C04B 35/468 — на основе титанатов бария

Номер патента: 78817

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Горюнов

МПК: C04B 35/10, C04B 35/468

Метки: капселей, керамических, керамической, массы, обжиге, подкладок, применяемых, прокладок, состав

...дает хороших результатов, т. к, титанат бария легко реагирует с шамотом, причем температура расплавления его сильно понижается, что и бывает причиной брака изделий,Порошок А 1 гОз хотя и защищает изделия от соприкосновения с шамотом, но при высоких температурах, которые требуются для получения качественной продукции, А 1.0, также начинает реагировать с титанатом бария. Даже при толстом слое подсыпки титанат бария сравнительно легко диффундирует до шамота и тогда происходит быстрое расплавление изделий. Кроме того, при высоких температурах порошок А 120 з сильно разъедает поверхность изделий. Применение алундовых подкладок и подсыпки из окиси циркония встречает трудности, т. к. эти материалы дороги и дефицитны.Предлагаемая специальная...

Номер патента: 146729

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Айнштейн, Гельперин

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: аппарат, газов, жидкостей, контактирования

...Вращение системы персмешивания совместно с кипящим слоем позволяет увеличить производительность по сравнению с кипящим слоем в поле сил тяжести.Е фа фиг. 1 и 2 представлены два варианта исполнения предлагаемого аппарата. Центробежное поле создается в аппарате с неподвижным газораспределительным устроиством за счет вращения спсц 1 ального перемешивающего устройства 1, состоящего из прямых или изогнутых лопастей и расположенного соосно с цилиндрическим газораспределительным устройством 2. Лопасти перемешивающего устройства укреплены на валу , выводимом из аппарата через сальник 4.При пуске аппарата в кожух 5 подается газ сначала в количестве, необходимом для псевдоожикения невращающегося слоя. Затем приводится во вращение система...

Номер патента: 404815

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Андреева, Жуковский, Морозова

МПК: C04B 35/468

Метки: 404815

...материал, преимущественно для изготовления конденсаторов, содержащий титанат бария, окись висмута, пятиокись 1 гиобия и двуокись церпя.Однако известный сегнетокерамический материал имеет недостаточно высокое значение диэлектрической проницаемости (е це превышает 2000).Целью изобретеиия является повышение диэлектрическои пронццавмости 5 атериала.Это достигается тем, что в предлагаемом материале исходные компонент 1,1 Взяты В сле дующем количествеииом соотношении, вес, %:Титаиат бария 91 - 98,5 Окись висмута 0,45 - 4,5 П 5 тиокись ииооия 1 - 3,5 Двуокись церия 0,05 - 1Компоненты размалывают и оформляют заготовки коидеисаторов, которые после этого спскают при температуре 1300 в 13 Г. 2Величина диэлектрической проницаемости...

Номер патента: 413125

Опубликовано: 30.01.1974

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: 413125

...исходныхериала испол ожжеццый пр % и спек Ва 1000 С в ко едм ет и ампческ рпя и втчича егггя дцв каче чьзуютжанни и иц магсмута с ющпй- элсктристве монпобат сходных 4 - 92 5 - 15 1 - 3 Изобретение относится к области технологии производства радиоаппаратуры и может использоваться при изготовлении керамических конденсаторов,Известен конденсаторный сегнетокерамический материал на основе титаната бария и висмута с модифицирующей добавкой.Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости.Для этого в предлагаемом материале в качестве модифицирующей добавки используют циобат бария при следующем содержании исходных компонентов, вес. %:титанат бария 84 - 92 титанат висмута 5 - 15 ниобат бария 1 - 3Использование твердого раствора...

