Бертош
Генератор синусоидальных колебаний
Номер патента: 1786634
Опубликовано: 07.01.1993
Авторы: Бертош, Горбачев, Мойсейчук, Мытник, Пацевич, Попов
МПК: H03B 5/40
Метки: генератор, колебаний, синусоидальных
...т 2). Положительный импульс через импульсные усилители 18 и 20 поступает на управляющие входы управля1786634 20 30 50 емых ключей 1 и 3 соответственно. При этом управляемый ключ 1 открывается с задержкой на время та,вкл, а управляемый ключ 3 закрывается (при этом управляемый ключ 2 открыт, а управляемый ключ 4 - закрыт). Задержка включения управляемого ключа 1 (и управляемого ключа 4) необходима для предотвращения сквозных токов при работе устройства. На вторичной обмотке трансформатора 23 обратной связи появляется импульс положительной полярности, который через выпрямительный диод 25 поступает на второй вход сумматора 40 и на вход логического элемента И - НЕ 32, импульс на выходе элемента И 29 прекращается (фиг.2 д, момент т 2), и...
Устройство для автоматического управления электрохимическим процессом
Номер патента: 1696613
Опубликовано: 07.12.1991
Авторы: Бертош, Куценко, Саковец, Хмыль
МПК: C25D 21/12
Метки: процессом, электрохимическим
...анодах могут изменяться напряжения, другие же аноды обесточиваются.1696613 В процессе осаждения периодически измеряются токи анодов и параметры ванны, которые записываются в памяти ЭВМ 5. Блок 6 моделирует продолжение технологического процесса и при необходимости корректирует данные в память ЭВМ 5, добиваясь наиболее полного соответствия свойств наносимого гальванического покрытия заданным требованиям,П р и м е р 1, Осаждение серебряного покрытия проводят в электролите следующего состава, г/л;к(Ад(си)2) 30 КСИЯ 250 КСОз 40 В качестве катода используют пластину из латуни ЛС, которая предварительно обезжиривается венской известью, промывается в горячей и холодной воде, траниях потенциалов. Разница в толщинах покрытия на...
Флюс для пайки и лужения деталей радиоэлектронной техники
Номер патента: 1569151
Опубликовано: 07.06.1990
Авторы: Аршанская, Бертош, Дягилева, Медведев, Меркушева
МПК: B23K 35/363
Метки: лужения, пайки, радиоэлектронной, техники, флюс
...Нметодом окунания,Физико-механические параметры паяных конденсаторов К 10-7 В группа Н различными составами флюсов представлены в табл. 3. Текучесть флюса (относительная) определяется как отношение площади поверхности припоя на никелевой фольге к массе припоя, вытекающего из металлической емкости диаметром сопла 2 мм.Сопло почти касается поверхности фольги 2 мм, После охлаждения припой отделяют от основы (никеля) вручную, взвешивают с точностью до 0,0001 г массу припоя на аналитических весах и по миллиметровой бумаге вычисляют площадь растекающегося припоя,При отделении припоя от основы вручную необходимо было приложить достаточно большие усилия в случае примеров 1-3.Из-за невозможности нанести припой равномерно и тонким слоем по всей...
Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала
Номер патента: 1474150
Опубликовано: 23.04.1989
Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта
...изобретения - повышение диэлектрической проницаемости материала.Пихту получают следующим образом.Предварительно известным в керамической технологии способом получают спеки титаната бария, цирконата кальция и станната кальция, которые синтезируют при 1220-1300 С, затем измельчают до удельной поверхности 4000 - 5000 см /г. Измельченные сле- г удельной пов и используют ка конденсат ическом кон ноло бл,1 хты Составы шихты приведеныхарактеристики полученныхматериалов - в табл.2. Ф о а изобре Ших лектрето- онде для изготовления се еского керамического ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССРОЛИСАНИЕ ИЗ ВТОРСНОМУ СВИДЕ заданном соотношении,ребуемым количеством фарганца и оксидов цинка,и циркония.смесь...
Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала
Номер патента: 1474149
Опубликовано: 23.04.1989
Авторы: Алексеева, Балакишиева, Бертош, Дорохова, Егоров, Мамчиц, Питушко, Ротенберг, Самойлов, Трояновская
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта
....в кермическом производстве образом получают спеки титаната бария И цирконта кальция.Полученные спеки измельчают до удельной поверхности 40005000 см/г. Затем измельченные спеки, взятые в .заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомкарбоната марганца, оксида самария 4 С 04 В 35/46 Н 01 О 4/12 электриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотныхконденсаторов, Для сокращения потерькерамики по микротрещинам при пайкек ней выводов шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала содержит в качестведобавки глину при следующем соотношении. компонентов, мас.%: ВаТО92-98; СаЕгО 0,7-4,0; ИЪО 0,7 -глина 0,2-0,7. Полученный по обычной керамической технологии при1280-1360 С в течение 2 ч...
Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала
Номер патента: 1463729
Опубликовано: 07.03.1989
Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов
МПК: C04B 35/46, H01G 4/12
Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта
...ших 1, а в табл. ученных из ших" характеты матернало ности ной пов ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР енсаторов.ель изобретения - повышениетрической проницаемости мате и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамическихконденсаторов, Для повышения диэлектрической проницаемости материалашихта сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материаласодержит в качестве добавки СаЯпОзи каолин при следующем соотношениикомпонентов, мас,Ж: ВаТхОз 86,2188,40, Са 2 тО8,0-9,0; МпСО 0,080,10 БЬО 0,70-0,981 2 пО 0,450,70; СаБпОз 2,17-2,66; каолин 0,200,35. Полученные по обычной керамической технологии составы материалаиз полученной шихты имеют следующиехарактеристики:15000-16800, 8 Ф1463729...
Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала
Номер патента: 1458355
Опубликовано: 15.02.1989
Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов
МПК: C04B 35/46, H01G 4/12
Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта
...в заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомуглекислого марганца и оксидов цинка и ниобия (см. табл. 1). изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки СаЯпО при следующем соотношениикомпонентов, мас.7.: ВаТ 10,8712- 88,97; СаЕгО 7,8-8,.6; ИпСОэ,0,08- О, 10; ИЬО у 0,70,-0,98; ЕпО 0,45- 0,70; Са 8 пОэ 2,00-2,50. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют, следующие характеристики: Е 15000-17000; с 8 с(1,25-2,25)х 10 ф; р при 100 С (5,0-9,1 ГОм м;Е5,0- й -6,4 МВ/м;Т15-25 С;, Тматериала 1260-1300 С. 2 табл. ную смесь...
Импульсный вольтметр
Номер патента: 1386924
Опубликовано: 07.04.1988
Авторы: Бертош, Достанко, Куценко, Хмыль
МПК: G01R 19/04
Метки: вольтметр, импульсный
...в нульпоэтому элемент И 14 закрыт и на второй вход второго сумматора 10 подается ноль. На выходе второго сумматора 10 появляется код, равный выходному коду АЦП 9. Этот код подается на второй (информаггиоцный) вход регистра 12. Сигнал Конегг преобразования с первого вьгхода АЦП 9 открывасг клгоч 8, который разряжает кондеггсатор 7, подготавливая его к новому измерению, а;ак.ке, поступая ца псрвый вход записи регистра 12, заносит в него код с выхода второго сумматора. Кроме того, по заднему фг 1 оцтъ сигнала Конец преобразования триггер 11 устанавливается в единицу. Второй импульс, поступающий па вход 18, указанным образом заря. жает конденсатор 7 до своего максимального значения. Импульс управления по входу 19 запускает АЦП...
Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала
Номер патента: 1308598
Опубликовано: 07.05.1987
Авторы: Бертош, Давыдова, Ларичева, Мамчиц
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта
...1330130 131030 13 10+30 13000 0,8 10 11000 О,б 5900-7800 Известный 1360+20 ВНИИПИ Заказ 1771/20 Тираж 588 Подписное Произв-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности ксоставам керамических диэлектриков,и может быть использовано для изго"товления низкочастотных керамическихконденсаторов.Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости сегнето"керамического материала.Шихту получают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве способом притемпературе синтеза 1220-1300 С поолучают спеки ВаТгО, и СаЕгОэ которыезатем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г.Измельченные спеки ВаТ 10, СаЕгОэи ЯгСо, НЬО, ЕгО и ЕгО, взятые взаданном...
