H01G 4/12 — керамические диэлектрики

Номер патента: 631498

Опубликовано: 05.11.1978

Автор: Стрельцына

МПК: C04B 35/465, H01B 3/12, H01G 4/12 ...

Метки: водородоустойчивый, керамический, материал

...с развитием космической герметизации аппаратуры требования к водородосто талей, в частности конд КЕРАМИЧЕСКИЙ ВОДОРОДОУСТОЙЧИВЫИ МАТЕРИАЛ Цель изоб электрическо ние тангенса потерь - дос рамический в риал, содерж двуокись тит ве добавки введен ф Р при следующем соотношении тов (% вес.). Углекислый кальций Двуокись титана Фтористый кальций В табл. 1 приведены ср данные основных электриче теристик известного и пре материалов, а также требо для материала класса 1, г и характеристики неводоро материала Т,631498 Из табл. 1 следует, что предложенный материал имеет более высокую диэлектрическую проницаемость (6- 145- 165 вместо 125-130), что приводит к увеличению удельных емкостей, более близкое требованиям ГССТа значение ТКЕ, меньшую величину...

Номер патента: 643470

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Александрова, Вербицкая, Марьяновская, Назарова, Синельников, Соколова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: керамический, конденсаторов, материал, сегнетоэлектрический, термочувствительных

...обазательным условием при компенсации уходачастоты пьезоэдектрическогогенервтора.26 Недопустимым также явлаетса и большой температурный гистерезис емкости, характерный для материала с высокой% 8800/75 БНИИПИ аз 793 У 22 Патент, г. Ужгород, ул, Проектна диэлектрической проиицаемостью. Введение малыхдобавок, например,0,001-0,1 вес.% авдаетса весьма нетехнологичным и неизбежно вызывает значительные фдуктуацни состава, Кроме того, такие добк, МПО, ИЪоб,ОО, очень сильно влияют на точку Кюри и малейшее нарушение рецептуры вызванное сложностью Введения малых дооавок и приводит к нежелательному изменению электрических свойств материала,Бель изобретении - повышение стабильности точки Кюри и обеспечение температурной зависимости...

Номер патента: 647286

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Лимарь, Лискер, Муленкова, Прибыловская, Провоторова

МПК: C04B 35/486, H01G 4/12

Метки: керамический, конденсаторный, материал

...керамического конденсаторногоматериала, включающему осаждение гидроокиси циркония с пягиокисью ниобия,отделение осадка и дго гермообрабогку,предварительно пягиокись ниобия суспенаируют в кислых растворах солей циркония, а осаждения гидроокиси цирконияосуществляют на пягиокись ниобня аммиаком.647286 грофизические свойс гва ТКЕ 10град.-60 прощенияльности Составитель В. СоколоваТехред М, Петко актор Э, Шибаев Корреп тор И, Г Подписноеега СССР кспч Тираж 701осударсгвенного .ом едем изобретений и о сква, Ж, .Реушска каз 240/20ЦНИИП кры тий 113035, М Филиал ППП "Патент", г Ужгород, ул, Проектная,Суспендирование пятиокиси ниобия в кислых растворах солей циркония перево - дит пятиокись ниобия в химически активную форму. Образование...

Номер патента: 654580

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Иванова, Кускова, Продавцова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...потери(70 - 100) 10 - 4 на частоте 1 кГц,Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь в керамике. 25Поставленная цель достигается тем, чтошихта для изготовления сегнетокерамического материала на основе титаната бария,включающая ВаТ 10 з, Са(1 пОв, МпСО, иглину, дополнительно содержит 1 чЬ 20 в при 30 следующем ов, вес, %:ВаТ 10, 87,75 - 88,95 СаЯпО, 10,15 - 11,35 МпСОв 0,05 - 0,15 Глина 0,2 - 0,4 1 л 11,О, 0,4 - 0,6В качестве исходных компонентов используют спеки ВаТ 1 Ов, обожженного при 1200 - 1250 С, и СаЯпО обожженного при 1340 в 13 С.Керамический материал изготавливают по обычной керамической технологии - смешением компонентов, оформлением заготовок нужного вида и спеканием их при 1350 в 14 С.Влияние составов шихты на...