Номер патента: 416329

Опубликовано: 25.02.1974

МПК: C04B 35/468, C04B 35/475

Метки: 416329

...300 - 400 С. Эи Сьцся 1 у 1)соваСсте 1 к ы сСхцолОГегей 11 зготовгсццЕ Децочцых конденсаторов гибридцых иц СГрязьцых схем. аТ 10 з - цця диктриче ся тем, цячала ца Возщсм коком по,срами вский материал ца осцове В Вз 3 Е,Оз, преимуществешо для получс элек 1 1)1 цСскцх цлсцок с высокой диэле ской процш 1 ясмос)ью, о т л ц ч а ю цЕи й что, с целью поццжсция температуры е:ристаллизяци пленок при их отжигс духе, в него Впедец беСОз при следую личествецом соотцошеции исходцых цецтов, (вес. "): ВаТО - В)Тз 01:80 - 90 10 - 20 О с присоединением заявкиИзобрстецие Отцоспся е; кее)ами ес 1;и:;1 )1 ятериялам для получения пленок с Высокой диэлектрической процицаемостью и может быть использовано цри изготовлении коцдецсаторов с высокой удельной...

Номер патента: 429472

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Андреева, Булкина, Жуковский, Нейман, Семилетова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического

...проницаемости материал адиоэлектронспользовано в мических конИзобретение относится к р ной технике и может быть и производстве монолитных кера денсаторов. Для изготовления монолит ров, согласно известному спо турной стабильностью емкост ющей группе НЗО, применя мический материал Т. Для приготовления матер пользуют спек титаната ба ванный при 1200 - 1250 С, к добавляют, согласно рецепту поненты гТО ВОТО, ЛЪз 05ем не спек зда- браных конденсато собу, с темпера и, соответству от сегнетокера чиваи дна. иала Тисрия, синтезирокоторому затем , остальные комедмет изобретени соб изготовления сегнетокерамического иала для монолитных конденсаторов, чающий получение спека титаната баего помол с титанатом стронция, окисью та, двуокисью титана и...

Номер патента: 438628

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Бурьян, Валеев, Гарбуз, Колчин, Малышевский, Михайлова, Мосина, Пиханова, Смоляр

МПК: C04B 35/01, C04B 35/468

Метки: керамический, конденсаторный, материал

...ди цаемости и увеличение ности. Предлагаемый конд отличается тем, что исх ты в следующем количеПолученную в результате синтеза крупкусмешивают и размалывают с добавкой ЯОз,после чего из нее изготавливают образцы иизделия заготовок (конденсаторов), которые5 обжигают при 1360 - 1420 С в течение 2 час.ЯОе вводят для снижения температуры спекания материала. При смешении и помолесинтезированного материала в агрегатах, футеровка и мелющие тела которых содержат10 кремнезем, ЯОз не вводят.Предлагаемый материал при диэлекгрической проницаемости в при температуре 25 Сне менее 8000 имеет сглаженную зависимостье(Ц (изменение в интервале температур от15 +5 до +85 С не превышает- 35)(+15) %, а Е,р материала при постоянном напряжении...

Номер патента: 470506

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Бойс, Жуковский, Михайлова, Продавцова

МПК: C04B 35/468

Метки: материал, сегнетокерамический

...промышленности и может быть использовано при производстве керамических низковольтных конденсаторов.Известен сегнетокерамический материал на основе титаната бария.Однако этот материал имеет сравнительно низкую диэлектрическую проницаемость.С целью повышения диэлектрической проницаемости сегнетокерамического материала он дополнительно содержит ниобат бария и алюминат лантана при следующем соотношении компонентов, вес. %:Титанат бария 92,7 - 96,0 Ниобат бария 3,0 - 7,2 Алюминат лантана 0,3 - 0,8.Сегнетокерамический материал имеет величину диэлектрической ,проницаемости не менее 1500 при 1 кгц и 25 С. Конденсаторы, изготовленныеиз нового материала, имеют стабильность емкости +15% в интервале рабочих температур от - 60 до +85 С. вление кера...

