H01G 4/12 — керамические диэлектрики

Номер патента: 363129

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Захаров, Иремашвили

МПК: H01G 4/12

Метки: емкости, конденсатор, постоянной

...от внутренней обкладки, выполненный в виде полой трубки и снабженный плоскими разрезными многолепестковыми шайбами с изогнутыми по наружному диаметру концами, прижатыми к 10 внутренней обкладке конденсатора.Отвод тепла от внутренней обкладки конденсатора осуществляется через плоские разрезные многолепестковые шайбы, непосредственный контакт хладагента с охлаждаемой 15 поверхностью отсутствует, что не позволяет получить большую реактивную мощность.Цель изобретения - увеличение реактивной мощности за счет эффективного отбора тепла при непосредственном контакте хладагента с 20 внутренней обкладкой конденсатора.Это достигается тем, что вывод от внутренней обкладки выполнен в виде двух коаксиально расположенных внутри трубки цилиндров....

Номер патента: 363131

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Будин, Будкин, Якушев, Яшенков

МПК: H01G 4/12

Метки: заготовки, керамические, металлосодержащеи, нанесения, пасты, пленочные

...делена перегородками с ванной, и дополниракелями, располо ции, причем в одной олнено отверстие, слупасты с атмосферой, выполнен в виде набомежду собой с шагом, 30 Изобретение относится к о электроники и может быть ис изготовлении керамических п денсаторов,Известны устройства для нанесени лосодержащей пасты на керамически ные заготовки, например, радиодет держащие механизмы подачи загото ну, заполненную пастой, эластичный транспортирующий барабан, захвать и протягивающий ролики, узел сушк водной механизм. Однако эти устройства не обеспечи обходимое качество покрытия, мало дительны и ненадежны в работе.соответствующим промежутком между секциями,На фиг. 1 показана кинематическая схема предложенного устройства, на фиг, 2 емкость,...

Номер патента: 370661

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01G 4/12

Метки: емкости, конденсатор, постоянной

...постояиной емкости, состоящие из керамического диэлектрика, на поверхность которого нанесены токопровадящие электролы, полученные вжиганием серебросолержащей пасты. Одной из причин, существенно снижающих стабильность раооты аппаратуры, является скачкообразное и хаотическое измененне емкости и добротности конденсаторов, обусловленные так называемым эффектом мерцания. Явление мерцания обычно возникает из-за дефектов структуры электродов конденсаторов. Кроме того, в условиясх воздействия электрического поля со временем электрические параметры (сопротивление изоляции, тангенс угла потерь и др,) конденсаторов ухудшаются, что вызвано миграцией серебра на поверхности межэлектродного зазора, Последнее уменьшает срок служоы последних и...

Номер патента: 413125

Опубликовано: 30.01.1974

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: 413125

...исходныхериала испол ожжеццый пр % и спек Ва 1000 С в ко едм ет и ампческ рпя и втчича егггя дцв каче чьзуютжанни и иц магсмута с ющпй- элсктристве монпобат сходных 4 - 92 5 - 15 1 - 3 Изобретение относится к области технологии производства радиоаппаратуры и может использоваться при изготовлении керамических конденсаторов,Известен конденсаторный сегнетокерамический материал на основе титаната бария и висмута с модифицирующей добавкой.Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости.Для этого в предлагаемом материале в качестве модифицирующей добавки используют циобат бария при следующем содержании исходных компонентов, вес. %:титанат бария 84 - 92 титанат висмута 5 - 15 ниобат бария 1 - 3Использование твердого раствора...

Номер патента: 413535

Опубликовано: 30.01.1974

МПК: H01B 3/12, H01G 4/12

Метки: 413535

...1 дб 3 - 4 104. Наряду с указанными свойствами полученный материал обладает высокой электрической прочностью (25 - 32 кв/мм), что позволяет стабилизировать раооту конденсаторов.Повышение электрической проницаемости е до 48 - 53 позволяет уменьшить габариты конденсаторов этих групп ТК: и снизить расход драгоценных металлов, идущих на изготовление электродов. П р им ер, Для получения 100 г материаласостава, мол. %:1.а 20 з 2 Т 1 О 2 89,27СаТ 10 з 3,305 МаТ 10 з 7,43готовится смесь хлористых (азотнокислых)растворов в следующих соотношениях:0,424 моль раствора титана четыреххлористого (азотнокислого) концентрацией 2 - 3 мол/л,10 0,1996 моль 1.азОз в виде раствора лантанахлористого (азотнокислого), 0,0072 моль СаОв виде раствора...