Номер патента: 654581

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Варикаш, Мяльдун

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: высокой, диэлектрической, материал, проницаемостью, сегнетокерамический

...описываемого материала приготавливают смесь компонентов в необходимых соотношениях изпредварительно синтезированных спеков ВаТ 1 ОЭ, Ваго э и МдНЬ ОСмесь спеков измельчают до удельной поверхности 5 - 7 10 3 см /г, Полу 2ченную массу пластифицируют известными методами. Формуют в изделия ио,обжигают при температуре 1340-1370 Св течение 1,5-3 ч.Примеры конкретных составов предлагаемого материала и их свойства даны в таблице,Сегнетокерамический материал, имеющий состав, вес.Ъ: ВаТ 10 Э 85,Ва 1 гО э 14, Мо МЬ Ов 1, характеризуется следующимй свойствами:Диэлектрическая проницае-.мостьОтносительное изменение со 8 5 при температуре +85 С,Относительное изменение Епри температуре -40 С, Ъ 90й654 581 Относительное изменениереверсивной Я, Ъ 33 О,...

Номер патента: 667526

Опубликовано: 15.06.1979

Авторы: Прокопало, Раевский, Резниченко, Фесенко

МПК: C04B 35/462, C04B 35/495, H01G 4/12 ...

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...сегнетоэлектрический керамический материал, преимущественно для изготовления конденсаторов, включающий Т 10 з, НаО, НЪгОз дополнительно содержит В 1 гОз и К 40 при следующем соотношении компонентов, мол.Ъ:Тз.Оа 30,4-36,4Наг 0 30,4-36,4Иь,оз 18,2-26,1В 1 г Оз 4,5-6,55КгО 4,5-6,55На чертеже приведена температурная зависимость диэлектрической проницаемости с /Е, (цифры соответствуют составам в таблице).Сегнетокерамический конденсаторный материал представляет собой твердый Раствор итем БаЪ)ЪО - , К/а В 1 гуг Т 1066752 Физические характеристики твердых ра+22 0,016 0,014 0,018 225 32 8,5 0,016 0,015 0,019 110 17 2 251075 4,3 30 1070 4,35 1450 65 1400 Примеч при величине изм Использовались о с вожженными при н и е. Электричес рительного поля...

Номер патента: 692812

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Андреева, Барашкова, Жуковский, Макарова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: материал, сегнетокерамический

...средму содержанию их.Сегнетокерамическнй материал полуают следующим образом,Загружают в вибромельницуорошка титанат бария, затемяют к нему двуокись титана,кись ниобия, окись диспроэия нглекислый марганЕц. После чего компоенты перемешивают в вибромельницетечение 2-3 ч и в результате полу,692812 Компоненты, вес. Характеристики Пример Титанатбария Углекис- Диэлектрилый мар- ческая проганец ницаемость Двуокисьтитана Окись диспрозия Пятиокисьниобия Измененияемкости винтервалетемпературот -60до 125 С 2,6 0,4 1600 94 от+3 до-4,6 0,1 0,5 97 0,4 от +7 8 до -8 р 2 1820 95,51,55 3 1,5 0,15 1,31730 от +6.,2до,-7, 7 94-97 Титанатбария 0,5-2,61-20,4-20,1-0,4 Двуокись титана Пятиокись ниобия Окись диспрозияУглекислый марганец Составитель...