Номер патента: 474862

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Андреева, Жуковский, Яськова

МПК: C04B 35/468

Метки: материал, сегнетокерамический

...для изготовления монолитных конденсаторов, включающий титанат бария, окись висмута, двуокись церия и пятиокись ниобия.Целью изобретения является повышение диэлектрической проггицаемости.Поставленная цель достигается тем, что известный сегнетокерамический материал доздолнительно содержит двуокись титана прп слегдутощем соотношении компонентов (в вес. %):Титанат бария 64 - 78 Окись висмута 15,6 - 24 Двуокись титана 4 - 6Двуакись церия 0,2 - 4 Пятиокись ниобия 0,2 - 4Материал имеет величину диэлектрической проницаемости е = 1250 - : 1450. Монолитные ,конденсаторы, с толщиной диэлекприка 50 тгклг и менее, изготовленные из данного материала, имеют стабильность емкости в интервале рабочих температур от минус 60 до 85 С5%, а в,интервале...

Номер патента: 480678

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Лошкарев, Семириков, Хрипунов

МПК: C04B 35/468, C04B 35/49

Метки: керамического, шихта

...включающая тиконат бария, отличаю5 целью увеличения интервшения электрофнзическихнительно содержит ортоследующем соотношениитов вес. %:О Цирконат барияОртотитанат цинкаТитанат бария я керамического матанат бария и цирщаяся тем, что, с ла спекания и улучсвойств, она дополитанат цинка при казанных коипонен 12,5 - 18,5 0,5 - 1,0 Основа,после весовой дозиибромельнице, изделия,5 - 1,0Основа. Предлагаемая шихта может быть использована в радиокерамической промышленности в производстве низкочастотных конденсаторов.Известны радиокерамические материалы типа Тна основе ВаТ 103 - ВаХгОз, в которые для снижения температуры спекания вводят легкоплавкие соединения и минерализаторы типа В 120, и ХпО. Соединение В 1201 дефицитно, а сами материалы...

Номер патента: 495290

Опубликовано: 15.12.1975

Авторы: Андреева, Жуковский, Исупова, Савченко, Яськова

МПК: C04B 35/468

Метки: материал, сегнетокерамический

...ляют к нему (вес, %): пя окись самария 3,9; двуокис После этого компоненты вибромельнице в течение зультате получают тонкоиз.шок, к которому затем добавляют поливини. ловый спирт либо раствор каучука, а затем получают образцы прсссованием дисков или отливкой через фильеру пленки, па которую наносят электроды.Образцы обжигают нри 1320 1360 С. в тсчстпс 2 - 4 ч и получают дисковые нли монолИые конденсаторы из этого материала.Полученный сегнетокерампческий,материал пмсст величину диэлектрической проницаемости ,=2500 в 28. Конденсаторы, изготовленные нз этого материала, имеют высокуюЛСстабильность сикости - . (+-20% в нне стервале температур от - 60 до +125 С.Ве,чине диэлектрической пропшаемостп материала на 25% выше, чем у известного...

Номер патента: 565022

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Барашкова, Елизарова, Жуковский, Заремба

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...дополнительно содержит борат кальция и углекислый марганец при следующих соотношениях компонентов, вес. а 1 а,Для получения шихты входящие в нее ком поненты загружают в вибромельницу в видепорошков и размалывают в течение 2 - 3 ч.В результате получают тонкоизмельченный порошок, к которому затем добавляют парафин или раствор каучука. Образцы получают 20 прессованием дисков или отливкой черезфильеру пленки, на которую наносят электроды из палладия. Образцы обжигают в нормальной среде при 1360 - 1420 С с выдержкой в течение 2 - 4 ч и получают конденсаторы.Предлагаемый материал имеет величинудиэлектрической проницаемости, равную или большую 1200, относительное изменение диэлектрической проницаемости в интервале температур в+85 С относительно...