Номер патента: 421050

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Бруштейн, Воловик, Изобретени, Карандашов, Смирнов

МПК: H01G 4/12

Метки: 421050

...ичкости по ася тем, чтработы коарматуройской трубкмер эмаль. Изобретение относится к радиотехнике.Известны электрические конденсаторы постоянной емкости по авт. св.246678.Цель изобретения - повышение надежности работы конденсатора.Предлагаемый конденсатор является усовершенствованным по сравнению с известным из основного авт. св.246678 и отличается тем, что между металлической арматурой и внешним электродом керамической трубки нанесен защитный слой, например эмаль.На чертеже изображен описываемый конденсатор.Конденсатор содержит керамическую трубку 1 с внутренним 2 и внешним 3 электродами, нанесенными на поверхность трубки, и металлическую арматуру 4 (резьбовую втулВ. Ш. Бруштейн, И. А, Карандаш ку), которая по всей длине отделена от...

Номер патента: 423773

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Институт, Полупроводников, Сирота, Чобот

МПК: C04B 35/01, C04B 35/499, H01G 4/12 ...

Метки: 423773

...титан, цир формулений,ет 2 РЬ 0,5 х (1 ЬХВ -Изобретение относитсярамики и может быть иве диэлектрика высоко р ских конденсаторов,Известен сегнетокерамический материал, содержащий окись свинца, пятиокись ниобия, двуокись циркония и двуокись титана.Известный сегнетокерамический материал получен на основе тройных систем и является менее технологичным.С целью увеличения диэлектрической проницаемости материала .при близких к нулю значениях температурного коэффициента диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в предлагаемом сегнетокерамическом материале используются двойные системы цирконатаметаниобата или титанатаметаниобата свинца, исходные компоненты которых взяты в следующем количественном соотношении, вес. %:...

Номер патента: 365947

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Гедзюн, Яковлев

МПК: H01G 4/12

Метки: 365947

...приводит к сужению диапазона рабочих частот конденсатора.Цель изобретения - создание конденсатора с повышенным значением реактивной мощности. предназначенного для работы в цпроком диапазоне рабочих частот. Для этого выводы ;ондсцсатора выполнены в виде флапцев, д один из разрядных промежутков рдзмцеп ьчутри коцдснсдтора.1 д черте:с изображен предлагаемый коцЛсцстсср.11 д цилиндрическую трубку 1, изготовленную из керамического материала, нанесены вптрепп 2вцсппяя 3 обкладки 1 дз)ялцый промежуток 4 рд;положен с внутренней стороны трубки 1 гозлс одцого из ее торцов.1 дзрялнь ромежугок 5 рдсположец с наружной с гороы трусии па некотором рас тонни: от сс т рого торца. Возле разрядного промсжутд 5 рдз сщсц цилицлрический высту 6 ц ессццым...

Номер патента: 427406

Опубликовано: 05.05.1974

Авторы: Алексеев, Журавлев, Костомаров, Матвиевский

МПК: H01B 3/12, H01G 4/12

Метки: материал, стеклокерлмический

...материала электродов.Это дое введсццем в ос материала спека СаТЖ 05 при следуощем количествсццо., соотцошеццц исходных компоцецтов 1 вес. % ): Предлагаемый стеклокерамцческий матео риал пргготовляют следующим образом.По обычной керамической техцологци изСаТО, СдСО ТО;, ЯОз, В 1;Оз, 1.азОз, МпСОз готовят спеки СаТ 0 з - ВзОз, 2 ТО. и СаТЗО.; сицтезом при 1300 - 1350 С соо-зетствешо.Цццк-силцкатоборатцое стекло варят вкоруцдовых тиглях при 1200 - 1250 С цз 7 пО, В 40 з, НзБОз, %0;, СаГ МпСОз, ТОз, А 120 з техццческой чистоты. Для грацуляциц расплав стекла выливают в холодцуо воду.Смеси спСков и стекла готовят перемешцваццем в вибромельцице в течецце 1 - 2 час с добавкой 0,2% воды в качестве поверхцостцоактиьцого в щества. Для...