Номер патента: 746755

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Будкин, Смирнов, Якушев

МПК: H01G 4/12

Метки: емкости, конденсатор, постоянной

...пластины с электродами и закраинами на одной из сторон каждой пластины, набранные в пакет таким образом, что электроды предыдущей пластины перекрывают закраины последующей,причем на каждой керамической пластине, со стороны, противопо ложной закраинам, электроды выполнены гребенчатыми, выступы гребенки каждой из последующих пластин сдвинуты относительно выступов гребенки предыдущей пластины на величину, равную ширине выступа, а глубина выступов превышает ширину за В краины на величину, равную наибольшей погрешности керамической пластины по длине, электрод снабжен выемкой по длине керамической пластины, расположенной от края пластины, до ее середины с глубиной, 1 равной удвоенной максимальной погрешности пластин по ширине, а...

Номер патента: 831761

Опубликовано: 23.05.1981

Авторы: Лимарь, Мудролюбова, Старенченко, Третьякова, Фрадкина

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: керамический, конденсаторов, материал, термо-стабильных

...ул. Проектная,4 ческой мешалкой, помещают 4,15 и2,05 М раствора углекислого;аммонияи 2,56 л, 13,4 И раствора аммиака нпри работающей мешалке вливают через капельную воронку смесь хлористых солей титана, бария, неодима,самарий, висмута со скоростью:(О л/ч. Смесь хлористых солей готовят, сливая 2,15 л 2.19 М растворатитана четырех-хлористого, 2 л дис-,1тиллированной воды, 1,29 л 1,035 Мраствора бария хлористого,0,81 л0,996 М раствора самария хлористого1,22 л 0,996 М раствора неодима хло,ристсго и 0,25 л 1,084 Мрастворависмута хлористого.В конце осаждения рН суспензиидолжно быть 8-8,5. При этом вматочном растворе не обнаруживаютсяионы титана, бария, самария, неодима и висмута, Затем осадок отде-ляют от маточного раствора на нутчфильтре,...

Номер патента: 832608

Опубликовано: 23.05.1981

Авторы: Кескинова, Козел, Лимарь, Мудролюбова, Ротенберг

МПК: H01G 4/12

Метки: керамический, материал

...хлористого. В конце осаждения рНсуспензии должно быть 8 - 8,5. При этомв растворе не обнаруживаются ионы титана,бария, неодима и висмута.5Осадок отделяют от раствора на нутчфильтре, отмывают дистиллированной водойот ионов хлора и прокаливают в электрической камерной печи при 1100 С в течение 8 ч,Полученный продукт размалывают до величины удельной поверхности 7000 - 8000 см 2Данный состав имеет величину диэлектрической проницаемости 94 при ТКЕ == - 67"10 в град ", 1 дР = (2 - 3)10 4 Рпри 1 = 155 С;10 см см,П р и м е р 2 (по максимуму). Для получения 1 кг материала, содержащего, вес.%:ВаО 20,7; 1.а Оз 10,0; МаО 25,1;1 з 1 Оз 6,2;Т 10 38,0; поступают аналогично примеру 1.Смесь хлористых солей готовят следующим образом: к 1,92...

Номер патента: 842074

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Акимов, Никифоров, Олехнович, Ракицкий, Урбанович

МПК: C04B 35/497, H01G 4/12

Метки: керамический, материал

...свинца и ниобия в укаэанном соотношении подвергают, согласно процедурам обычной керамической технологии, первичному обжигу при 700-900 С и атмосферном давлении в течение 20 мин 1 ч.Проведенные структурные исследования показывают, что после первичного обжига из смеси оксидов образуется материал со структурой пирохлора, который подвергают повторному обжигу при той же температуре в камере высокого давления при давлении 20-60 кбар в течение 1-10 мин, Затем снижают температуру до комнатной, а давление до атмосферного,Полученные образцы имеют правильную Форму цилиндра и пригодны для исследований. Изучение их структуры842074 10 град 1 Составитель Н. ФельдманТехред Т.Маточка, . Корректор М. Демчик Редактор Н. Безродная Заказ 4974/23 Тираж 660...