Номер патента: 575339

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Андреева, Жуковский, Исупова, Ротенберг, Савченко, Яськова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...марганец 0,1П р и м е р 2 (по максимуму ввес,Ф).575339 30 Формула изобретения Сост авитеЛ ь П . Ля гинРедактор Б.Федотов Техред Н.Бабурка Ко ректо Д,Мельниченко Заказ 3985/17 Тираж 764 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий,113035 Москва ЖРа шская наб. д. 4 5Филиал ППП Патентф г. Ужгород, ул. Проектная, 4- Диэлектрическая проницаемость 3180, в интервале температур (-60) 125 фС изменяется от 7 до -12,5.Загружают в вибромельницу в виде порошков: 5Титанат бария 98,0Окись самарияОкись йеодима 0,3Пятиокись тантала 1,2Углекислый марганец 0,2П р и м е р 3 (по среднему значению в вес.) .диэлектрическая проницаемость 2950, в интервале температур (-60) - 125 С изменяется от 4,8 до...

Номер патента: 578288

Опубликовано: 30.10.1977

Авторы: Андреева, Бертош, Жуковский, Мищенко, Нейман, Ротенберг, Соловьева

МПК: C04B 35/468, H01B 3/12, H01G 4/12 ...

Метки: материал, сегнетокерамический

...0,3 иуглекислыи марганец 0,6.П р н м е р 3. (по среднему значешпо,вес. %). Диэлектрическая пронпцаемос 1 ьв=3070, изменение емкости в интервале температур от - 60 до + 125 С состагляет от-10,до - 12%.Загэужают в вибромельнпц В Виде ПО.2 о рошков титанат бария в количестве 95, затемдобавляют к нему окись самария 1,5, углекислый барий 0,3, пятпокись ннобпя 3 и углекислый марганец 0,2.Затем компоненты, указанные в примерах25 1,2 и 3, перемешивают в впбромельнице в течение 2 - 3 час и в результате получают тонкопзмельченный порошок, и которому добавляют полпвинпловый спирт, либо растворкаучука, а затем получают образцы либозО прессованием дисков, либо отливкой через3фнльеру пленки, на которую наносят палладнсвые электроды. Образцы...

Номер патента: 580197

Опубликовано: 15.11.1977

Авторы: Вербицкая, Майдукова, Пашкова, Хоряк

МПК: C04B 35/468

Метки: материал, сегнетоэлектрический

...от филь 15 ического степенью н одно- рпконды%в зобретения являетс овышение оницаемоЦелью максима сти и коэЦель, включаю диэлектрическои пента нелинейности,ется за счет того, чтоаО, Т 10 ЯпО СгзОт ХгОз или ВаХгОзнии компонентов, в301,5 -ьнои ффиц остиг щий В держ тнош 2000 до 1500 35 - 75 в/мм 80 - 15095 - 105 2 э материал, дополнипри следувес. %:32 тельно со ющем сооТРО ЬпО,0 Изобретение относится к области производства материалов с высокими нелинейнымп сегнетоэлектрическими свойствами, в частности, на основе ВаТ 10 з и может быть использовано в производстве керамических материалов.Известен материал для нелинейных сегнетоэлектриков типа ВКна основе ВаТ 10 з с добавками окислов 5 п и Сг, обладающий следующими характеристиками 1:...

Номер патента: 606842

Опубликовано: 15.05.1978

Авторы: Бегинина, Гетманец, Зиньков, Мартиросов, Сидоров, Цилюрик

МПК: C04B 35/465, C04B 35/468

Метки: керамического

...1200-1300 фС,Целью изобретения является упрощение процесса и повышение качества конечного продукта.Предлагается способ нолучения керамического материала на основе твердого раствора титаяата бария-кальция,модифицированного окисью кобальта,путем суспендирования компонентов вжидкой среде, отделения твердой фазы, ее сушки, термообработки с последующим формованием изделий и обжигом их, отличающийся тем, что предварительно осуществляют осаждение кобальта углекислого взаимодействиемкристаллической соли кобальта аэотнокислого с раствором аммония углекислого при комнатной температуре, а восадок, суспендированный в воде с добавлением аммиака, вводят порошкообразные барий и кальций углекислые, атакже двуокись титана, причем...