Номер патента: 429472

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Андреева, Булкина, Жуковский, Нейман, Семилетова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического

...проницаемости материал адиоэлектронспользовано в мических конИзобретение относится к р ной технике и может быть и производстве монолитных кера денсаторов. Для изготовления монолит ров, согласно известному спо турной стабильностью емкост ющей группе НЗО, применя мический материал Т. Для приготовления матер пользуют спек титаната ба ванный при 1200 - 1250 С, к добавляют, согласно рецепту поненты гТО ВОТО, ЛЪз 05ем не спек зда- браных конденсато собу, с темпера и, соответству от сегнетокера чиваи дна. иала Тисрия, синтезирокоторому затем , остальные комедмет изобретени соб изготовления сегнетокерамического иала для монолитных конденсаторов, чающий получение спека титаната баего помол с титанатом стронция, окисью та, двуокисью титана и...

Номер патента: 460271

Опубликовано: 15.02.1975

Авторы: Алексеев, Журавлев, Костомаров, Матвиевский

МПК: C04B 35/465, C04B 35/47, H01G 4/12 ...

Метки: материал, стеклокерамический

...- 40 0,5 - 10 0,1 - 0,15,СаТ 10 зЬГТ 103В 1 зОз 2 Т 10 зЬазОзМпСОз 35 вес. %: 40 - 56 25 - 36 5 - 12 0,5 - 102 - 10 0,5 - 3 0,5 - 5,0 0,5 - 3,0 0,5 - 1,0 а стекло имеет состав,пОВгОзсз 10 зВ 1 зОзСаРзЯгОТ 10 зА 1,0 зМпОз 40 45 Составитель М. СтояноваРедактор И. Шубина Техред Г. Дворина Корректор В, Брыксина Заказ 2762 Изд.1096 Тираж 648 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5МОТ, Загорский филиал А 1 гОз 2,5 МпОг 1,0 2 пО 54,2 В 1 зОз 5,0 5 гО 2,0 СаРг 5,0 Т 10 г 1,0 МпОг 0,5 ЯОг 5,0 В,Оз 25,3 АгОз 2,0 2 пО 50 В 1,0 з 5 ЯгО 3 СаГг 33 ТЮг 0,5 ВгОз 33 510 г 42 МпОг 0,5 А 1 гОз 05 Технология приготовления стеклокерамического материала обычная.Из Са Т...

Номер патента: 474861

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Лимарь, Мудролюбова, Ротенберг, Чередниченко

МПК: C04B 35/01, C04B 35/462, H01G 4/12 ...

Метки: керамический, материал

...2,0 - 3,0Окттсь металла, взятогоиз грулпы никель, хром, 0,06 - 2,0;а также компоненты, взятые в следутощем соотношении, вес, %:Окись лантана 14,5 - 40,5Окись алюминия 4,7 - 12,7 Окп "ь кальцияДвуокись титанаГл;на, напр:тмерЧа:ов-ЯракаяОкись никеляи,компоненты, взятые в снтп, вес. %;Окись лантанаОкись алюминияОкись кальцияДвуокись титанаГлина, напримерЧасов-ЯрскаяОкись хромаПовышение термостотем, что прп получении(Са, 1.а) (Т, А 1) О, вводвпкеля (Х 10) в количестразующая со структуройРедактор А, Зииьковский Корректор И, Симкииа Подписное Заказ 999/1421 Изд.850 Тираж 760 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская иаб., д. 4/5Тпп. Харьк. фил. пред. Патеит где о -...

Номер патента: 498651

Опубликовано: 05.01.1976

Авторы: Бруштейн, Воловик, Гроховский, Продавцова

МПК: H01G 4/12

Метки: емкости, конденсатор, постоянной, электрический

...со- керамической Изобретение относится к области радиотехники.Известны электрические конденсаторы постоянной емкости по авт. св.246678.Однако у этих конденсаторов в месте крепления металлической арматуры к внешнемуэлектроду керамической трубки возникаюттрещины, снижающие механическую прочность, надежность и стабильность в работеконденсатора,Цель изобретения - повышение надежностии стабильности в работе - достигается тем,что предложенный конденсатор снабжен расположенным между керамической трубкой иметаллической арматурой керамическим корпусом с нанесенным на его наружную поверхность электродом, который электрически соединен с внешним электродом керамическойтрубки.На фиг, 1 показан описываемый конденсатор; на фиг. 2 - то же, вид...