Флюс для пайки и лужения
Номер патента: 1278167
Опубликовано: 23.12.1986
Авторы: Бертош, Горкер, Дягилева, Матвиевская, Самойлов, Семочкин
МПК: B23K 35/363
...и активностью при пайке керамических радиодеталей с химически осажденным покрытием из никеля, включающим неметаллическую компоненту (фосфор и бор).Цо Флюсующей способности он близокк флюсам на основе хлористого цинкаи соляной кислоты.Конденсаторы, запаянные с применением предлагаемого флюса, соответствуют требованиям ГОСТ 5.621-77 иимеют высокое качество и надежность.Влияние остатков Флюса на электропараметры керамических конденсаторовК 10-7 В и другие его преимущества под 1тверждаютсн результатами испытаний,данные о которых приведены в табл.2.Как следует из табл. 2, предлагаемый Флюс практически не ухудшаетэлектропараметры изделий после ихпайки, которые в сравнении с известным обеспечивают улучшение сопротивления изоляции (В ) на два...
Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала
Номер патента: 1271850
Опубликовано: 23.11.1986
Авторы: Бертош, Котляр, Ларичева, Мамчиц
МПК: C04B 35/468, H01B 3/12
Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта
...цирконата кальция и титаната стронция, которые синтезируют при 12201300 С и затем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г, Измельченные спеки и оксид цинка, .взя-тые в заданном соотношении, смешивают и измельчают в течение 1-2 чдо удельной поверхности 5000 -7000 см 7 г. Полученную таким образомшихту используют для получения диэлектрика конденсаторов по известнойв керамическом конденсаторостроенинтехнологии. 10 15 Состав и свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных конденсаторов приведены в табли- в це,держание компонентов, масСостав ВаТз.0 СаЕ БгТО Еп 200 О,-48 О 2 78 5,5 1,3,0 О,8600 0,8 7 Составитель Л, КосяченкоТехред И.Попович Коррект Редактор Н, Яцола ск Заказ 6307 24 40 Поого комитета СССРий и...
Шихта для изготовления сегнетокерамического материала
Номер патента: 1258825
Опубликовано: 23.09.1986
Авторы: Алексеева, Балакишиева, Бертош, Дорохова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Питушко, Ротенберг, Самойлов, Трояновская
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: сегнетокерамического, шихта
...10МпСО05Оксид из граз12588 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления. низкочастотных керами ческих конденсаторов.Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь и повьппение сопротивления изоляции керамики при максимальной рабочей температуре. 10Предлагаемую шихту для изготовюления сегнетокерамического конденсаторного материала получают следующим образом.Предварительно известным в керами ческом производстве образом изготавливают спеки титаната бария и цирконата кальция. Полученные спеки измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г. Измельченные спеки,Свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных кон 20 денсаторов...
Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала
Номер патента: 1244129
Опубликовано: 15.07.1986
Авторы: Андреева, Балакишиева, Бертош, Голубцова, Горонович, Жуковский, Ротенберг, Соловьева, Суслина
МПК: C04B 35/468
Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта
...значений емкости в интеровале температур от - 60 до +125 Си повышение удельного сопротивления 10керамики,Предлагаемую шихту сегнетокерамического конденсаторного материалаполучают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве образом изготавливают ВаТО которые синтезируют3при 1200-1300 С и измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г, Затем полученные в отдельности ВаТО, 20и СаЕгО смешивают в требуемом созотношении и обжигают при 1400 С в течение 2 ч. К полученной таким образомсмеси добавляют в требуемом соотношении МЬ,О МпСО ОУ 20 РхО и1 ЬО смешивают и измельчают доудельной поверхности 5000-7000 см /г.Полученную шихту сегнетокерамического материала используют для изготовления диэлектрика...
Диэлектрический керамический материал
Номер патента: 1191442
Опубликовано: 15.11.1985
Авторы: Бертош, Варфоломеев, Голубцова, Илющенко, Костомаров, Ларичева, Матвеева, Самойлов
МПК: C04B 35/462
Метки: диэлектрический, керамический, материал
...следующем соотношении компойенто мас.7.:Т 1.0 .ВаОф 1 Ф 9Отклонение ТКЕ в партиях, 10 1/ С Состав 31,6 17,2 13 87 16,4 85 31,6 т 3 31,6 17,1 82 Составитель В.СоколоваТехред З.Палий Корректор Г.Ретешник Редактор Т.Колб Заказ 7080/22 Тираж 604 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий. 113035, Москва, Ж Раушская наб., д. 4/5) 1191Изобретение относится к электрон-ной технике, в частности к составамкерамических диэлектриков, и можетбыть использовано для изготовлениявысокочастотных термостабильных 5керамических конденсаторов,Цель изобретения - снижение трудозатрат при изготовлении материала,повышение его электрической прочности и стабильности температурного . 1 Окоэффициента диэлектрической...