Номер патента: 620461

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Кузьмина, Лискер, Мудролюбова, Поломошнова

МПК: C04B 35/01, C04B 35/462, C04B 35/468, H01G 4/12 ...

Метки: керамики, конденсаторной, шихта

...содсь бария,га, двуокиы кальция ест го мате ма, ок висму окисл г ана,окись цирк оння,ронция ил оло сме высокочастотных керамичеторов в радноэлекгроннВ настоящее времяразличных типов высоксаторов термосгабильшироко применяют кералы на основе твердых(са,) а)(т 1,АЮОИВеличина дизлекгричесмости ( 6 ) таких херамириалов с ТКЕ щО - 75,превыщаег 40-55.Известны керамическиетеми же значениями ТКсстемы Са)сТ МЪО СсТтНо величина диэлекгрицаем ости таких материалет 55 7(21) 244247 Э/2 ЭМудролюбова, К, Е. Лискер, Н, и Л. Е. Кузьмина МатериалнзготовлеищМ ив ат ой щихгы, имеет диэлектрическую л Е =66 при ПСЕ+ЗМ 20)и 1 б рад 1, Я а 69 при ТКИ-(76+201 к 10 рад, к 78 при ТКс фф -(47120)х 10 гради ба 87 при ТКбО. При относительно высоком значении...

Номер патента: 628133

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Буркова, Кириллов, Лискер, Мудролюбова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: высокочастотных, конденсаторов, термокомпенсирующих, шихта

...37,5 О 2 О) и 4 5 аО, угЛекислый барий из расчета 19% и 39,5 Т 02.Полученную смесь загружают в вибромельницу при соотношении шаров и материала 16-4):1 и смешивают в течение 30-60 мин, после чего шихту прокаливают при температуре 1280- 1320 С с двухчасовой выдержкой. Полу ченный продукт размалывают до удель"9 ной поверхности 6,000-8,000 см"/г,8133 ф8 = (2-3) 10 1, . при 1: 1550 С1210 ом см. 19, 0-19, 2 16,6-37,5 Окись барияОкись неодимаДВУОКИСЬ титана Окись лантава Составитель В.СоколоваТехред А.Алатерев Корректор М.Демчик Редактор Л.Емельянова Заказ 5732/21Тираж 751 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, 3-35, Раушская иаб., д. 4/5Филиал ППП Патенту Г. УЕГОРОДУ...

Номер патента: 643470

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Александрова, Вербицкая, Марьяновская, Назарова, Синельников, Соколова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: керамический, конденсаторов, материал, сегнетоэлектрический, термочувствительных

...обазательным условием при компенсации уходачастоты пьезоэдектрическогогенервтора.26 Недопустимым также явлаетса и большой температурный гистерезис емкости, характерный для материала с высокой% 8800/75 БНИИПИ аз 793 У 22 Патент, г. Ужгород, ул, Проектна диэлектрической проиицаемостью. Введение малыхдобавок, например,0,001-0,1 вес.% авдаетса весьма нетехнологичным и неизбежно вызывает значительные фдуктуацни состава, Кроме того, такие добк, МПО, ИЪоб,ОО, очень сильно влияют на точку Кюри и малейшее нарушение рецептуры вызванное сложностью Введения малых дооавок и приводит к нежелательному изменению электрических свойств материала,Бель изобретении - повышение стабильности точки Кюри и обеспечение температурной зависимости...

Номер патента: 654580

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Иванова, Кускова, Продавцова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...потери(70 - 100) 10 - 4 на частоте 1 кГц,Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь в керамике. 25Поставленная цель достигается тем, чтошихта для изготовления сегнетокерамического материала на основе титаната бария,включающая ВаТ 10 з, Са(1 пОв, МпСО, иглину, дополнительно содержит 1 чЬ 20 в при 30 следующем ов, вес, %:ВаТ 10, 87,75 - 88,95 СаЯпО, 10,15 - 11,35 МпСОв 0,05 - 0,15 Глина 0,2 - 0,4 1 л 11,О, 0,4 - 0,6В качестве исходных компонентов используют спеки ВаТ 1 Ов, обожженного при 1200 - 1250 С, и СаЯпО обожженного при 1340 в 13 С.Керамический материал изготавливают по обычной керамической технологии - смешением компонентов, оформлением заготовок нужного вида и спеканием их при 1350 в 14 С.Влияние составов шихты на...