Номер патента: 886075

Опубликовано: 30.11.1981

Автор: Лифанов

МПК: H01G 4/12

Метки: емкости, конденсатор, постоянной

...Радиус островков 6 слоя диэлектрика 4 % большерадиуса окон 5 слоя диэлектрика 3, и сме. щение краев противолежащих окна и островка составляет с вертикалью угол, лежащийв пределах от 1 до 65,Наличие слоев линейного диэлектрика 3 и4 и выполненных в них соосных окон, заполненных материалом обкладки и островков,промежутки между которыми заполнены материалом обкладки, с определенным смещениемкраев противолежащих окон и островков относительно вертикали позволяет создать впластине или слое нелинейного диэлектрикатребуемые для компенсации направления ивеличины векторов индуцированной поляриза. 5 10 1 20 25 30 4зации при наложении одноосной деформациина сегнетоэлектрический конденсатор составляОет 1 - 65 . Степень компенсации зависит отточности...

Номер патента: 897757

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Никифоров, Урбанович

МПК: C04B 35/497, H01G 4/12

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...но содержит 2 гО при следующем соотношении компонентов, мас.4: РОО 67,0 - 69,01.10 1,0 - 2,02 г 02, 0,1 - 0,5МЬ 20ОстальноеВ табл 1 представлены примерысе гнетоэле ктри це ского ке рами че с ко гоматериала.897757 4 Ь О гго Смесь,РЬО 68,33 0,1 68,33 30,23 68,33 67,00 69,00 0,5 30,03 0,5 30,50 2,00 0,1 29 90 1,00 Таблица 2 Величина диэлектрической проницаемостипри 20 С Температура Удельноесопротивление,Ом. см Тангенс у гла диэлектрическихпотерь Кюри, С Смесь,143,8.10 00 5 чО й,0.109 3,6. 10 3,7 10 560 392 380 510 520 Формул а и зобрет ения В качестве исходных реактивов используют: РЬСО марки "ч", ИЬО - экстракционная и ионообменная,Все исходные смеси приготавливают смешиванием в течение 1 ч в фарфоровой ступке со спиртом. Первый обжиг...

Номер патента: 911639

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ермоленко, Ильин, Каратаев, Медведев, Пиголицин, Шулятев

МПК: H01G 4/12

Метки: заготовку, керамическую, нанесения, пленочную, электродов

...кера мической заготовки обеспечивает вырубку электродов с четким рисунком и запрессовку их без деформации в керамическую пленочную заготовку на глубину равную толщине электрода, т.е. заподлицо с поверхностью керамической заготовки.Эластичная прокладка может. быть выполнена из того же .материала, чтои ленточный носитель слоя электрО- проводящего материала, например лавсана. Толщина используемой эпас тичной прокладки не должна быть мень ще одной толщины керамической пленочной заготовки, так как н противном случае не происходит операции. вырубки электродов из слоя электрб проводящего материала, закрецлекйого на временном ленточном ыосйтМе. В то же,время толщина эластичной прокладки не должна быть более чеж". рех тоящин керамической...

Номер патента: 912715

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Картенко, Ненашева, Ротенберг

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: высокочастотных, керамический, конденсаторов, материал, термокомпенсирующих

...К Ящ,в 0 и ЪаОно содержит В 10 еЬпеОз, СаО при ВаО, ВаСО из расчета (16,1-16,3)3следующем соотношении компонентов,мас.4: СаО, В 10 в, Т 10 а, загружают в вибро 1,а 0 18 2-2 1мельницу при соотношении шаров и мае ь В териала (6-4) 1 и смешивают в течеВаО 1 б 1-16 3Ф 1ние 30-60 мин, после чего шихту проВ 1 0 21,2-24,0 каливают при 1473-1523 К с вы е жЬп Оз 0 1-4 1с выдерж з 1 О кой 2 ч. Полученный продукт размалыСаО 0 7-09,9 вают до величины удельной поверхСостав материала соответствует ности 6000-8000 см /г, изготавливаформуле ВаТ 10 ЪСаТОз (1 л 03 ТОд)х ют образцы согласно ГОСТУ 5458-74х Вд 0.3 Тз.О ) г е ь:т. сднМатериалы керамические радиотехниРеальность и оптимальность пред ческие" и измеряюти меряют из электрическиелагаемого...