Номер патента: 519775

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Кальменс, Нейман, Павлушенко, Приходченко, Ротенберг

МПК: H01G 4/12

Метки: керамических, конденсаторов, монолитных

...постояцных макетов.Магазин-кассету с пленкой помещают в вакуум-камеру и на нее через маску цапыляют 15 слой палладня. Одновременно цапыляютстолько магазинов-кассет, сколько нх помещается в камере (14 магазинов-кассет на 3 группы по 40 - 400 конденсаторов каждая, т. е. до 1 б 800 конденсаторов одновременно).20 После напыления электродов магазин-кассету извлекают из вакуум-камеры, маску снимают, на металлцзированную пленку накладывают неметаллизцрованную, а на нее вторую маску со смещенными окцамц н вновь произ водят напыление в вакууме.При металлцзации каждого слоя в результате разогрева пружин в процессе термического напыления металлизируемая пленка под пружинами приваривается к нижележащим ЗЭ слоям, чем предотвращается смещение...

Номер патента: 533575

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Семилетова, Серебрянникова

МПК: C04B 35/47, H01G 4/12

Метки: керамический, материал

Номер патента: 549447

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Андреева, Веребейчик, Фридберг, Фрязиновская

МПК: C04B 35/00, H01G 4/12

Метки: материал, стеклокерамический

...(ТКЕ) стеклокерамического диэлектрика (и ТКЕ конденсатора на его основе) при заданном содержании стекла в композиции определяется соотношением компонент керамического наполнителя.П р и м е р 1 (по минимуму в вес. %); Свинцовоборатное стекло 59,0 Пирониобат свинца 18,0549447 Формула изобретения Керамика ТЛ23,0ТКЕ конденсаторовСвинцовоборатное стеклоПирониобат свинцаКерамика ТЛ ТКЕ конденсаторов+ 30 10 в 10 1/град. 15 60,0 12,5 27,5 Свинцовоборатное стеклоПирониобат свинцаКерамика ТЛ ТКЕ конденсаторов- (47+ 30) 10 20 1/град,Алюминат лантана 48,5 - 49,0 Титанат кальция 48,5 - 49,0 Глина 2,2 - 2,8 Составитель П, Лягин Техред И. Сметанина Корректор И. Симкина Редактор Б. федотов Заказ 278/963 Изд.471 Тираж 799 ПодписноЦНИИПИ...

Номер патента: 549448

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Лошкарев, Семириков

МПК: C04B 35/47, H01G 4/12

Метки: керамического, шихта

...емкости снижается с - 2750 10 - б до 5500 10 -1/град, Тангенс угла диэлектрических потерь при этом не превышает 2 - 4 10 - 4Особенностью состава является использование (Вагап) Т 10 з, полученного резким охлаждением расплава, сваренного при 1250 - 1300 С. В этом материале рентгенографически обнаруживается небольшое количество кристаллического твердого раствора титаната бария - цинка, остальное - стекло. Этот легкоплавкий химически активный материал может служить эффективной спекающей добавкой ко многим трудноспекающимся соединениям со структурой перовскита, Введение этого материала в шихты, содержащие ЯгТЮз - ВаХгО приводит к их полному спеканию при 1300 - 1350 С, повышению диэлектрической проницаемости и снижению диэлектрических...

Номер патента: 555074

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Брант, Бранте, Гаевска, Гаевскис, Гринвальд

МПК: C04B 35/01, C04B 35/497, H01G 4/12 ...

