Шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов

ZIP архив

Текст

.8)видетельство ССС04 В 35/46, 198льство СССР35/46, 1981 дете 04 В КОГО Ематериа 5) С -4 2 табл,и и може ве мнося к материаехники и можетоизводстве мное амических ихт ющая ИЬ,Оя те торов, вклю ЕпО, Ы О чающаяконценс Са 2 гОэ ла дляВаТ .0МпСО з,что, с отлцельюи повьпп ижения диэлектричес ния температурной с потерь бильно рическои проницаемо содержит дополни ти диэлриала,ти мат тельно еи следующем соо мас.Х: нии компоненто АРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬ 1 ТИГННТ СССР АВТОРСКОМУ СВИ(54) ШИХТА СЕГНЕТОКЕРАМИЧРИАЛА ДЛЯ КОНДЕНСАТОРОВ(57) Изобретение относитслам радиоэлектронной технбыть использовано в гроиз Изобретение относитлам радиоэлектронной тбьггь использовано в пргослойных монолитных к рконденсаторов,Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь и повышение темпе-. ратурной стабильности диэлектрической проницаемости материала.Материал приготавливается по обычной керамической технологии: сухой помол в вибромельнице с резиновой футеровкой и стальными шарами в течение 2-4 ч до удельной поверхности не менее 5500 см /г. Загрузку компонентов проводят согласно указанному соотношению компонентов. В полученную массу вводят связку (поливиниловый спирт в количестве 8 Е) и методом прессования изготавливают образцы в виде дисков 2 гослойных монолитных керамических конденсаторов, Для снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов содержит дополнительно УОз при следующем соотношении компонентов, мас.Е: ВаТОз 88,00-89,90; СаХг 03 7,50-7,90; ЕпО 1,40 - 1,65; 1 Ы О 0,80-1,40; ЫЬ О 0,30 - 0,60; МпСОэ О, 05-0, 15 и 70О, 05-0, 30. Полученный из указанной шихты материал имеет следующие характеристики: г, , 9000-14000; йЕ/ Е в интервале температур (-60 +8 8-843; еда 0,0021-0,0048.ЪаИ для испытаний. Образцы обжигают в инотервале температур 1320-1380 С, затем наносят элекгрод методом вжигания сеоребряной пасты при800 С и измеряют электрические характеристики.Составы ыихты приведены в табл. характеристики материала, полученного из указанных составов, - в табл, 2. формула изобретени гнетокерамического матер1583393 ВаТОСаЕгОЕпОЮЖО э 1 ЬОюИпСОэт,о,88,00-89,907,50-7,901,40-1,650,80-1,40 0,30-0,60 0,05-0,15 0,05-0,30 Т а блица 1 Содержание, мас.Х, в составе Компонентышнхты Г Таблица 2 Показатели для состава Хара кт еристики 13100-14000 9000-9500 12000-13400 10000-14000-95-75 0,35-0,48 0,21-0,26 0,30-0,45 0,50-0,75 Составитель Л. КосяченкоРедактор Н. Гунько Техред А.Кравчук Корректор Т,Палий Заказ 2228 Тираж 573 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 ВаТО СаЕгО 1 й,О э 11 Ь ЕпО МпСОэ Рз Диэлектрическая проницаемость Е при 20 СОтносительное изменение диэлектрическойпроницаемости д Е( Яв интервале температур (-60)-(+85) С, ЖТангенс угла диэлектрических потерьС 8 г 10 89,9 7,5 0,8 0,3 1,4 0,05 0,05 887,91,40,61,650,150,3 88,9 7,8 1,2 0 ,"4 1, 5 0, 1 0,1

Смотреть

Заявка

4478198, 05.09.1988

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4816

ДОРОХОВА МАРГАРИТА ПЕТРОВНА, РОТЕНБЕРГ БОРИС АБОВИЧ, РЕВИНА ЛЮДМИЛА ЕВГЕНЬЕВНА, КУСКОВА ЛЮДМИЛА ВАСИЛЬЕВНА, ПРОДАВЦОВА ЭЛЕОНОРА ИВАНОВНА, ЮРГЕНСОН ИРИНА АРТУРОВНА

МПК / Метки

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: конденсаторов, сегнетокерамического, шихта

Опубликовано: 07.08.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1583393-shikhta-segnetokeramicheskogo-materiala-dlya-kondensatorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов</a>

Похожие патенты