Флюс для пайки и лужения
Номер патента: 1166949
Опубликовано: 15.07.1985
Авторы: Бертош, Горкер, Меркушева, Негрей, Обуховская, Овечкин
МПК: B23K 35/363
...(растворов) в основу флюса производитсяв следующем порядке: раствор бромисто.водородной кислоты, раствор бор-трехфтористого диацетата (комплекс),раствор бромида алюминия,Приготовленный таким образомФлюс сливается в емкость для пайкина автоматизированной линии. Этиленгликоль в данном флюсе является 45инертным носителем, бор-трехфторис-.тый диацетат (комплекс - В Ра 2СНЗСООН), бромистоводороднаякислота в присутствии бромида алюминия значительно активирует раство Орение окисных пленок и других загряз.некий на паяных поверхностях, одновременно уменьшая поверхностное натяжение расплавленного. припоя, улучшает его текучесть и смачиваемость 55им металлов. Это способствует обра"зованию прочных связей припоя с основным материалом. Примеры...
Устройство для регулирования температурного распределения на поверхности объекта
Номер патента: 1118977
Опубликовано: 15.10.1984
Авторы: Бертош, Домаренок, Достанко, Мороз, Паперно
МПК: G05D 23/27
Метки: объекта, поверхности, распределения, температурного
...подключены к входамблока управления нагревателя, на выходе которого включены нагреватели,введены оптический модулятор, сосгоящий из оптических фильтров и сис- темы управления их положением ссинхровходом и синхровыходом, а так 35 же блоки перемножения, число которых в два раза больше числа блоковсравнения, причем оптические фильтрывключены между выходом оптическойинфракрасной системы и входом инфра 4 О красной телевизионной камеры, синхровнход которой соединен с синхровходом систеиы управления положениемфильтров, а синхровыход системы управления положением фильтров соединен с синхровходами блоков выделениявидеосигнала, первые входы каждогоблока перемножения соединены с.первыми выходами соответствующих блоковвыделения видеосигнала,вторые...
Шихта для изготовления сегнетокерамического материала
Номер патента: 1028644
Опубликовано: 15.07.1983
Авторы: Аборинская, Андреев, Андреева, Бертош, Голубцова, Жуковский, Константинов, Макарова, Ротенберг, Соловьева
МПК: C04B 35/468
Метки: сегнетокерамического, шихта
...и углекислый марганец, дополни.тельно содержит окись празеодимаи двуокись титана при следующемсоотношении компонентов, мас.Ъ:ТитанатбарияПятиокисьниобия 1,4-2,0 650,05-0,3 Окисьдиспрозия 0,1-1,0ОкисьиттербияУглекислыймарганец 0,05-0,3Окисьпразеодима 0,2-1,5Двуокисьтитана 0,1-1,0Компоненты шихты перемешиваютв вибромельнице в течение 2-3 ч,в результате чего получают тонкоизмельченный порошок, к которому добавляют поливиниловый спирт либораствор каучука, а затем получаютобразцы либо прессованием дисков,либо отливкой через фильеру пленки,на которую наносят палладиевые электроды. Образцы обжигают при 1360,1420 С в течение 2-4 ч и получаютдисковые или монолитные заготовкиконденсаторов из предлагаемого сегнетокерамического...
Способ активирования керамической поверхности
Номер патента: 990742
Опубликовано: 23.01.1983
Авторы: Бертош, Горкер, Начинов, Негрей
МПК: C04B 41/14
Метки: активирования, керамической, поверхности
...покрытия Группа ТКЕобразцовкерамики Состав Свойства изделия сМ,68 б 800 светло-се" 0,8рый Н 30 1,2 33 59 3300073 510 Н 70 32 и 750 0,04 42 н 0,93 3 990742следнюю осуществляют нанесением состава, содержащего, об.:2 Ф-ный растворсвязующего наоснове оксиэтил" 5целлюлозы 74,98-78 99Спирто-водныйраствор двухло"ристого палла"дия концентрации 1,2 г/л 19" 21Глицерин 2"4Октиловый спирт 0,01-0,02с последующей термообработкой при300"400 фС в течение 30-60 мин. 1526"ный раствор на основе оксиэтил"целлюлозы используется в качестве свя-.зующего, спирто-водный раствор РдС 1является носителем основного активирующего компонента, глицерин применен 20в качестве пластификатор , а актиловый спирт - в качестве пеногасителя.Выбранное соотношение этих...