Номер патента: 917220

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Минаков, Соколов, Ульянов, Ядрихинский

МПК: H01G 4/12

Метки: заготовок, конденсаторов, стеклокерамических

...тины, при этом алюминиевую фольгу накладывают на заготовку конденсатора.Способ осуществляют следующим об" разом.На цепной конвейер помещают изоли" Зф рующую прокладку из титановой пластины и предварительно отожженной алю" миниевой фольги. Затем на алюминиевую фольгу укладывают друг на друга нужное количество алюминиевых лепестков46 конденсатора с предварительно нанесенным на них стеклокерамическим ди" электриком. На поверхность собранной заготовки конденсатора помещают алюминиевую фольгу и пластину из титана. ффСобранный пакет поступает по цепному конвейеру в проходную печь горя" чего прессования, где он устанавливается на подложку таким образом, чтобы его слои были параллельны поверхнос- Ю ти подложки, и сверху на пакет опус" кается...

Номер патента: 928431

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Андреева, Веребейчик, Фридберг, Цвицинский

МПК: H01G 4/12

Метки: алюминиевыми, конденсаторов, стеклокерамических, электродами

...10 х 10 мм и наклеенкой, например, 1.2%-ным растворомполивинилбутираля на лавсановую основу,отливают стеклокерамическую пленку толщиной 45 мкм, производят сборку блока лаке.тов конденсаторов из 30 слоев, которыйподвергают термообработке по режиму: на.гревание до 540 + 10 С со скоростью15 С/мин; прессование при давлении 120 кг/смв течение 1 мин. После разрезки блока назаготовки и оформления контактного узлаполученные конденсаторы имеют емкость 3 928431кетов с последующей термообработкОй ихпри температуре 420 - 550 С и удельномдавлении 60-140 кг/ем,Сущность способа заключается в следую.щем, 5Из стеклокерамической композиции снеорганическим связующим непосредственнона алюминиевую фольгу толщиной 5 - 15 мкм,выкроенную в виде "гребенки" -...

Номер патента: 928432

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Лискер, Малышева, Провоторова

МПК: H01G 4/12

Метки: высокочастотных, керамический, конденсаторов, материал

...материала ниже, чем у известно 2 го материала при тех же значениях диэлектрической проницаемости и ее температурногокоэффициента,Диэлектрическая проницаемость предлагаемого материала в 1,2 - 2,4 раза выше ЯЗО промышленных материалов на основе1 аА 10 з - СаТОз по той же группе ТК 6Более высокое значение диэлектрическойпроницаемости керамического материала сТКЕ = - 1000-10 б градпозволяет получить термокомпенсирующие конденсаторыпо группе ТКЕ М 1000 с большей удельнойемкостью,поступают следующим образом.Отвешивают углекислый литий, углекислый натрий и пятиокись ниобия из расчета, г:1 гСОз 3,4ИагСОз 92,61 Ьг О 5 244,4Загружают в вибромельницу при соотношении шаров и материала (6 - 4):1 и сме шивают в течение 60 - 90 мин, после...

Номер патента: 942182

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Лапшин, Рубальский, Симо, Смирнов, Фирсова, Шавкунова

МПК: H01G 4/12

Метки: керамических, конденсаторов, паста, электродов

...для электродов монолитных конденсаторов получают путем совместного диспергирования порошка,благородного металла и диэлектрической добавки в органической связующей в шаровых мельницах до получения устойчивой однородной суспензии не менее 18 ч. После чего пасту используют для изготовления электродов, например методами напрессовки, пульверизации или сеткографии.При этом состав металлизационного покрытия на основе мелкодисперсной пластины дает в интервале Т=800- 1000 С усадку в 303, .в то время как диэлектрические материалы ( ТА, Т"8000, ТБНВ, ТНС, ТЛ/О, ТЛ/75 и др) при спекании уменьшают свои линейные размеры на 12-151, что происходит в интервале Т=1200-М 50 С.Замена 20 вес.; платины на диэлектрик ( ТА) снижает усадку металлизационного...

