Патенты с меткой «сегнетоэлектрического»

Номер патента: 504737

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Брант, Гаевска, Гаевскис, Гринвальд, Фрицберг

МПК: C04B 35/497

Метки: сегнетоэлектрического, шихта

...взятые в следующем соотношении, вес,%:РЬОйВ,ОзМдо ЛпО 5,22 - 2,2510 0,41 - 1,64Для изготовления керамического материала шихту размалывают до прохождения через5 сито0056, После высушивания при 120 -150 С прессуют брикеты и подвергают их обжигу при 900 С с выдержкой в течение 2 часа, Затем брикеты измельчают и массу размалывают повторно до полного прохождения чеО рез сито0056. Из полученной массы приудельном давлении прессуют заготовки конденсаторов. Окончательный обжиг проводятпри 1110 - 1200 С в атмосфере РЬО с выдержкой до 1 час. После шлифовки на изделия на 5 носят электроды методом вжигания серебряной пасты при 800 С. В итоге получают материал следующего состава:Х РЬ (Мрто МЬгтз) Оз - УРЬ (Итт, 3 ХЬ зтз) Оз -- 2 РЬ...

Номер патента: 513734

Опубликовано: 15.05.1976

Автор: Этингоф

МПК: B06B 1/06

Метки: генератором, излучателя, пьезокерамического, сегнетоэлектрического, согласования, ультразвука

...емкости, настраиваемой индуктивцости, шунтирующей эту цепочку, и дополнительных настраиваешьх реактивных элементов, подключенных через переключатель параллельно к пьезоэлементу.Сущность изобретения поясняется чертежом, Колебательный контур составлен из нндук. тивцостц 1, шуцтцрующей дополнительную оптимальную емкость 2, и соединен последовательно с пьезоэлементом 3, изготовленным из кристалла сегнетовой соли, керамики тцтаната бария и других сегнетоэлектрическцх материалов. К генератору 4 контур присоединяется пли непосредственно или через линцо 5. Передача мощности от генератора 4 в нагрузку - контур с пьезоэлементом 3 осуществляется при повышенном выходном напряжении по сравнению с номшальным напряжением пьезоэлемента 3 и...

Номер патента: 555074

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Брант, Бранте, Гаевска, Гаевскис, Гринвальд

МПК: C04B 35/01, C04B 35/497, H01G 4/12 ...

Метки: сегнетоэлектрического, шихта

...мельницах с агатовыми барабанами и шарами в среде этилового спирта в течение 8-10 час (до полного прохождения через сито Х 0056), После высушивания при 120 СС шихту прессуют в брикеты и подвергают первому обжигу при 900 С с выдержкой при этой температуре в течение 2 час, Затем брикеты измельчают и размалывают повторно. После помола из просушенной массы при удельном давлении 900-1000 кг, см прессуют заготовки конденсаторов в виде дисков и "чашек", Второй обжиг проводят при 1150 С с выдержкой при этой температуре до 1 час. Обжиг проводят в защитной атмосфере, предотвращающей потери РЬО,Примерный состав предлагаемой шихты может содержать следующие компоненты, вес, %:555074 66,85 26,75 2,71 1,87 1,82 РЬОГчЬз ОзИОЕпО 66,50 - 67,02 26,52...

Номер патента: 585431

Опубликовано: 25.12.1977

Автор: Заметин

МПК: G01N 21/00

Метки: перехода, сегнетоэлектрического, температуры

...температуры фанового перехода как в объеме образцатак и в тонком слое на его поверхности. Объясняется это тем, что приизмерении глубины модуляции прошедшегочерез образец потока излучения, в 6процессе модуляции участвует весьобъем находящегося на пути потокаизлучения вещества, т. . измеряетсятемпература, Фазового перехода объема.Прй измерении же глубины модуляции 1отраженного потока излучения в процессе модуляции участвует (взаимодействует со светом) лишь поверхностный слой, причем толщина слоя с 11(глубина проникновения потока электраглагнитного излучение в вещество)зависит от длины волны падающего потока излучения как д= + (см), гдесс - коэффициент поглощейия. Так каког.(оэ)может изгленяться от единиц довеличин порядка 10 см , то и...