Номер патента: 654581

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Варикаш, Мяльдун

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: высокой, диэлектрической, материал, проницаемостью, сегнетокерамический

...описываемого материала приготавливают смесь компонентов в необходимых соотношениях изпредварительно синтезированных спеков ВаТ 1 ОЭ, Ваго э и МдНЬ ОСмесь спеков измельчают до удельной поверхности 5 - 7 10 3 см /г, Полу 2ченную массу пластифицируют известными методами. Формуют в изделия ио,обжигают при температуре 1340-1370 Св течение 1,5-3 ч.Примеры конкретных составов предлагаемого материала и их свойства даны в таблице,Сегнетокерамический материал, имеющий состав, вес.Ъ: ВаТ 10 Э 85,Ва 1 гО э 14, Мо МЬ Ов 1, характеризуется следующимй свойствами:Диэлектрическая проницае-.мостьОтносительное изменение со 8 5 при температуре +85 С,Относительное изменение Епри температуре -40 С, Ъ 90й654 581 Относительное изменениереверсивной Я, Ъ 33 О,...

Номер патента: 658114

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Пономаренко, Харченков

МПК: C04B 35/00, C04B 35/457, C04B 35/468 ...

Метки: материал, стеклокерамический, термокомпенсированный

...тем, что термокомпенсированный стеклокерамическийматериал, включающий 70-75 масс,Ъкерамического материала и 25-30 масс.Ълегкоплавкого свинцовоборного стекла,он содержит в качестве керамическогоматериала смесь сегнетокерамическихматериалов состава: Ва Т(5 н ОВа Т 19 по 1 о ОВа ТоЕВ З" оЛ ОВВа Т(оао 9" о,о Овзятых в равных массовых соотношениях. Причем, свинцовоборное стеклоимеет температуру растекания 5500 оСВ табл. 1 приведен состав предлагаемого термокомпенсированного стеклокерамического материала,658114 Таблица 1 мпоненты ри соотн Керамический материалнии компонентов:юВооРэ Вц" о 9ВОТ 1 овь ВпрОз ВсмТ 1У т О 10 Э 1 ро о,ро1: 1: 1 0 Свинцовоборное стекл Технология приготовления и гаемого материала и изготовле из него конденсаторов...

Номер патента: 687043

Опубликовано: 25.09.1979

Авторы: Пепеляев, Самойлов

МПК: C04B 35/468, C04B 35/49

Метки: керамических, конденсаторов, шихта

...АЕ Для получения данного материала приготавливают смесь в необходимых соотношениях из предварительно синтезированных известными способами спеков ВаТ 10 е ВаЕгО с добавками ЕпО, В 1 О и мелкодисперсного металлического А 0. Смесь спеков с добавками измельчают до удельной поверхности 5000-7000 см"/г, Полученную массу пластифицируют известными. способами, формуют в изделия иообжигают при 1300-1400 С в течение 1 - 3 ч,687043 В 1 ОМелкодисперсный М 0,6 0,45 0,30,25 2,0 1,012 0,25,81,3 84,238 87,17515,0 13,5 12,01,1 0,8 0,5 ВаТ 101Ва ЕгоЕпо 13000- 790014700 10100 1325015120 Тангенс угла диэлектрических потерь,Ьр 10 0,72-1,03 0,83-1,12 0,94-1,32 1,05-1,67 Удельное объемное со-,противление, Вил 10ом см 2,9 .-3,4 3,8-4,4...