Номер патента: 1001204

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Андреева, Цвицинский

МПК: H01G 4/12

Метки: алюминиевой, конденсаторов, стеклокерамических, фольги, электродами

...(алюминий-диэлектрик-дйэлектрик-алюминий), разрезку полученнойленты на заготовки конденсаторов гиль.30 отиной или штампом. далее производят1001204 Формула изобретения Составитель А, Аксенов Редактор А, Огар Техред О,Неце Корректор М, КостаЗаказ 1408/61- Тираж 701 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная, 4 термообработку пакетов без приложениядавления по режиму: подъем темпераруты до 310+10 С со скоростью 810 С/мин, подъем температуры до530+10 С со скоростью 12-15 С/мин,выдержка при 530+10 С в течение7-12 мин,После термообработки заготовокконденсаторов производят лужениеплоскостей алюминиевых обкладокпри 350-380...

Номер патента: 1051600

Опубликовано: 30.10.1983

Автор: Илюшенко

МПК: H01G 4/12

Метки: керамический, конденсатор

...рабочих частот конденсатора.Поставленная цель достигаетсятем, что керамический конденсатор,содержащий пакет керамических пластин с электродами и торцовые выводы в виде металлизированных контактных полос, снабжен соединеннымс торцовыми выводами и охватывающим ЗОпакет керамических пластин металлиэированным слоем, состоящим иэ двухчастей, разделенных зазором, равноудаленным от торцовых выводов,На фиг. 1 показана конструкция 35конденсатора; на Фиг, 2 - то же,:сечение А-А.Конденсатор содержит пакет керамических пластин 1 с расположеннымимежду ними электродами 2, торцовые 4 Овыводы,З в виде металлизированныхконтактных .полос, металлизированныйслой 4, соединенный с торцовыми выводами и охватывающий пакет кера-,мических пластин 1....

Номер патента: 1054328

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Илющенко, Петров, Поротников, Разумов, Сидорова

МПК: C04B 35/01, C04B 35/453, H01G 4/12 ...

Метки: керамический, материал

...получения плотногоспека в них используют введение плас- .тификаторов или прессование передотжигом, высокие температуры синтеза до 1350 С, что усложняет процессих полуЖния. Кроме того,из - за многокомпонентности шихты в результатенеравномерного распределения добавокполучаемые изделия не стабильны посвоим электрофизическим характеристикам, что приводит к бракуВеличины ТК Я не являются оптимальнымидля рассматриваемой группы термокомпенсационных конденсаторов, крометого, область применения указанныхсоставов для изготовления высокочастотной керамики ограничена опреде"оленной температурой не более 160 С,Наиболее близким техническим решением к изобретению является электротехническая керамика 33 для изготовления конденсаторов, содержащая 2 пО,...

Номер патента: 1065384

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Варфоломеев, Илющенко, Костомаров, Самойлов

МПК: C04B 35/465, C04B 35/495, H01G 4/12 ...

Метки: керамический, материал

...10991/26 Тираж 608 Подписное филиал ППП "Патент", г.ужгород,ул.Проектная,4 Изобретениеотносится к электронной технике и может быть использовано для изготовления конденсаторов,Известны керамические материалы на основе твердого раствора Ьа ОЭк ФЬ,5 ф Т 10 - СаТЯО, 13.Однако этот материал не обладает . достаточно низкими значениями диэлектрических потерь.Наиболее близким к предлагаемому является керамический материал Ь 2для высокочастотных конденсаторов состава, мас.%:СаТ 10 , 40,0-60,0БаБЬОЭ12, 3-18, 4ЗгБЬ 2 06 27,7-41,6Недостатком этого материала являются недостаточно высокие значения удельного объемного сопротивления при 155 С (3 10 ф"10"2 Ом см);.Целью изобретения является повышение удельного объемного сопротивления при 155...