Метки: сегнетоэлектрического, шихта

...мельницах с агатовыми барабанами и шарами в среде этилового спирта в течение 8-10 час (до полного прохождения через сито Х 0056), После высушивания при 120 СС шихту прессуют в брикеты и подвергают первому обжигу при 900 С с выдержкой при этой температуре в течение 2 час, Затем брикеты измельчают и размалывают повторно. После помола из просушенной массы при удельном давлении 900-1000 кг, см прессуют заготовки конденсаторов в виде дисков и "чашек", Второй обжиг проводят при 1150 С с выдержкой при этой температуре до 1 час. Обжиг проводят в защитной атмосфере, предотвращающей потери РЬО,Примерный состав предлагаемой шихты может содержать следующие компоненты, вес, %:555074 66,85 26,75 2,71 1,87 1,82 РЬОГчЬз ОзИОЕпО 66,50 - 67,02 26,52...

Номер патента: 565022

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Барашкова, Елизарова, Жуковский, Заремба

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...дополнительно содержит борат кальция и углекислый марганец при следующих соотношениях компонентов, вес. а 1 а,Для получения шихты входящие в нее ком поненты загружают в вибромельницу в видепорошков и размалывают в течение 2 - 3 ч.В результате получают тонкоизмельченный порошок, к которому затем добавляют парафин или раствор каучука. Образцы получают 20 прессованием дисков или отливкой черезфильеру пленки, на которую наносят электроды из палладия. Образцы обжигают в нормальной среде при 1360 - 1420 С с выдержкой в течение 2 - 4 ч и получают конденсаторы.Предлагаемый материал имеет величинудиэлектрической проницаемости, равную или большую 1200, относительное изменение диэлектрической проницаемости в интервале температур в+85 С относительно...

Номер патента: 575339

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Андреева, Жуковский, Исупова, Ротенберг, Савченко, Яськова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...марганец 0,1П р и м е р 2 (по максимуму ввес,Ф).575339 30 Формула изобретения Сост авитеЛ ь П . Ля гинРедактор Б.Федотов Техред Н.Бабурка Ко ректо Д,Мельниченко Заказ 3985/17 Тираж 764 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий,113035 Москва ЖРа шская наб. д. 4 5Филиал ППП Патентф г. Ужгород, ул. Проектная, 4- Диэлектрическая проницаемость 3180, в интервале температур (-60) 125 фС изменяется от 7 до -12,5.Загружают в вибромельницу в виде порошков: 5Титанат бария 98,0Окись самарияОкись йеодима 0,3Пятиокись тантала 1,2Углекислый марганец 0,2П р и м е р 3 (по среднему значению в вес.) .диэлектрическая проницаемость 2950, в интервале температур (-60) - 125 С изменяется от 4,8 до...

Номер патента: 578288

Опубликовано: 30.10.1977

Авторы: Андреева, Бертош, Жуковский, Мищенко, Нейман, Ротенберг, Соловьева

МПК: C04B 35/468, H01B 3/12, H01G 4/12 ...

Метки: материал, сегнетокерамический

...0,3 иуглекислыи марганец 0,6.П р н м е р 3. (по среднему значешпо,вес. %). Диэлектрическая пронпцаемос 1 ьв=3070, изменение емкости в интервале температур от - 60 до + 125 С состагляет от-10,до - 12%.Загэужают в вибромельнпц В Виде ПО.2 о рошков титанат бария в количестве 95, затемдобавляют к нему окись самария 1,5, углекислый барий 0,3, пятпокись ннобпя 3 и углекислый марганец 0,2.Затем компоненты, указанные в примерах25 1,2 и 3, перемешивают в впбромельнице в течение 2 - 3 час и в результате получают тонкопзмельченный порошок, и которому добавляют полпвинпловый спирт, либо растворкаучука, а затем получают образцы либозО прессованием дисков, либо отливкой через3фнльеру пленки, на которую наносят палладнсвые электроды. Образцы...

Номер патента: 585139

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Балашова, Колчин, Михайлова, Ушаков

МПК: C04B 35/462, C04B 35/491, H01G 4/12 ...

Метки: керамический, материал

...окислов 1 внсмута, самария, магния н марганца. Из полученного материала методом полусухого прессования изготавливаются образцы и изделия (заготовки конденсаторов). Обжиг образцов и изделий в зависимости от их размерОв производят при 1350-1430 С.Предлагаемы материал имеет при 25 С диэлектрическую проницаемость (С) не менее,4500, сглаженную зависимость диэлектрической проницаемости от температуры С.(Т) (изменение в интервале температур от +5 до +85 С не превышает 15-10), тангенс угла диэлектрических потерь ИцВ) не более 0,01, диэлектрическая прочность материала при постоянном напряжении электрического поля ( Е ) не менее 7 кв/мм.585139 Составитель М.Кузнецова Текред Н.Бабура Корректор П,Макаревич. Редактор Л.Гребенникова Заказ 4954/14...