Водорастворимый флюс
Номер патента: 889352
Опубликовано: 15.12.1981
Авторы: Бертош, Горкер, Тарасенко
МПК: B23K 35/362
Метки: водорастворимый, флюс
...паяного узла Характеристики изделия 1 ф 198 10ЯВМом Качество пайаяемьщеталл Известный 1, 20 хорошее никель 3600 Предложенный 25 хорошее никель 3650 2,2 850 1,19 1200 СПредложенный 1 24,5 1180 1,2 хорошее никель 3650 Предложенный 24 3650 1180 ВНИИПИ Заказ 10849/27 Тираж 1151 Подписное Филиал ППП "Патент", г,Ужгород, ул, Проектная, 4 металлом и стабилизирует значения тф и Ви изделий, Глицерин, триэтаноламин, полиэтиленгликоль в зависимости от применяемого припоя являются инертными носителями, которые при конкретных температурах пайки образуют легко удаляемые из зоны пайки продукции, что способствует его технологичности и повьппению электрических характеристик изделия, Для получения предложенного флюса предварительно приготавливают...
Способ металлизации заготовок керамических конденсаторов
Номер патента: 872517
Опубликовано: 15.10.1981
Авторы: Бертош, Горкер, Костомаров, Негрей, Овечкин, Самойлов
МПК: C04B 41/88, H01G 4/008
Метки: заготовок, керамических, конденсаторов, металлизации
...имеет преимущества переддругим способом шерохования, заключающиеся в сохранении механическойпрочности и электрических свойствтонких ( до 200 мкм) и хрупких пластин на основе окисной керамики, содержащей ВаТОЗ,Влияние способов шерохования на 40 свойства керамических заготовок показано в табл. 1.Таблица 1Электрические свойства 681 О 3,310 0,27Я 2517 Продолжение табл. 1 Механическая РазмерзаготовЭлектрические свойства Способ шерохования Сопротивление Тангенс Электропрочность,кВ ки ф мм мм прочность на разрушение,кг угла диэлектрических изоляциипотерь,СД Термическое шерохование (предлагаемый способ 1,5-10 2,2 10 2,0, а. ОЙДО Контрольный образец ф 1,510 2,310 1,9ф011021 М.йд согласно ГОСТ 5621-77 не должен превышать величины3,...
Флюс для пайки и лужения
Номер патента: 872134
Опубликовано: 15.10.1981
Авторы: Бертош, Горкер, Меркушева, Негрей, Обуховская, Овечкин
МПК: B23K 35/362
...солянокис,6-2,4стальноетнымаце- ород- астворе- гряэне20 Состав 3 Этиленгликоль 25 94,695,6 96,6 Бор-трехфтористый ди,ацетат 3,0 2,4 1,8 30 Бромистоводородная кис 1,б 2,4 2,0 лота Составитель Е. ГоворинРедактор Т, Парфенова Техред М,Голинка Корректор Н. ШвыдкаяЗаказ 8892/20 Тираж 1151 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035 Москва, ЖРаушская наб. д, 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3 87213ний на паяемых поверхностях, одновременно уменьшая поверхностное натяжение расплавленного припоя, улучшаяего текучесть и ускоряя смачиваемостьим металлов, способствуют образованию прочных связей припоя с основнымметаллом,Для получения описываемого флюса,предварительно...
Флюс для пайки и лужения серебросо-держащими припоями
Номер патента: 846186
Опубликовано: 15.07.1981
Авторы: Бертош, Горкер, Обуховская, Тарасенко
МПК: B23K 35/362
Метки: лужения, пайки, припоями, серебросо-держащими, флюс
...смола 14-18Полиэфирная смола является активной составляющей флюса, которая в комплексе с поливинилпироллйдоном способствует растворению окисных пленок на паяемых поверхностях, ускоре ию смачивания металла припоями, сни846186 Компоненты Содержание в составах, вес, В 1 2 Полиэфирная смола 14 16 18 Поливинилпироллидон 4,5 3,5 2,580 к 5 79 к 5 Дибутилфталат 81,5 Формула изобретения Составитель Е ГоворинРедактор С. Лыжова Техред И.Асталош Корректор М. Пожо Заказ 5293/14 Тираж 1148 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 явлению поверхностного натяжения припоя,что улучшает текучесть припоя и...
