Твердый раствор для высокочастотных керамических конденсаторов
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
ТВЕРДЫЙ РАСТВОР ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ системы Ba1-yAy (Nd1-xBix)2Ti4O12, где y = 0,10 - 0,15, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости при сохранении значений температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и удельного объемного электрического сопротивления, он содержит в качестве элемента A Pb, x = 0,30 - 0,50.
Описание
Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости при сохранении значений температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и удельного объемного электрического сопротивления.
Согласно примерам 1-5 в табл.1. твердый раствор готовят следующим образом.
Для получения 1,0 кг твердого раствора Ba1-yPby(Nd1-xBix)2Ti4O12. где х = 0,30-0,50; у = 0,10-0,15, готовят одномолярные растворы хлорида бария, нитратов неодима, висмута, свинца; двумолярные растворы титана хлористого и карбоната аммония. В реактор заливают дистиллированную воды и смесь осадителя, состоящего из растворов карбоната аммония и аммиака в количествах, указанных в табл.2.
При интенсивном перемешивании в реактор в течение 30 мин сливают двумя параллельными потоками смесь растворов хлоридов бария и титана и смесь растворов азотнокислых солей свинца, неодима, висмута в количествах, указанных в табл.2.
Образовавшуюся суспензию перемешивают в течение 1,5 ч, проверяют полноту осаждения (рН должен быть 8,5-9,0) и через 30 мин суспензию сливают на нутч-фильтр. Осадок после отделения от маточника отмывают от анионов. Полученную пасту высушивают при 100-120оС, размалывают в шаровой мельнице, просеивают через капроновое сито N 10. Полученный порошок прокаливают при 1150оС 6 ч.
После прокалки продукт просеивают через сито N 0056, загружают в вибромельницу и размалывают в течение 1-2 ч до удельной поверхности 7000-9000 см2/г, анализируют на содержание свободных BaО; PbO; Nd2O3; Bi2O4; после чего изготавливают образцы диаметром
15 мм, толщиной 1-2 мм при Р = 1000 кг/см2. Образцы обжигают при 1220-1300оС, металлизируют и проверяют диэлектрические свойства( 
,ТК ,tg 
, 
v). Электрические свойства предлагаемого состава твердого раствора Ba1-yPby(Nd1-xBix)2Ti4O12 по примерам 1-5 табл.1 и материала-прототипа представлены в табл.3.Спекание образцов контролируют по разности tg
, измеренного в нормальных условиях и после увлажнения (кипячение образцов в дистиллированной воде в течение 1 ч). Измерение tg и емкости образцов производят на частоте f = 1 МГц на приборе МЦЕ-13А. Диэлектрическую проницаемость керамического материала определяют исходя из формулы:=14,4 
C d/D2, где С - емкость, пФ;d - высота образца, см;
D - диаметр образца, см.
Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости измеряют на приборе ТКЕ-10А. Сопротивление изоляции образцов измеряют при t = 155оС на приборах ТО-6М, после чего рассчитывают удельное объемное сопротивление образцов (
v, Ом см).Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве высокочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости при сохранении значений температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и удельного объемного электрического сопротивления твердый раствор для высокочастотных керамических конденсаторов системы Ba1-yAy(Nd1-xBix)2Ti4O12, где y = 0,10 - 0,15, содержит в качестве элемента А Pb и отвечает формуле: Ba1-yPby(Nd1-xBix)2Ti4O12 при x = 0,30 - 0,50. Твердый раствор получают методом химического соосаждения из растворов нитратов и хлоридов соответствующих элементов с последующим спеканием прокаленного и формованного материала при 1220 - 1300°С. Полученный материал имеет следующие характеристики:
при (20 
5) 
C 115-148; ТК (0-150) МК-1; tg (1-2) 
10-4; v при 155 C 
1012Ом cм. 3 табл. Рисунки
Заявка
4641269/33, 25.01.1989
Ненашева Е. А, Камушкина И. Б, Картенко Н. Ф, Лимарь Т. Ф, Иванова Л. В, Новиков В. Ю, Инкина С. А
МПК / Метки
МПК: C04B 35/46, H01G 4/12
Метки: высокочастотных, керамических, конденсаторов, раствор, твердый
Опубликовано: 27.02.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1586101-tverdyjj-rastvor-dlya-vysokochastotnykh-keramicheskikh-kondensatorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Твердый раствор для высокочастотных керамических конденсаторов</a>
Устройство для измерения толщины и диэлектрической проницаемости диэлектрических пленок
Номер патента: 1149187
Опубликовано: 07.04.1985
Авторы: Конев, Любецкий, Михнев
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектрических, диэлектрической, пленок, проницаемости, толщины
...антенну, делитель луча, к первому плечу которого обращен вход резонатора с зеркалами, в .котором при измерениях исследуемая диэлектрическая пленка расположена под углом 45 к оси резонатора, перпендикулярной первому плечу делителя луча, первый приемный блок, подсоединенный через первую приемную антенну к второму плечу делителя луча и регистрирующий блок, введены первая и вторая поляриэационные проволочные решетки, причем проволочки обеих поляризационных проволочных решеток параллельны, вторая и третья приемные антенны, второй приемный блок н корректор, первый приемный блок выполнен в виде блока измерения диэлектрической проницаемости, выход резонатора расположен со стороны, противоположной его входу, причем первая поляризационная...