Номер патента: 587128

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Буевич, Бурилова, Волков

МПК: C04B 35/491, H01G 4/12

Метки: керамического, шихта

...ЛИН, ОбОГаЩЕННЫй ПРи следующем соот- НОШЕНИИ КОМПОНЕНТОВ, ВЕС.Ф:587128 Двуокись цирконияДвуокись титанаУглекислый барийТалькДвуокись кремнияТитанат магнияОбогащенный каолин 42-47 30-35 5-7 2,5-3,5 3-4 0,5-2 7-8Температураспекания, фС 1315-1430 1310-1430 1320-1430 1400-1450 Интервалспекання, оС 60- 100 60- 100 60- 100 15-25 Пробивное напряжение, кВ/мм 18 20 14 Интервал рабочих температур материала, фС(ГОСТ 545864, 1-я категория) формула изобретения Тираж 750 Подписное Заказ 77/19 ЦНИИПИ филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Для получения керамическогоматериала для конденсаторов была подготовлена шихта трех составов, содержа щая следующие компоненты, вес.ВУо 31,9; .ЪгО 45,4;ЗаСО 6,8; тальк 3,1;обогащеннйй каолин 7,41 8( о...

Номер патента: 591434

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Андреева, Евзович, Журавлева

МПК: C04B 35/462, H01G 4/12

Метки: диэлектрический, материал, стеклокерамический

...Заказ 523/18 Тираж 751 Подписное Филиал 11 П 1 Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Свинцовоборосиликатное стекло, входящее в состав стеклокерамического диэлектрика, состоит из следующих компонентов, вес.Ъ:РЬО 84,0-84,5;з 90,-9,5Д 3 2,0-3,0гь2,0-3,0СоО 1,0-2,0стеклокерамический диэлектричес- р кий материал представляет смесь тонкодисперсных порошков керамики (наполнителя) и неорганического стекла (связующего). Стекло обволакивает частицы керамики и цементирует их в монолитный блок путем прессования пакета конденсатора при температуре,обуслов" ленной температурой плавления стеклаи температурой плавления, материала электрода. При заданном содержании стекла в стеклокерамическом диэлектрике значение температурного коэффициента...

Номер патента: 596557

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Борщ, Доброгорская, Лимарь, Мудролюбова, Ротенберг

МПК: C04B 35/462, H01B 3/12, H01G 4/12 ...

Метки: керамический, материал

...солей готовят следующим образомк 1,97 л 2,47 М раствора титана четыреххлористого приливают 2 л дистиллированнойводы, 1,28 л 1,042 М раствора бария хлорнотого.1,97 л 1,024 М раствора неодимахлористого и 0,24 л 1084 М растворависмута хлористого.Диэлектрическая проницаемость данногосостава 95 при ТКС .60 10 град, 1 Д 6==(2-3)10, 8, при 1 155 СЗ 10 ом см,П р и м е р 3. (по среднему),Для получения 1. кг материала, содержащего, весЛ:ГО55ВаО щ о 34,6Б О 6,45поступают аналогично примеру 1,Смесь хлористых солей готовят следующим образом: к 2,32 л 2,08 М растворатитана четыреххлористого приливв 1 от 2 лдистиллированной воды, 1,35 л 0,984 Мраствора бария хлористого, 1,94 л 1,040 Мраствора неодима хлористого и 0,24 л1,084 М раствора висмута...

Номер патента: 620461

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Кузьмина, Лискер, Мудролюбова, Поломошнова

МПК: C04B 35/01, C04B 35/462, C04B 35/468 ...

