Способ получения стеклокристаллического сегнетоэлектрического материала

Номер патента: 1829320

Авторы: Миненков, Самохвалов, Шубин

ZIP архив

Текст

(19) ЯХ (51) б С СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕС ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР)ог) ОПИСАНИЕ ИЗк авторскому свидет 1(71) Томский государственный университет им.В.В.Куйбышева, Научно-исследовательский институт высоких напряжений при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова(72) Самохвалов МА; Миненков В.РШубин Б,Г. (56) Заявка Японии М 4 - 12418, кл. Н 01 В 3/12, 1972.Патент США й 3484258, кл, С ОЗС 3/04,1969 (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА(57) Изобретение относится к производству стек 4 В 35 4 б Н 010 4 1 БРЕТЕНИ локристаплических материалов и может быть использовано при создании элементов мощных газовых лазеров, а также в качестве рабочего тела высоковольтных конденсаторов большой емкости. Дпя повышения диэлектрической проницаемости материала в способе получения стеклокристалпического сегнетоэпектрического материала, включающем расплавление на воздухе шихты, содержащей Т 0, кристаллизацию и отжиг, шихта догполнительно содержит ВаСО и 3 при следующемэсоотношении компонентов, мас%: Т 0 27,3 - 28,0;гВаСО 675 - 692 и Э 2,8 - 52. Величина диэпект 3рической проницаемости полученного материала составляет 450000 - 530000, 1 табл.1829320 мула иэо етени СТЕКЛОКР ЭЛЕКТРИЧ ающий ра щей Т 102 цию и о о, с цель и проница качестве восний и дополследующем мас %27,3 - 28,02,8-5,267,5 - 69,2 едут на возСПОСОБ СТАЛЛИЧЕСК СКОГО МАТЕ плавление ш восстановител жиг, отличаю повышения ЛУЧЕНИЙ ОГО СЕГНЕТО РИАЛА, включ хты, содержа кристаллиэ щийся тем, ч иэлектрическоПО и тнко Составитель Л, Ко Техред М.Моргентал Редак Л. Филь Заказ 2 Тираж НПО "Поиск" Роспатента13035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/ Подписно Производстве здательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 1,01 Изобретение относится к производствустеклокристаллических материалов и можетбыть использовано при создании элементовмощных газовых лазеров, в частности приизготовлении предионизаторов, а также в 5качестве рабочего тела высоковольтныхконденсаторов большой емкости,Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости материала.Стеклокристаллический сегнетоэлектрический материал и способ его полученияреализован следующим образом,П р и м е р 1. Шихту, содержащую,мас,%: 5 2,8: Т 102 28,0; ВаСОз 69,2, расплавляют при 1350 С на воздухе в алундовом тигле и проваривают в течение 0,5 ч,Расплав разливают в графитовые формы,нагретые до 750 С, кристаллизуют и отжигают в электрической печи на воздухе при этой же температуре в течение 0,5 ч, Затем полученные образцы охлаждают до комнатной температуры в печи со скоростью 40 град/ч, На образцы в виде плоских пластин напыляют серебряные электроды и измеряют электрическую емкость измерителем Е 7-8. По емкости и геометрическим размерам образцов рассчитывают диэлектрическую проницаемость е. У материала образцов затем определяют химический состав методами стандартного химического "силикатного" анализа с применением газовой хроматографии,В таблице приведены состав шихты, материала и значения диэлектрической проницаемости материала. мости материала, шихтастановителя содержит кренительно. ВаСОз присоотношении компонентовТЮ 2КремнийВаСОзпричем расплавлениедухе

Смотреть

Заявка

4652655/33, 20.02.1989

Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Научно-исследовательский институт высоких напряжений при Томском политехническом институте им. С. М. Кирова

Самохвалов М. А, Миненков В. Р, Шубин Б. Г

МПК / Метки

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: сегнетоэлектрического, стеклокристаллического

Опубликовано: 30.04.1995

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1829320-sposob-polucheniya-steklokristallicheskogo-segnetoehlektricheskogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения стеклокристаллического сегнетоэлектрического материала</a>

Похожие патенты