Флюс для пайки и лужения легкоплавкимиприпоями
Номер патента: 831464
Опубликовано: 23.05.1981
Авторы: Бертош, Горкер, Тарасенко
МПК: B23K 35/362
Метки: легкоплавкимиприпоями, лужения, пайки, флюс
...и других за831464 грязнений на поверхности паяных узлов, Низкомолекулярный поливинилпироллидон уменьшает поверхностное натяжение расплавленного припоя и улучшает его текучесть,зованием легко удаляемых из зоны пайки продуктов. Дибутилфталат, имеющий температуру кипения в пределах 315 в 3 С, вводится во флюс для повышения его температуры кипения, что способствует улучшению его технологичнос 1 ги. Для полученияКоплекс, образованный в результате реак- предложенного флюса предварительно приции между стеариновой кислотой и поли- готавливают смесь из расплавленной стеавинилпироллидоном, интенсифицирует улуч- риновой кислоты и поливинилпироллидона, шение перечисленных свойств и ускоряет которую тщательно перемешивают до посмачивание металлов...
Состав шихты для изготовления ке-рамического материала c высокой диэлектрической проницаемостью
Номер патента: 810643
Опубликовано: 07.03.1981
Авторы: Аборинская, Бертош, Бутянова, Дорохова, Жуковский, Ларичева, Мартыненко, Марчук, Палейко, Ротенберг
МПК: C04B 35/49
Метки: высокой, диэлектрической, ке-рамического, проницаемостью, состав, шихты
...снижение диэлектрических потерь.Указанная цель-достигается тем, что состав шихты для изготовления керамического материала с высокой диэлектрической проницаемостью, содержащей В аТ 1 Оа и СаУгОа, дополнительно содержит ХдгОз, КЬгО ХпО и МпСОа при следующем соотношении компонентов, вес. %:ВаТ 10 а 87,7 - 90,0 СаХгОа 7,5 - 8,0 11 4 О, 0,8 в 1,50,25 - 0,6ХпО 1,4 - 2,0 МпСО, 0,05 - 0,2Для получения керамики предварительно синтезируемые ВаТ 1 О СаХгОа и остальные компоненты, взятые в заданном соотношении, перемешивают в вибромельнице в течение 1 - 2 час. К полученному тонкоизмельченному (до ) 5000 смг/г) материалу добавляют технологическую связку и формуют заготовки конденсаторов, которые обжигают при 1320 - 1370 С в течение 2 - 5...
Водорастворимый флюс для пайки и лужения
Номер патента: 710794
Опубликовано: 25.01.1980
Авторы: Бертош, Буевич, Горкер, Костомаров, Негрей, Самойлов, Тарасенко
МПК: B23K 35/362
Метки: водорастворимый, лужения, пайки, флюс
...растворение окисных пленок и других загрязнений на поверхностях паянных узлов. Низкомолекуляркый поливинилпироллидон уменьшает, поверхностное натяжение расплавленного припоя и улучшает текучесть припоя,Комплекс, образованный в результате реакции между фосфорной кислотой и низкомолекулярным поливинилпироллидоном интенсифицирует улучшение перечисленных свойств и ускоряет смачивакие металлов припоями, а также способствует образовакию прочных связей с осковным металлом.Для получения предложенного флюса предварительно приготавливают смесь из фосфорной кислоты с удельным весом 1,7 г/см и поливинилпироллидона в виЬде низкой однородной массы. К полученной массе добавляют глицерин и образованную смесь при непрерывном перемешивании...