Номер патента: 1069014

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Горбань, Громцев, Кальменс, Макарова, Фирсова

МПК: H01G 4/12

Метки: керамических, конденсаторов, многослойных, отливки, пленочных, полуфабрикатов, суспензии

...гС ПИ; ).) г( нгпн Г Г Е.3:И В Р; 5 ВОРе) ,В;П ГО 1 Р;,51, ,С) Г, .Х С)Ь И РОВ -Г ,г) . 1". 1. 111 11 В К)1 11 И ) Т О 1 11 3 Т В ( Р11(, ),55 );1,".н х 1 ВтБ т, с), 1 00лх к)псиЙ . ИНг И;1 Ку К) Г 1 Ген 51 С",. .Х С 1:С 1,;1)Х К)ТНХ ЯЛ )НЧ )И(1 ВОР КГ 115 И: КИЙ ПО)ОИ ПРИ:)Г ЬСХНОХ 1 ГГ , СНОП;СНИ И;1)031 ИВГг 0П)1.". Бор)3. )Н: По.; , -1-33 б И113 1ОС 1 .и ) и ГХ с (Н )ИК) , )БГ С ИОР 1 ПО,Впни 1;Х 1 ИР,15 ; Л 6 ХТИ,Г 611 -Н, 1Рг.)С 1 Н О Х С О О1, Н 1 С Н И: Г. ,(ИЛи И , . БИ 1 Г),ИБИИ,11)Х г ИРВ.15 1. 1 ОХ Г г)Ь:И;ПН,В )ИННО-1:)НО),.СХ,(ОГ)ПО КОХ ПГСК( Н)ВС ПНОГ; .г 1)Ктггк 1(:СС(ТБ ,.:)151)БО".Т Б БиГ ПНИК КХ и)1)С гПОНГННЬХ .К).3) К1, П.) . С.), 0, - г)г) , 1. И хБг.1069014 Составитель А Салынский Редактор Т. Кугрышева Техред И....

Номер патента: 1081684

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Аристархов, Гамазкова, Лапшин, Рубальский

МПК: H01G 4/12

Метки: радиокерамики

...выдержку и охлаждение, в процессе изотермической выдержки осуществляют контроль10 скорости усадки керамики, причем,изотермическую выдержку проводят в течение времени, при котором скорость усадки снижается до величины, не превышающей 0,01/о//мин,На фиг. 1 изображена температурнаякривая обжига керамических заготовок поизвестному (сплошная линия) и предложенному (пунктирная линия) способам; нафиг. 2 - кинетические кривые уплотненияпри спекании керамики: 1 - ТНС 20 (1400 С), 2 - Т(1450 С), 3 - П(1800 С); на фиг. 3 - кинетика усадкизаготовки монолитного керамического конденсатора К 10-17 при 1180 С; на фиг. 4 -кинетика уплотнения (а) и изменения электросопротивления (б) при спекании керамики Тпри 1450 С. Как показали эксперименты...

Номер патента: 1083246

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Бойкова, Жуковский, Заремба, Пахомова, Симо

МПК: H01G 4/12

Метки: керамический, конденсаторный, материал

...наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 1 10832Изобретение относится к электрон ной технике и может быть использова" но для изготовления дисковых и моно" литных керамических конденсаторов.Известен конденсаторный керами"5 ческий материал на основе твердого раствора титанат бария - цирконат кальция Ь 3.Недостатки указанного материала состоят в выской температуре опека ния и низкой диэлектрической прони- цаемости,Наиболее близким по технической сущности к пРедлагаемому является конденсаторный керамический материал содержащий титанат бария и цирконат бария 1.21.Недостатки известного конденсаторного керамического материала заключаются в высокой температуре спекания (1400 С) и низкой диэлектрической проницаемости...

