Балакишиева

Номер патента: 1474149

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Алексеева, Балакишиева, Бертош, Дорохова, Егоров, Мамчиц, Питушко, Ротенберг, Самойлов, Трояновская

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

....в кермическом производстве образом получают спеки титаната бария И цирконта кальция.Полученные спеки измельчают до удельной поверхности 40005000 см/г. Затем измельченные спеки, взятые в .заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомкарбоната марганца, оксида самария 4 С 04 В 35/46 Н 01 О 4/12 электриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотныхконденсаторов, Для сокращения потерькерамики по микротрещинам при пайкек ней выводов шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала содержит в качестведобавки глину при следующем соотношении. компонентов, мас.%: ВаТО92-98; СаЕгО 0,7-4,0; ИЪО 0,7 -глина 0,2-0,7. Полученный по обычной керамической технологии при1280-1360 С в течение 2 ч...

Номер патента: 1258825

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Алексеева, Балакишиева, Бертош, Дорохова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Питушко, Ротенберг, Самойлов, Трояновская

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: сегнетокерамического, шихта

...10МпСО05Оксид из граз12588 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления. низкочастотных керами ческих конденсаторов.Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь и повьппение сопротивления изоляции керамики при максимальной рабочей температуре. 10Предлагаемую шихту для изготовюления сегнетокерамического конденсаторного материала получают следующим образом.Предварительно известным в керами ческом производстве образом изготавливают спеки титаната бария и цирконата кальция. Полученные спеки измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г. Измельченные спеки,Свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных кон 20 денсаторов...

Номер патента: 1244129

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Андреева, Балакишиева, Бертош, Голубцова, Горонович, Жуковский, Ротенберг, Соловьева, Суслина

МПК: C04B 35/468

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

...значений емкости в интеровале температур от - 60 до +125 Си повышение удельного сопротивления 10керамики,Предлагаемую шихту сегнетокерамического конденсаторного материалаполучают следующим образом.Предварительно известным в керамическом производстве образом изготавливают ВаТО которые синтезируют3при 1200-1300 С и измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см/г, Затем полученные в отдельности ВаТО, 20и СаЕгО смешивают в требуемом созотношении и обжигают при 1400 С в течение 2 ч. К полученной таким образомсмеси добавляют в требуемом соотношении МЬ,О МпСО ОУ 20 РхО и1 ЬО смешивают и измельчают доудельной поверхности 5000-7000 см /г.Полученную шихту сегнетокерамического материала используют для изготовления диэлектрика...

Номер патента: 1085964

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Андреев, Андреева, Балакишиева, Голубцова, Жуковский, Константинов, Костомаров, Макарова, Ротенберг, Соловьева

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...состана, мас,Ъ:"Ь 2 0,3 - 3,00,3-3,0"2"0,4-4,0Нцт;"Э Остальноеданный материал имеет величину ди электрической проницаемости Е /Г2300-700, а изменение Г в интервалетемператур от -60 до +125" С не превы -мает +20 Ъ, тангенс угла диэлектрических потерь 0,012-0,018 21. 50Однако этот материал не обеспечинает получения величины диэлектрической проницаемости Е/фЕ;, более2600, а также тангенса угла диэлектрических потерь менее 0,012, что 55является его существенным недостатком,Пель изобретения - увеличение диэлектрической проницаемости и уменьшение таыгепса угла диэлектрических 60потерь. Указанная пель достигается тем, что известный сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий НяТ 109, ИЬ 20, 002 или его концентрат"Ь 20 э,...

Номер патента: 280476

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Алиева, Балакишиева, Коджаева, Мамедов, Мехтиев, Султанов, Эфендиева

МПК: C07F 3/02

Метки: 280476

...указанного соединения, заключающийся во взаимодействии 2-хлорбутадиена,3 с магнием в присутствии в качестве катализатора хлористого цинка в среде тетрагидрофурана при температуре кипения последнего,Способ легко осуществим и базируется на использовании широко доступного исходного сырья. П р и м е р 1. Берут следующие компонМеталлический магний в стружках, гХлористый цинк (катализатор), гТетрагидрофуран (растворитель), ллХлоропрен, гПолучают реакционную массу, при гпизе которой образуется 5,2 г дивиниласоответствует 10,8 г 2-магнийхлорбутадие(или 80% от теории на взятый хлоропренПродукт гидролиза 2-магнийхлорбутна,3 подвергают анализу на хроматогХЛ, Результаты анализа показывают ственную характеристику получаемого днвпнила. Строение...