Номер патента: 688480

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Балашова, Колчин, Михайлова

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, конденсаторный, материал

...60- - 75 л 5 л 5 и толщ 55 ной 10 - 12 люлю в электрических печах с сплптовыми нагревателя ми. Цель изобретения - снижение тангенс;угла диэлектрических потерь и тсмпературы спекания.68"-430 0,5 в 1,2 5,8 - 6,8 5,8 - 6,8 0,1 - 03 1,8 2,4 0,3 - 0,9 0,2 - 0,3 3,9 - 0,9 Остальное Уг 02ЗпО:ЯпО,ЯгпзОзВ 20 з5 О,Мпзоз или Мяо ЬгОВаО ТаблицаСостав, вес, % Компоненты О Приготовление материала производят следующим образом. Готовят шихты из спеков двух составов путем смешивания и ломала окислов, взятых в указанных соотшениих,15 Таблица 2 Шихта состава 1, вес. % о оо аиО о очи Д В е" о ОИ 9 ЯгОТ 02В 20 з 39,0 - 412,2 40,4 - 40,6 16,5 - 19,0 аО са"ЙМ - о 20 Состав материала,вес. %Шихта состава 2, вес. % 3000 0,001 2550 0,001 2600 0,0009 58,5 -...

Номер патента: 692812

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Андреева, Барашкова, Жуковский, Макарова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: материал, сегнетокерамический

...средму содержанию их.Сегнетокерамическнй материал полуают следующим образом,Загружают в вибромельницуорошка титанат бария, затемяют к нему двуокись титана,кись ниобия, окись диспроэия нглекислый марганЕц. После чего компоенты перемешивают в вибромельницетечение 2-3 ч и в результате полу,692812 Компоненты, вес. Характеристики Пример Титанатбария Углекис- Диэлектрилый мар- ческая проганец ницаемость Двуокисьтитана Окись диспрозия Пятиокисьниобия Измененияемкости винтервалетемпературот -60до 125 С 2,6 0,4 1600 94 от+3 до-4,6 0,1 0,5 97 0,4 от +7 8 до -8 р 2 1820 95,51,55 3 1,5 0,15 1,31730 от +6.,2до,-7, 7 94-97 Титанатбария 0,5-2,61-20,4-20,1-0,4 Двуокись титана Пятиокись ниобия Окись диспрозияУглекислый марганец Составитель...

Номер патента: 697462

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Андреева, Барашкова, Жуковский, Исупова, Макарова, Панова, Савченко

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектический

...наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Титанат бария 94-98Оксид ниобия 0 5-3Оксид самария О, 4-3Оксид иттербия 0,1 - 1П р и м е р 1 (по минимуму), Загружают в вибромельницу в виде порошковтитана бария в количестве 94, затемдобавляют к нему окись самария 3,пятиокись ниобия 2 и окись иттербия 1.Полученный материал имеет следующие характеристики.Удельное объемное сопротивлениепри +125 С ): 510 20 м см (или5000 ГОм;см); б = 2500. Температураспекания 1320-1430 С,П р и м е р 2 (по максимуму). Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количестве 98,затем добавляют к нему окись самария0,4, пятиокись ниобия 1,5 и окисьиттербия 0,1.При этом характеристики материала следующие.Удельное объемное...

