377879

ОП И САН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУоюз Соеетснил циалистичесн РеспублииЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 24,711.1970 ( 1474061/18-24) Ч. Ь,л. О 11 с 11,14 явкис присоединен Комитет по дел Приоритет изобретений и атнрытиори Совете МинистровСССР Опубликовано 17 17.1 УДК 681.327.6(088,8). Бюллетень18 исания 11.И 1.1973 ата опубликования Авторыизобретения В. В. Звягинцев и К, ф, Рудковский нститут кибернетики АН Украинской Саявител ОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОПЛЕНОЧНЫХ МАТРИ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ2 Изобретение относится к области технологии изготовления запоминающих матриц на тонких магнитных пленках. Способ может быть использован при производстве накопителей для запоминающих устройств вычислительных машин.Известен способ изготовления магнитопленочных запоминающих матриц, заключающийся в вакуумном осаждении на подогретые подложки в присутствии ориентирующего магнитного поля пленок магнитных материалов, например %Ре, с последующим нанесением поверх их в вакууме слоя немагнитного материала. Последний осаждается с целью придания матрицам требуемых магнитных и электрических свойств. Поверх полученных таким образом слоев наносятся полосковые линии выборки. В зависимости от особенностей технологического процесса, конструктивного оформления матриц, а также степени воздействия на тот или иной параметр немагнитный слой может выполняться диэлектрическим или металлическим, В первом случае используются слои из моноокиси кремния, специальных термостойких лаков, например кремнийорганических.Во втором немагнитный слой чаще всего выполняется из меди.Известный способ имеет следующие недостатки: 1. Малая эффективность воздействия на характеристики матриц, являющаяся следствием физической природы используемых при изготовлении немагнитного слоя материалов. Это обстоятельство приводит к большим затратам времени на коррекцию характеристик запоминающих матриц и существенно снижает производительность технологического процесса. Так, например, при осаждении немагнит .ного медного слоя с целью увеличения порогаразрушения информации отжиг этого слоя в течение 1 час при температуре 325 С приводит к повышению упомянутого порога на 33%.Требуемое же повышение согласно экспери ментальным данным составляет 100%. Такимобразом, для того, чтобы изготовить матрицу с требуемой областью устойчивой работы по токам управления, на осаждение и последующую термомагнитную обработку указанного 20 немагнитного слоя надо затратить около 3 час,что составляет 50 - 60% времени всего технологического цикла изготовления пленочных матриц2. Неудовлетворительное качество воздейст вия немагнитного слоя на весь комплекс электрических и магнитных характеристик матриц, Под сказанным прежде всего подразумевается тот факт, что улучшение одной группы характеристик при нанесении немагнитного слоя, 30 как правило, сопровождается ухудшением377879 Составитель В. ВакарТехред 3. Тараненко Корректор Е, Зимина Редактор С. Перышкова Заказ 1894/11 Изд. Мз 1473 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/о Типография, пр. Сапунова, 2 другой группы характеристик матриц. Так, например, повышение порогового тока разрушения информации сопровождается нежелательными явлениями увеличения порогового тока записи информации, тока насыщения намагниченности пленочных элементов в трудном направлении, а также уменьшением амплитуды сигнала перемагничивания, Естественно, эти явления не могут не отразиться на технических характеристиках накопителя и запоминающего устройства в целом. Происходят они в основном из-за того, что осаждение и термомагнитная обработка немагнитных слоев осуществляется при температуре, превышающей оптимальную температуру (230 - 300 С) осаждения магнитных пленок. Вследствие этого развиваются процессы рекристаллизации и эпитаксии в магнитных пленках, и тем сильнее, чем выше температура осаждения и термомагнитной обработки немагнитных слоев в сравнении с температурой осаждения магнитных пленок. Указанные причины и являются источником ухудшения ряда характеристик магнитопленочных матриц.Для предотвращения возможности возникновения компоненты угловой дисперсии анизотропии непосредственно на магнитные пленки осаждается слой интерметаллического материала, например висмута, сурьмы,Предлагаемый способ изготовления магнитопленочных матриц состоит из следующих трех основных операций:вакуумное осаждение на подогретые подложки в присутствии ориентирующего магнитного поля пленок из магнитных материалов;осаждение непосредственно на магнитные пленки и последующая термомагнитная обработка в вакууме немагнитного слоя;изготовление и совмещение с пленочными элементами полосковых линий выборки.Отличительным признаком предлагаемого способа является выполнение немагнитного слоя из интерметаллических материалов, таких как висмут, сурьма; как показали результаты испытаний, более высокая активность указанных интерметаллических материалов позволяет существенно повысить эффективность воздействия немагнитного слоя на магнитные и токовые характеристики магнитопленочных матриц. Так, эффективность воздействия на 5 пороговый ток разрушения информации притемпературе осаждения и термомагнитной обработки, равной 325 С, в случае слоев из 5 Ь и В 1 соответственно в 5 и 10 раз выше эффективности ранее использовавшихся немагнит ных слоев. Использование пемагнитных слоевиз указанных интерметаллических материалов позволяет также существенно снизить температуру осаждения и термомагнитной обработки слоев, что является следствием физической 15 природы этих материалов.При использовании слоев из 8 Ь и В 1 действие их на характеристики матриц в достаточной степени с практической точки зрения проявляется при температурах 250 в 2 С со ответственно. Поскольку эти температуры оказываются ниже оптимальной температуры осаждения (280 - 300 С) магнитных пленок, то вредные процессы рекристаллизации и эпитаксии, о которых упоминалось выше, прп 25 осаждении немагнитного слоя практически отсутствуют, а вместе с ними - и нежелательные изменевия ряда магнитных и электрических характеристик пленочных матриц. При этом происходят лишь процессы упорядоче ния магнитной структуры, которые и приводятк требуемым изменениям магнитных и токовых характерстик. 35 П р ед м ет изобретения Способ изготовления магнитопленочныхматриц для запоминающих устройств, заключающийся в вакуумном осаждении на подлож 40 ки в присутствии ориентирующего магнитногополя магнитных пленок, отлссчаюсчссссая тем,что, с целью предотвращения возможностивозникновения компоненты угловой дисперсиианизотропии на поверхность магнитных пле 45 нок осаждают слой интерметаллического материала, например В 1,