Паста для металлизации необожженной керамики
Номер патента: 613407
Опубликовано: 30.06.1978
Авторы: Бертош, Горкер, Коломайнен, Мищенко, Тишкевич
МПК: H01B 1/02
Метки: керамики, металлизации, необожженной, паста
...П ДР)ГИМИ ХИКИна а.1 П.В 1(2 честВС пластифик 2 тор 2 поливииилии)- РОЛИДОЦ 2 ИСПОЛЬЗОВ 2 Н ГЛПЦЕРИЦ, В К 1 ЧС. ае см 2 чиватсля - раствор нспоцОГОИПОГО пов") х постно-активного Вещества оксцэт лцровашдго алкилрснола ОП, а в качестве пе 10 аси сля - октиловый спирт пли трибутилг)Осфа ,1-1 ижс приВодятся конкретны п 1)имер, пасть для мсталлизацпи (содсрж 211 ие (ОьПопси.30 тов взято в вес. ч.).Редактор Н. Суханова Подписное Заказ 1022/9 Изд, Ее 485 Тирагк 964 1-1 ПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, гЧосква, Ж, Раушская наб., д 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Пр имер 1.Порошок палладия 65,7 Поливинилпирролидон 3,0 Глицерин 2,3 Оксиэтилированныйалкилфенол ОП0,13Трибутилфосфат 2,67...
Сегнетокерамический материал
Номер патента: 578288
Опубликовано: 30.10.1977
Авторы: Андреева, Бертош, Жуковский, Мищенко, Нейман, Ротенберг, Соловьева
МПК: C04B 35/468, H01B 3/12, H01G 4/12 ...
Метки: материал, сегнетокерамический
...0,3 иуглекислыи марганец 0,6.П р н м е р 3. (по среднему значешпо,вес. %). Диэлектрическая пронпцаемос 1 ьв=3070, изменение емкости в интервале температур от - 60 до + 125 С состагляет от-10,до - 12%.Загэужают в вибромельнпц В Виде ПО.2 о рошков титанат бария в количестве 95, затемдобавляют к нему окись самария 1,5, углекислый барий 0,3, пятпокись ннобпя 3 и углекислый марганец 0,2.Затем компоненты, указанные в примерах25 1,2 и 3, перемешивают в впбромельнице в течение 2 - 3 час и в результате получают тонкопзмельченный порошок, и которому добавляют полпвинпловый спирт, либо растворкаучука, а затем получают образцы либозО прессованием дисков, либо отливкой через3фнльеру пленки, на которую наносят палладнсвые электроды. Образцы...
414450
Номер патента: 414450
Опубликовано: 05.02.1974
Авторы: Бертош, Всесоюзная, Гриненко, Изобретени, Сидоров, Ходакин
МПК: F16K 17/19, F16K 17/26, F16K 7/17 ...
Метки: 414450
...4 и 5, полость каждого:из которых соединена с од 1 ним из его торцов продолыными каналами 6, Мембрана 2 снабжена седлом 7 в виде тора еаругового сечения, который с натягом охватывает рабочий орган 3, фикоируя нейтралыное положение 10 дапана.Когда разность давлений газа в контейнере 8 и снаружи его .невелика, клапан находится в нейтральном положенип,и полость контейнера 8 отделена от окружающей среды (фиг 1).Если давление в контейнере больше давления окружающей среды, мембрана 2 просгибаясь, создает зазор между селлом 7 и гранью паза 4 раоочего органа 3, через который газ из,контейнера 8 по каналу 6 сбрасывается в окружающую среду, Давление в контейнере 8 палает ло заданной разности (фиг. 2). При обратной разности, когда давление снаружи...
Стенд для монтажа пространственных приспособлений
Номер патента: 93878
Опубликовано: 01.01.1952
Авторы: Бертош, Гринман, Игнатов, Никитин, Сидоров
МПК: G01B 3/08, G01B 3/26, G01B 5/25 ...
Метки: монтажа, приспособлений, пространственных, стенд
...51, расположеП 1 ыхна расстоянии, кратном 200 .ц.ц, для совмещения отверстиями в гнпе 1 ках, и рял отверстий с протнвополо)кной стороны калибра, опрелс 1 яюпих дистанции мснгтируемых узлов приспособления,После определения с помо 1 цью калибров положения узла присособлсиня в пространственной системе координат узел фиксируется в этомположении а линейке при помощи переходных фитингов и шлифованныхштырей.Монтажно-фиксирующий калибр для фиксации контуров,агрегатов самолета устанавливается на поперечных линейкахзаланной дистанции,Фиксатор контура п тверстиям со тсяс соответствующими верстиямп, но93878 ПрсдзСт изобретения 1 Стенд,для онтаж 1 прострагСтвенных П 1 зиспособлени 11 посредст. Вом трех р 1 асположенных ВО Взаимно-перпеидн 1 уляр 1...