреева, Жуковский, Константинов, Макарова, Ротенберг

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 П р и м е р 1 по минимуму). Загружают в вибромельницу в виде порошков ВаТ 10 э в количестве 93,5 мас.Ъ,, затем добавляют к нему, Ъ: МЬ О 3,5;Сеод 1,0, Ву Оз 1,0 ф ЗЬ 0 0,6;МПСО 0,4. 5Характеристики материала в этомслучае: удельное объемное сопротивление1,2 " 10Ом см при 125 фС,диэлектрическая проницаемость Я2530 при 20 фС; ОП р и м е р 2 (по максимуму). Загружают в вибромельницу,в виде порошков ВаТТОЪ в количестве 97 5 мас,ЪУзатем добавляют к нему, Ъ: МЬ, 0 2,0;СеОф 005 3 Эуо 0 3 ЬООМпСО 0,1.Характеристики материала; удельное объемное сопротивление8,5 хх 10 ф Ом.см при 125 С,...

Номер патента: 1085964

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Андреев, Андреева, Балакишиева, Голубцова, Жуковский, Константинов, Костомаров, Макарова, Ротенберг, Соловьева

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...состана, мас,Ъ:"Ь 2 0,3 - 3,00,3-3,0"2"0,4-4,0Нцт;"Э Остальноеданный материал имеет величину ди электрической проницаемости Е /Г2300-700, а изменение Г в интервалетемператур от -60 до +125" С не превы -мает +20 Ъ, тангенс угла диэлектрических потерь 0,012-0,018 21. 50Однако этот материал не обеспечинает получения величины диэлектрической проницаемости Е/фЕ;, более2600, а также тангенса угла диэлектрических потерь менее 0,012, что 55является его существенным недостатком,Пель изобретения - увеличение диэлектрической проницаемости и уменьшение таыгепса угла диэлектрических 60потерь. Указанная пель достигается тем, что известный сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий НяТ 109, ИЬ 20, 002 или его концентрат"Ь 20 э,...

Номер патента: 1458355

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...в заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомуглекислого марганца и оксидов цинка и ниобия (см. табл. 1). изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки СаЯпО при следующем соотношениикомпонентов, мас.7.: ВаТ 10,8712- 88,97; СаЕгО 7,8-8,.6; ИпСОэ,0,08- О, 10; ИЬО у 0,70,-0,98; ЕпО 0,45- 0,70; Са 8 пОэ 2,00-2,50. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют, следующие характеристики: Е 15000-17000; с 8 с(1,25-2,25)х 10 ф; р при 100 С (5,0-9,1 ГОм м;Е5,0- й -6,4 МВ/м;Т15-25 С;, Тматериала 1260-1300 С. 2 табл. ную смесь...