Метки: керамики, конденсаторной, шихта

...содсь бария,га, двуокиы кальция ест го мате ма, ок висму окисл г ана,окись цирк оння,ронция ил оло сме высокочастотных керамичеторов в радноэлекгроннВ настоящее времяразличных типов высоксаторов термосгабильшироко применяют кералы на основе твердых(са,) а)(т 1,АЮОИВеличина дизлекгричесмости ( 6 ) таких херамириалов с ТКЕ щО - 75,превыщаег 40-55.Известны керамическиетеми же значениями ТКсстемы Са)сТ МЪО СсТтНо величина диэлекгрицаем ости таких материалет 55 7(21) 244247 Э/2 ЭМудролюбова, К, Е. Лискер, Н, и Л. Е. Кузьмина МатериалнзготовлеищМ ив ат ой щихгы, имеет диэлектрическую л Е =66 при ПСЕ+ЗМ 20)и 1 б рад 1, Я а 69 при ТКИ-(76+201 к 10 рад, к 78 при ТКс фф -(47120)х 10 гради ба 87 при ТКбО. При относительно высоком значении...

Номер патента: 621029

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Авдеева, Кирюшова, Лаврентьева, Науменко-Живая, Предель

МПК: H01G 4/12

Метки: керамических, конденсаторов, металлизации, паста

...что позволяет получать покрытие с высокими адгезионными и механическими характеристиками, Кроме того, необходимо отметит равномерное распределение плавня в возженном металлизационном покрытии и хорошее обслуживание. Паста представляет собой суспензию мелкодисперсного порошка сплава, осажденного на стеклообразующий плавень в органическом связующем.П р и м е р 1 (по минимумусодержания стекла) . 90% сплава 70 ЛД /30 Рд, осажденного нв 10%25 Частицы стекла, покрытыеблагородным металломОрганическое связующее 52- 54 46-4847% Благородный металлСтекло 80-90 10-20 353, Паста по п, 1, о т л и ч а ю щ а яс я тем, что в качестве благородногометалла она содержит сплав серебра спалладием.4 ОИсточники информации, принятые вовнимание при...

Номер патента: 628133

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Буркова, Кириллов, Лискер, Мудролюбова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: высокочастотных, конденсаторов, термокомпенсирующих, шихта

...37,5 О 2 О) и 4 5 аО, угЛекислый барий из расчета 19% и 39,5 Т 02.Полученную смесь загружают в вибромельницу при соотношении шаров и материала 16-4):1 и смешивают в течение 30-60 мин, после чего шихту прокаливают при температуре 1280- 1320 С с двухчасовой выдержкой. Полу ченный продукт размалывают до удель"9 ной поверхности 6,000-8,000 см"/г,8133 ф8 = (2-3) 10 1, . при 1: 1550 С1210 ом см. 19, 0-19, 2 16,6-37,5 Окись барияОкись неодимаДВУОКИСЬ титана Окись лантава Составитель В.СоколоваТехред А.Алатерев Корректор М.Демчик Редактор Л.Емельянова Заказ 5732/21Тираж 751 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, 3-35, Раушская иаб., д. 4/5Филиал ППП Патенту Г. УЕГОРОДУ...

Номер патента: 628134

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Борщ, Кузьмина, Лимарь, Лискер, Мудролюбова, Третьякова, Федорова, Фирсова

МПК: C04B 35/462, H01G 4/12

Метки: высокочастотных, керамический, конденсаторов, материал

Номер патента: 629198

Опубликовано: 25.10.1978

Авторы: Бойс, Михайлова, Продавцова, Соколова

МПК: C04B 35/465, H01B 3/12, H01G 4/12 ...

Метки: сегнетокерамического, шихта

...в кот тернал на основе окислов бария нли стронция титана н висмута чнвает величину диэлектрнческо цаемостн ( с ) только в преде 90 и предназначен для изготовл сокочас тотных конденсаторов 1 Ц Однако известное и зобре те ни недостаточную диэлектрическую цаемость .лый 5 0,4Кальций углекислый 3,4-4,8Тнтан двуокись 25,6-26,9цирконий двуокись 5,3-6,8Лантан окись 0,3-0,5Алюминий окись 0,2-0,6 5Введение двуокиси цкрконня и кальция углекислого обеспечивает высокуювеличину 6 магернала, добавка окисилантана прндаег материалу полупроводниковые свойства, а окись алюминияспособствует полноте вхождения лантанв решетку титана бария, образуюцегосяпри сннтезе нсходных компоненгов, г.е,обеспечивае г хорошую воспронзводимосгьизготовления материала с...