Номер патента: 692809

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Антонова, Бруверис, Добре, Либертс, Штернберг

МПК: C04B 35/497

Метки: керамического, прозрачного, сегнетоэлектрического

...высушивают при 150 С и прессуютпод давлением 1000 кГ/смг н брикеты, которые помещают в платиновыетигли и нагревают. Скорость подъема температуры - 300 в час. При850 фС производится выдержка в течение 2-х ч, затем нагревательную сис тему полностью выключают, Термнческую обработку проводят в атмосфереРЬО..Брикеты измельчают н ступке, после чего следует мокрый помол до полного прохождения порошка через сито Р 0056. Измельченный материал высушивают при 150 С и прессуют в брикеты, которые в платиновых тиглях нагревают до 850 С и выдерживают 2 ч. Третий этап термической обработки пронодят после измельчения брикетамокрого помола и нысушивания, В третьем этапе порошок помещают в платиновый тигель, температуру поднимают до 1300 фС и...

Номер патента: 817545

Опубликовано: 30.03.1981

Автор: Заметин

МПК: G01N 21/00

Метки: сегнетоэлектрического, темпе-ратуры, фазовогоперехода

...по-тока;пропускание.кристалла приданной энергии кванта подающего потока излучения,где СК - постоянная Кюри-Вейсаф6 К -температура Кюри-Вейса.Тай как Ъ и со константы, а величину ( я(и соответственно 3 ) легко сделать константой соответствующим выбором условий эксперимента, то подставив (3) в (2) и обозначив неизменную часть коэффициентов полученного выражения А1 (3 ТТ д(ЬЧ) получим а = д(-6 - 1 г Откуда следует, что величина Г связана с температурой кристалла 6 линейной зависимостью и равна нулю при температуре образца, равной темпера:туре Кюри-Вейса Ок, что и позволяет из температурной зависимости Г определить бк . В случае отличия температуры фазового перехода от Ок, последняя, как обычно, может быть определена путем...

Номер патента: 948973

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Андреев, Андреева, Жуковский, Константинов, Макарова, Ротенберг

МПК: C04B 35/468

Метки: керамического, сегнетоэлектрического, шихта

...+5,3 - -3,6,П р и м е р 2. Загружают в вибромельницу в виде порошков титанатбария в количестве 97,5, затем добавляют к нему оксид ниобия 2,0,оксид диспрозия 0,2, углекислый маргенец 0,2 и оксид празеодима 0,1,Характеристики материала в этомслучае следующие; диэлектрическаяпроницаемость Е = 2030, изменениедиэлектрической проницаемости в интервале температур -60 - +125 С составляет +6,8 - -8,2 ь.П р и и е р 3. Загружают в вибромельницу в виде порошков титанатбария в количестве 96,5, затем добавляют к нему оксид ниобия 1,5,оксид диспрозия 1,1, углекислый марганец 0,4 и оксид празеодима 0,5.Характеристики материала в этомслучае следующие: диэлектрическая 5 о 15 20 25 зз л 45 проницаемость Я = 1915, изменение диэлектрической проницаемости в...

Номер патента: 1206987

Опубликовано: 23.01.1986

Авторы: Бакай, Марченко, Семенов, Сокол-Черниловский, Суглоба

МПК: H04R 31/00

Метки: активного, поляризации, преобразователя, сегнетоэлектрического, электроакустического, элемента

...элементпеременной толщины, например, плоско-сферической содержит плоскую 2перфорированную 3 поверхности.Предлагаемый способ может бытьиспользован для поляризации любыхпо форме элементов, Например, дляполучения преобразователя переменной толщины с равномерным распреде.пением значений пьезоэлектрическогомодуля по объему преобразователя,выполняют дополнительный элемент 4из такого же материала, что и элемент 1.На время поляризации дополнительный элемент через слой 5, например,силиконового масла с мелкодисперсным сегнетоэлектрическим наполнителем присоединяют к сегнетокерамическому элементу 1, При этом форма иразмеры выполняемого дополнительного элемента должны быть такими,чтобы толщина любого участка образованной конструкции 6 вдоль...

Номер патента: 1364611

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Исупов, Никольская, Ротенберг, Рубинштейн, Торопов

МПК: C04B 35/495, C04B 35/499, H01G 4/12 ...