Номер патента: 717010

Опубликовано: 25.02.1980

Авторы: Балашова, Колчин, Михайлова, Сазонова

МПК: C04B 35/468

Метки: диэлектрический, керамический, материал

...свойств материала.,3 щелочно-земельного металлаа 2 и 3 - М 9 Рг. ктернстикн этих составов. качестве фторид Варяг, а для сост табл. 2 даны ха для состава в Это достигается тем, что материал, содер.дашин ВаО, ТОг, 8 пОг, СаО ЕгОг, 81 гОз Мпгбз 810 г, 8 п 1 гОз дополнительно содержит бентонит и фторйд щелочноэемельного метал - ла "при следующем соотношении компонейтов,вес,%:ВаО 56,8 - 58,0Т Ог 29,6-29,98 пОг 6,4-7,4СаО2,8-3,1ггсг0,6-1,3Вгг Оз 0,3-0,8МпгОз 0 2 - О 38 Ог 03 - 088 пгг Оз 0,1-0,2Бе нтонит 0,8-1,2Фторид щелоч.ноземельногометалла 0,3 - 0,5Предлагаемый материал е при температуре+25 С от 3150 до 4800, тцЬ в ,не более 0,01,удельное объемное сопротивление 10 г ом.см,температура спекания материала 1260 в 13 С. Материал...

Номер патента: 742417

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Бойс, Волкова, Жуковский, Мартынова, Уткина

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...преимущественно для изготовде порошков загружают следующие компо- пения низковольтных керамических конненты, вес.%;титанвт бария (удельная по-, 20 денсатордв, содержащий титанат бария и верхность не менее 10 м /г) - 96, ; ниобат бария, о т л и ч а ю щ и й с я2ниобат бария - 2,5; оксид лвнтана - 0,3; тем, что, с целью повышения диэлектриоксид титана - 0,8. ческой проницаемости материала, он доХарактеристики материала: диэлектри- попнительно содержит оксиды лантана и ческая проницаемость 5400-6000, изме 25 титана при следующем соотношении комнение емкости в интервале температур понентов, вес.%.минус 60плюс 85 С составляет - 38 Титвнат бария 94,6-96,4 - 12%, тангенс угла диэлектрических по Ниобат бария 2,5-4,9 терь 0,7-1,0, удельное...

Номер патента: 785269

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Ненашева, Ротенберг

МПК: C04B 35/468

Метки: высокочастотных, конденсаторов, термокомпенсирующих, шихта

...содержащая бт.Ъ О, ВаСО, 1 О,3 78а 1 О, содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%;Йг Т 1 ОЬ1-10,0ЩОф 3 (в пересчете 11,4-18,5Т 1 О на да 36 7-39,6с 1 О40,9-41,9В результате высокотемпературногосинтеза предлагаемая смесь приобретаетсвойства высокочастотного конденсаторно-го керамического материала,Материал получают слецующим образом.Отвешивают предварительно прокаленнуюпри 1100-1200 С окись лантана, углекислый барий из расчета 10-18% ВаО,двуокись титана, титанат стронция и помещают их в агатовую струпку; гце вмес.те с цистиллированной, водой производятсмешивание в течение 2 ч. После этогосмесь высушивают.и изготовляют образны согласно ГОСТ 5458-75. Материалы керамические рациотехнические",после чего измеряют их электрические...

Номер патента: 789458

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Вусевкер, Джения, Полонская, Сокалло

МПК: C04B 35/465, C04B 35/468

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...сырьевых материалов используют СаСО, В 0, Т 30, Сг О и й 10. Изменение сз в диапазоне ме- ханического напрякения 20-1500 кг/ /см при Т=650 О С игнетоэлектрикСаВ 4 Т,4 ОВ ангенс диэлек- трических по- терь иэлекьезомодул, д 1 О кн зменениев диапазоне температур 20- 6500 С,Ъ зменение О в диапазоне ме- ханического напряжения20" -1500 кг/ /см о трическая проницаемость,йО Сг ОЬ Чистый 125 0,5 0,05 0,05 60 30 75 99,9 99 8 0 1 0 1 . 129 . 1,0 8,3 20 15 40 99,65 0,2 0,15 167 0,4 15 10 18 10 140 0,8 20 15 99 ф 5 03 0,2 25 99,3 0,4 0,3 123 1,55,5 70 25 80 Тираж 671Подписной, ВНИИПИЗаказ 89 бб/22 г, Ужгород, ул, Проектная, 4 илиал ППП Патент,Исходные вещества смешивают в мокром виде и из полученной шихты прессуют брикеты. Брикеты подвергают...