Измеритель диэлектрической проницаемости диэлектрических покрытий на металлической поверхности
Номер патента: 1059515
Опубликовано: 07.12.1983
Авторы: Косогоров, Сташкевич, Тарасюк
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектрических, диэлектрической, измеритель, металлической, поверхности, покрытий, проницаемости
...относится к техникерадиоизмерений и может использоваться для измерения диэлектрическихпостоянных веществ.Известен интерферометр СВЧ дляизмерения эффективной толщины диэлектрических пластин, в которомиспользован принцип действия отражающего интерферометра Майкельсона,при этом испытуемая диэлектрическая .пластина, покрытая с одной стороны 10металлом, помещается вблизи рупор"ной антенны 1 .Однако такое устройство имеетнизкую пространственную разрешающуюспособность 15Наиболее близким .к предлагаемому является устройство для измерениядиэлектрической проницаемости диэлектрических покрытий, содержащее СВЧ-генератор, излучающую антенну для возбуждения поверхностныхволн в системе металл-диэлектрик,приемную антенну с измерительнымустройством...
Резонатор для измерения диэлектрической проницаемости листовых образцов диэлектриковна свч
Номер патента: 317994
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Добровиш, Ландык, Лтно, Минов, Ярин
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектриковна, диэлектрической, листовых, образцов, проницаемости, резонатор, свч
...соответстзующее нечетному числу полуволн в стем е. Затем без изменения расстояния между ловипямц резонатора удаляется испытуем б образец 1 и вновь измеряется второе, ближ шее к первому, значение резонанснойчасто соответствующее нечетному числу полуво в системе. Помещение диэлектрика с проницаех 1 п стью Х в резонансную систему приближен в Х раз увеличивает значенне емкостей по рассеяния, нагружающцх открытыс кон половин резонатора, и вызывает сдвиг ре цансцой частоты. 5 Зная общую электрическую длину резона цой , частоту резонансапри наличии обр ца диэлектрика, частоту резонанса з при у ленном образце, приближенное зцачет диэлектрической проницаемости цспытуем 20 ооразця определяется соотношениемгде С - скорость света в вакууме. Более...
Керамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью
Номер патента: 893960
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Акимов, Никифоров, Олехнович, Ракицкий, Урбанович
МПК: C04B 35/497
Метки: высокой, диэлектрической, керамический, материал, проницаемостью
...целевого продукта. Вьппе указанной величины значительно увепичивается нестехиометрнчность соединения РЬМпТаО, что приводит к снижению качества целевого продукта. Значение величины концентрации оксидов марганца, тантала и св.,нца находят аналогичным образом.Способ приготовления предлагаемо-го материала заключается в следующем,Смесь порошков иэ оксидов циркония, марганца, тантала, свинца указанногосостава подвергают обжигу при 700 о1100 С под давлением 30-60 кбар в течение 1-5 мин. Путем исследования структуры на рентгеновс.;ом дифрактоиетре УРСИМ в С 0 Кизлучении установлено что полученные образцы имеют структуру типа перовскита. ИзмеТаблица 1 Содержание, иас. Х Ком по н ен ты 57,8 57,0 60,8 55,4 РЬО 4,8 1,0 4,8 3,3 1,0 10,5 10,0 10,0...
Способ определения диэлектрической проницаемости пластин
Номер патента: 1205067
Опубликовано: 15.01.1986
Автор: Стародубровский
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектрической, пластин, проницаемости
...относится к электроизмерениям и может быть использовано для определения анизотропии диэлектрической проницаемости пластин.Целью изобретения является повьше. ние точности, обусловленное измерением диэлектрической проницаемости в перпендикулярном и параллельном направлениях к поверхности диэлектрических пластин.На чертеже приведена схема реализации способа определения диэлектрической проницаемости.На схеме обозначены нижний 1 и верхний 2 электроды, исследуемая пластина 3, замкнутые линии зазоров 4 на верхней металлизированной поверхности исследуемой пластины, области 5 металлизации верхней поверхности исследуемой пластины, металлические штыри 6 - 9, измеритель 10 электрической емкости, перемычки 11 между верхним и нижним...
Предыдущий патент: Регенерат и резиновая смесь для изготовления подошв на его основе
Следующий патент: Имитатор катапультирования для авиационного тренажера
Случайный патент: Почвообрабатывающее орудие