Метки: керамического, сегнетоэлектрического, шихта

...емкость изготавливаемых из него .конденсаторов и расширить область применения конденсаторов. 2 табл,-5+24,8 0,051 Изобретение относится к электронной, а также к родственной и смежной с ней радиотехнике и может быть использовано в производстве керамических конденсаторов 11 типа группы Н, в том числе для изготовления многослойных монолитных конденсаторов,Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости и расши рение рабочего интервала температур.Материал из шихты получают по обычней керамической технологии,Сначала синтезируют из смеси оксидов стехиометрические соединения: магно. ниобат свинца (РЬ(М 8,МЬ) О),феррониобат свинца (РЬ(ГеЬЬн)Оз), титанат свинца (РЪТ 10). При этом темапература синтеза 750-900 С. Полученные...

Номер патента: 1458355

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...в заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомуглекислого марганца и оксидов цинка и ниобия (см. табл. 1). изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки СаЯпО при следующем соотношениикомпонентов, мас.7.: ВаТ 10,8712- 88,97; СаЕгО 7,8-8,.6; ИпСОэ,0,08- О, 10; ИЬО у 0,70,-0,98; ЕпО 0,45- 0,70; Са 8 пОэ 2,00-2,50. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют, следующие характеристики: Е 15000-17000; с 8 с(1,25-2,25)х 10 ф; р при 100 С (5,0-9,1 ГОм м;Е5,0- й -6,4 МВ/м;Т15-25 С;, Тматериала 1260-1300 С. 2 табл. ную смесь...

Номер патента: 1463729

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...ших 1, а в табл. ученных из ших" характеты матернало ности ной пов ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР енсаторов.ель изобретения - повышениетрической проницаемости мате и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамическихконденсаторов, Для повышения диэлектрической проницаемости материалашихта сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материаласодержит в качестве добавки СаЯпОзи каолин при следующем соотношениикомпонентов, мас,Ж: ВаТхОз 86,2188,40, Са 2 тО8,0-9,0; МпСО 0,080,10 БЬО 0,70-0,981 2 пО 0,450,70; СаБпОз 2,17-2,66; каолин 0,200,35. Полученные по обычной керамической технологии составы материалаиз полученной шихты имеют следующиехарактеристики:15000-16800, 8 Ф1463729...

Номер патента: 1474150

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...изобретения - повышение диэлектрической проницаемости материала.Пихту получают следующим образом.Предварительно известным в керамической технологии способом получают спеки титаната бария, цирконата кальция и станната кальция, которые синтезируют при 1220-1300 С, затем измельчают до удельной поверхности 4000 - 5000 см /г. Измельченные сле- г удельной пов и используют ка конденсат ическом кон ноло бл,1 хты Составы шихты приведеныхарактеристики полученныхматериалов - в табл.2. Ф о а изобре Ших лектрето- онде для изготовления се еского керамического ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССРОЛИСАНИЕ ИЗ ВТОРСНОМУ СВИДЕ заданном соотношении,ребуемым количеством фарганца и оксидов цинка,и циркония.смесь...

Номер патента: 1557587

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Груверман, Коровина, Шур

МПК: G11C 11/22

Метки: дефектов, информации, носителя, обнаружения, сегнетоэлектрического

Номер патента: 1829320

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Миненков, Самохвалов, Шубин

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: сегнетоэлектрического, стеклокристаллического

...табл.1829320 мула иэо етени СТЕКЛОКР ЭЛЕКТРИЧ ающий ра щей Т 102 цию и о о, с цель и проница качестве восний и дополследующем мас %27,3 - 28,02,8-5,267,5 - 69,2 едут на возСПОСОБ СТАЛЛИЧЕСК СКОГО МАТЕ плавление ш восстановител жиг, отличаю повышения ЛУЧЕНИЙ ОГО СЕГНЕТО РИАЛА, включ хты, содержа кристаллиэ щийся тем, ч иэлектрическоПО и тнко Составитель Л, Ко Техред М.Моргентал Редак Л. Филь Заказ 2 Тираж НПО "Поиск" Роспатента13035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/ Подписно Производстве здательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 1,01 Изобретение относится к производствустеклокристаллических материалов и можетбыть использовано при создании элементовмощных газовых лазеров, в частности приизготовлении предионизаторов, а также в...