Номер патента: 1091238

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Горбань, Кириллова, Михайлова, Симо, Смирнов, Фирсова

МПК: H01G 4/12

Метки: качества, конденсаторной, пленки, поверхности

...конденсаторныхпленок. Уменьшение микрорельефа поверхности пленок способствуетулучшению спекания диэлектрика сметаллизационным покрытием, сокращает локальную разнотолщинность в диэлектрике и выравнивает напряженностьэлектрического поля в рабочих слоях,Цанболее близким к предлагаемомупо технической сущности являетсяспособ контроля качества поверхности конденсаторной пленки, включающий размещение отрезка конденсаторной пленки на столике профилаграфапрофилометра с последующим определением профиля рельефа 21Его недостатком является невозможность определения микрорельефаособо тонких (до 25 мкм) керамических и (до 7 мкм) металлосодержащихпленок для изготовления многослойных монолитных керамических конденсаторов.Цель изобретения -...

Номер патента: 1091239

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Аборинская, Бажаков, Головина, Иманкулова, Костомаров, Кузора, Нурумбетов, Сейтжанов, Фасман

МПК: H01G 4/12

Метки: керамических, конденсаторов, мелкодисперсного, металлизационных, паст, порошка

...ционную пасту в желатиноподобное 15 состояние.Наиболее близким к предлагаемому является способ получения мелкодисперсного порошка для металлизационных паст керамических конденсаторов, 20 включающий приготовление порошка иэ платиномедного сплава обработкой его азотной кислотой 1 21.Недостаток известного способа заключается в низкой временной стабильности вязкости метаплизационных паст.Цель изобретения - повышение временной стабильности вязкости металлизационных паст. 30Г 1 оставленная цель достигается тем что согласно способу получения мелкодисперсного порошка для металлизационных паст керамических конденсаторов, включающему приготовление порошка из платиномедного сплава обработкой его азотной кислотой,после обработки платиномедного...

Номер патента: 1109816

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Ипатов, Колипов, Мелентьев, Никитов, Рочев, Соколов

МПК: H01G 4/12

Метки: заготовок, конденсаторов, стеклокерамических

...материала на основе алюминиевой фольгимежду подложкой, заготовкой конденсатора и пуансоном с последующим горячим прессованием, до операции последовательного размещения изолирующихпрокладок нз материала на основе алюминиевой фольги между подложкой, заготовкой конденсатора и пуансономна алюминиевую фольгу наносят слойталька.Использование алюминиевой фольгис предваритедъно нанесенным слоемталька в качестве изолирующей прок=ладки позволяет равномерно распределить изолирующий материал по рабочейповерхности подложки и между конденсаторным элементом и поверхностьюпуансона, в результате чего обеспечивается во время прессовки равномерное уплотнение диэлектрика по поверхности и объему конденсаторной заготовки, создается надежный контактмежду...

Номер патента: 1121703

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Волков, Дмитриев, Дубинин

МПК: H01G 4/12

Метки: конденсатора, тонкопленочного

...цель достигается тем, что согласно способу изготовления тонкопленочного конденсатора, включающему нанесение на подложку нижней обкладки с выводом и диэлектричесгде д С Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при конструировании и производстве гибридных интегральных микросхем с тонкопленочными конденсаторами повышенной точности,Тонкопленочный конденсатор (ТПК)повышенной точности .выполняют с дополнительными элементами подгонки,которые представляют собой конденсаторы с малой, площадью, подключенные параллельно к. основной (нерегулируемой) части.Известен способ изготовлениятонкопленочного конденсатора, включающий последовательное нанесЕние наподложку нижней обкладки и диэлектрического слоя, верхней...