Запоминающая матрица

с: с- н,лз етс,1.:.:х-ОП КСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Советских Социалистических Республик, Кл, 6 11 с 11/141639483/18 Заявлено 29.111.1971 с присоединением за ГриоритетОпубликовано 22.Ъ. Дата опубликования киКомитет по деламобретений и открытий УДК 681.327.6(088,8/3. Ьюллетен при Совете МинистСССР 2 Х 111. писаи Авторыизобретения П, Панев. Бушин, 3. В, ЛитвишВ. А. Пистолькорс стапенк ена Ленина Институт кибернетики АН Украинской СС аявптель АПОМИНАЮЩАЯ МАТРИ ледующце цс Предлагаемое изобретение относится к ооласт Выслительно Техники и моткет сыть использовано в интегральных магнитоплецо - иых накопителях,Известны запоминаощие матрицы, образованные правильно чередующимися перекрестями прОВОдников, покрътых тоцкоп магнит ной пленкой.Известные матрицы имеют сдостатки:а) нетехнологичность конструкции, так кяк элемевт из магнитного проводяцего материала нельзя осаждать непосредственно на проводники. При нанесении же элемента из проводящего материала на диэлектрик более сложно обеспечить заданные характеристики магнитного слоя, а следовательно, и однородность рабочих характеристик матриц;б) сложность изготовления элегмецта из-зя наличия слоя изоляции между проводниками управления и магнитным слоем;в) увеличение длины магнитопровода элемента из-за наличия слоя изоляции между проводюками управления и магнитным слоем, а, следовательно, увеличение адресного и разрядного токов.Целью предлагаемого изооретения является улучшецие эксплуатационных характеристик запоминающей матрицы.Для достижения этого матрица содержит дискретные магнитные слоп, цяцесецце непосредственно ця пцешцою сторону управляющих проводников и цепроводящцй магцигнматериал с большой магнитной пропицаемостью и малой остаточной намагциченцостно впространстве между перекрестцямн упрвлппощпх проводников.Предлагаемая коцстрх кцця запоминаюценматрицы имеет следующие преимущества:а) магнитные слои расположены цепосредствещо ца плоских управляющих проводниках, поверхности которых можно придатьструктуру, обеспечивающую получение магнитных пленок с задан 1 ои свойствямц и темсамым пол ение матриц с однородными рабочнмц хяряктеристиамп;б) упрощает:я изготовление элемента, таккак не т 1 ебмстся наносить слой изоляциимежду процо:ццкямц и магнитными слоямиэлемента;в) изоляция прокладывается только междупроводниками, в результате чего уменьшается общая длина магнцтопровода элемента,а следовательно, уменьшаются адресные иразрядные токи,На фцг. 1 изображена конструкция предлагаемого устройства; на фиг. 2 - разрез поА - А ся фцг. 1; ца фиг, 3 изображена схеманямагци пвация элемента.Предлагаемое устройство состоит нз управс 151 о 4 ного н разрядного токов на противоположное. Г 1 рн считываниив провод 1 ике 4 в результате :перемагничцання элемента адресным импульсом наводигся э. д. с., а при считывании 0 э.д.с. не наводится. Запоминающая матрица, содержащая многослойную систему управляющих плоских проводников, расположенных взаимно псрпендн 1 сулярно, с изолятором между ними, Отличаюиаягя тем, что, с целью улучшения эк,- пл атационных характеристик, она содержит дискретные магнитные слон, цанесенцые непосредственно ца вцсш 1 ою сторону управляюних проводнсиков и непроводяший магнитный :,1 атернал с большой мапгитной прон 1,цаемостью н малой остаточной намагниченностыо в пространстве между перекрестп 51 ми управляющих проводников. 1 г остывителн В. ВакарТехред Т. Ускова Редактор Б,орректор Е. Сапуно снн Заказ 22 О/16 Изд.1525ЦНИИПИ 1 омитеты ио делам изобретений и отМосква, Ж, Рыушск; ипографи 5 Ь пр. Сапунова,ляюгцего плоского проводника 1 со слоем изоляцин 2 и с дискретным магнитным слоем 3 из материала с прямоугольной петлей гистерезнса; проводника 4 со слоем изоляции 5 и магнитным слоем 3; замыкателя 6 5 магнитного потока элементов.Предлагаемое устройство работает следующим образом.,При записи 1 в элемент матрицы магнитные слои 3 под действием адресного и,раз рядного токов записи намап 1 ичива 1 отся по ча совой стрелке, Магнитный поток в заза, с между краями мапи 1 тных слоев 3 провод 1111- ков 1 ц 4 проходит по замыкателю 6. Мап 1 гный замыкатсл 1 имеет оольшие мат 1 л 11 тй ю 15 пуоницасмость и плогцадь сечения, а следовательно, малое магнитное сопротиьленнс. ЕГО- ме ТОГО, замыкатель должен иметь малу 10 Ос - таточную намагниченность, При записи О в элемент матрицы направление намагцнченно сти слоев 3 изменяется под действием алресПредмет изобретения Тираж 576 Подписное рытпй при Совете Министров СССР 11 аб д 45