Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала

ZIP архив

Текст

(54) ПИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА(57) Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности ксоставам керамических диэлектриков,и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Дпя повышения диэлектрической проницаемости шихтаматериала сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавкиСаЯпОз, СеО и ЕгОг при следующемсоотношении компонентов, мас.3:ВаТОр 86,37-88,65,СаЕгО 8,5-9,0,МпСОз 0,08-0,10, ИЬгО,70-0,98,ЕпО 0,45-0,70, СаЯпО 1,50-2,50,СеО 0,02-0,5 и 7 гОг 0,1 0-0,20.Полученные по обычной керамическойтехнологии составы материала иэ предлагаемой шихты имеют следующие характеристики: Е 15500-17000, Сд К(1,15-2,25) 1 0 , У при 100 С 6,0 -9,6 ГОм,м, Ер 7,0-8,4 МВ/м, Т10-20 С, температура спекания материала 1260-280 С. 2 табл. ки, взятые смешивают с Изобретениелектронной те к тноси ся к радио частности диэлектрик ано для из и керамиче нике,ческихпользоастотн оставам кераможет бытьовления низк екислого обия, церн Получ енную ких конденсаторов.Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости материала.Пихту получают следующим образом.Предварительно известным в керамической технологии способом получают спеки титаната бария, цирконата кальция и станната кальция, которые синтезируют при 1220-1300 С, затем измельчают до удельной поверхности 4000 - 5000 см /г. Измельченные сле- г удельной пов и используют ка конденсат ическом кон ноло бл,1 хты Составы шихты приведеныхарактеристики полученныхматериалов - в табл.2. Ф о а изобре Ших лектрето- онде для изготовления се еского керамического ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССРОЛИСАНИЕ ИЗ ВТОРСНОМУ СВИДЕ заданном соотношении,ребуемым количеством фарганца и оксидов цинка,и циркония.смесь измельчают дорхности 5000-7000 см /г для получения диэлектриров по принятой в кераенсаторостроении тех1474150 саторного материала, включающаяВаТхОЗ, СаЕгО, МпСОЗ, УЬО, ЕпОи добавку, о т л и ч а ю щ а я с ятем, что, с целью повьппения диэлектрической проницаемости материала,онасодержит в качестве добавки СаЯпОСеО и ЕгО при следующем соотношении компонентов, мас.7,; Таблица 1 Содержание компонентов, мас,ХГ 3 111 Состав ВаТхО СаЕгО МпСОЗ ИЬО ЕпО СаЯпО СеО ЕгО 1 86,37 9,0 0,10 0,98 2 87)51 8,75 0,09 0,84 3 88,65 . 8,50 0,08 0,70 0,70 2,5 0,15 0,20 О 58 2 О О 08 0 15 О 45 1 5 О 02 О 10 Таблица 24 Гх 10 У, ЕгГОм м, МВ/м ВС/С 100% Тсдвк э(в интер оСваде 40 -20 С) при100 фС 1260 1280 1280 О 7 10 6 8 10 3 8,420 1,15+0, 2,1+0,2 2, 25+0,320-13 90 0 0,7 Составитель Л.КосяченкоТехред М,Дидык, Корректор С.Шекма ктор Н.Гуньк Заказ 1838/22 Тираж 589 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретен 113035, Москва, Ж, Раушскаписно м и открытиям при ГКНТ СССнаб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 1 17000+-200 2 16000 т 400 3 15500+400 Изве-.

Смотреть

Заявка

4173943, 04.01.1987

ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ А-1695

МАМЧИЦ ЭДУАРД ИОСИФОВИЧ, БЕРТОШ ИВАН ГРИГОРЬЕВИЧ, САМОЙЛОВ ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ, ЕГОРОВ ЛЕОНИД ИЛЬИЧ, ДАВЫДОВА ЗОЯ ИВАНОВНА, ПОДЛАСЕНКО ЛЮДМИЛА ДАНИЛОВНА, ЛАРИЧЕВА ВЕРА ФЕДОРОВНА

МПК / Метки

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

Опубликовано: 23.04.1989

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1474150-shikhta-dlya-izgotovleniya-segnetoehlektricheskogo-keramicheskogo-kondensatornogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала</a>

Похожие патенты