410457

4 Ю 457 Союз Советских Социапистицеских РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 31.Н 11,1972 ( 182068 И 8-24) М. К 1 с 11/14 исоединением заявкиГасударственный комитвСоввта Министров СССРоо делом изооротоиийи открытий ПриоритетОпубликовано 05,1.1974. Бюллетень1Дата опубликования описания 14 Х.1974 УДК 681,327.3(088.8) Авторнзобрете В. В. Звягинцев Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССявител НАКОПИТЕЛЬ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Н ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХНа чертеж тель, в соста проводящая (диэлектрич сглаживания ложки, 4, 5 полосковые е показан пре в которого вх подложка, 2,еские) подслои неровностей- магнитные пялинии выборки дложенныи накопиодят: 1 - электро - металлические используемые для поверхности подтна, 6 - разрядные , 7 - адресные по 1Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к запоминающим устройствам вычислительных машин. Устройство может быть использовано при построении быстродействующих запоминающих устройств,Известны накопители запоминающего устройства, в которых использованы тонкие слои ферромагнитных материалов. Эти накопители имеют следующий недостаток, Межэлемент. ные участки подложки, расположенные между 10 разрядными полосковыми линиями выборки, будучи электропроводящими, шунтируют нагрузку запоминающего элемента, которой является разрядная шина выборки. В результате уменьшается амплитуда полезного сигнала. 15Цель изобретения - увеличение амплитуды считанных сигналов, Поставленная цель достигается тем, что в электропроводящей подложке между разрядными полосковыми линиями выборки выполнены изолированные 20 участки в виде сплошных полос, параллельных разрядным полосковым линиям выборлосковые линии выборки, размещенные на диэлектрических подслоях 8 и 9, 10 - изолирующие участки, выполненные в виде сплошных полос, 11 - адресный дешифратор, 12 - несущее диэлектрическое основание.Накопитель работает следующим образом. При записи двоичной информации под воздействием тока, пропускаемого по выбранной адресной линии 7 от адресного дешифратора 11, намагниченность магнитных пятен 4, 5 всех элементов выбранной адресной линии устанавливаются в направлении оси трудного намагничивания. Перед отключением адресного тока по разрядным линиям пропускают разрядный ток записи, полярностью которого определяется записываемая (О или 1) информация.В момент отключения адресного тока намагниченность магнитных пятен 4, расположенных внутри разрядных линий на одной поверхности электропроводящих участков подложки 1 под воздействием разрядного поля (в зависимости от записи в элемент О или 1) будет вращаться соответственно по часовой, либо против часовой стрелки. При этом намагниченность магнитных пятен 5, расположенных впе разрядной линии на противоположной поверхности электр опроводящих участков подложки 1, под воздействием полей рассеяния магнитных пятен 4 вращается вПредмет изобретения Составитель В. Гордонова Текред Е. БорисоваКорректор 3. Тарасова Редактор Т. Орловская Заказ 1049(10 Изд355 Тираж 591 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 противоположном направлении, т, е. против часовой стрелки при записи О и по часовой стрелке при записи 1, После отключения разрядного тока намагниченности магнитных пятен 4, 5, расположенных на противополож ных поверхностях подложки, оказываются сориентированными в противоположных направлениях вдоль оси легкого намагничивания, чем обеспечивается замыкание полей рассеяния элементов при хранении информации, 10Считывание информации происходит на переднем фронте адресного тока при вращении намагниченностей магнитных пятен элементов из остаточного состояния вдоль оси легкого намагничивания в направлении оси трудного 15 намагничивания, Такое вращение сопровождается изменением потока, проходящего через плоскость разрядной линии, от нуля до максимального положительного и отрицательного значения и выделением на разрядной линии 20 полезного сигнала, Сигналы считанных 1 и О различаются полярностью. При считывании информации изолирующие участки 10 подложки предотвращают шунтирование разрядной линии, это приводит к увеличению амплитуды полезного сигнала. Накопитель запоминающего устройства на тонких магнитных пленках, содержащий несущее диэлектрическое основание с выполненными на нем адресными полосковыми линиями выборки, на котором последовательно расположены диэлектрическая подложка с нанесенными на ней разрядными полосковыми линиями выборки и электропроводящая подложка, на противоположных поверхностях которой нанесены магнитные пятна, отличающийся тем, что, с целью увеличения амплитуды считанных сигналов, в электропроводящей подложке между разрядными полосковыми линиями выборки выполнены изолированные участки в виде сплошных полос, параллельных разрядным полосовым линиям выборки.