Запоминающее устройство на магнитныхпленках

О П И С А Н И Е (11) 434479ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сй С 0 ветскмк СОцмйлистических Республик61) Зависимое от авт. свидетельства22) Заявлено 31.07.72 (21) 1821147/18-24 1) М. Кл. 6 11 с 7/О присоединением заявкиаоударотвенныи комитетСовета Министров СССРпо делам иэооретенийи открытий(54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА МАГНИТНЫХ ПЛ ЕН КАХ2 ектронИзобретение относится к области эл ной вычислительной техники,Известно оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) с компенсацией разрушающих магнитных полей тока считывания, содержащее накопитель и многоступенчатый дешифратор.При построении такого ОЗУ каждый запоминающий элемент (ЗЭ) в накопителе образуется на пересечении двух шин: числовой шины и разрядной шины. Числовые шины прокладываются параллельно направлению оси легкого намагничивания пленки, разрядные шины - перпендикулярно числовым шинам, Каждая числовая шина объединяет ЗЭ, принадлежащее одному числу, а разрядная шина - ЗЭ, принадлежащие одному разряду. Числовые шины, расположенные конструктивно рядом, подключены к выходам дешифратора инверсно (т. е. подключены начала четных шин и концы нечетных), Каждый выход дешифратора соединен с соседним через резистор, а последовательно с числовой шиной включен другой резистор. В режиме считывания в соответствующую числовую шину поступает импульс тока считывания. По рядом расположенным числовым шинам протекают компенсирующие токи, которые обеспечивают компенсацию разрушающих магнитных полей импульса тока считывания. Наличие большого количества дополнительных элементов (по два резистора на каждую числовую шину) и паек и необходимость дополнительного рассеяния мощности транзи стором последней ступени дешифратора усложняют устройство, так как через транзистор кроме тока считывания протекают компенсирующие токи.С целью упрощения устройства выходы де шифратора предпоследней ступени соединеныс соседними выходами через соответствующие резисторы и с соответствующими входами дешифратора последней ступени - через последовательно соединенные резисторы и диоды.15 На чертеже представлена схема устройства.Оно состоит из дешифратора 1 предпоследней ступени с выходами 2 - 6, дешифратора 7 предпоследней ступени с выходами 8, 9 и дешифратора 10 последней ступени на транзи сторах 11 - 15, а также накопителя с ЗЭ 16 наплоских магнитных пленках. Накопитель имеет систему числовых шин 17 - 21 н систему разрядных шин 22, Устройство также содержит две группы резисторов 23 - 27 и 28 - 32 25 и диоды 33 - 37.Числовые шины 17 - 21, расположенные конструктивно рядом, подключены к коллекторам соответствующих транзисторов 11 - 15 инверсно. Группа резисторов 23 - 27 включена межЗо ду выходами 2 - 6 дешифратора 1 предпоследней ступени, а группа резисторов 28 - 32 и диоды 33 - 37 включены последовательно между выходами 2 - 6 этого же дешифратора и соответствующими входами дешифратора 10 последней ступени,В каждой группе сопротивления резисторов равны между собой, а сопротивления резисторов 23 - 27 примерно на порядок больше сопротивлений резисторов 28 - 32.Устройство работает следующим образом.Если, например, дешифратором 1 предпоследней ступени выбирается выход 4, а дешифратором 7 предпоследней ступени выход 8, то по цепи, состоящей из резистора 30, диода 35, транзистора 13 и шины 19, протекает импульс тока считывания 1 и, а по цепи, состоящей из резисторов 25, 29, диода 34, транзистора 12, шины 18, и по цепи, состоящей из резисторов 26, 31, диода 36, транзистора 14, шины 20, протекают компенсирующие токи 18 и 1 м. Величина тока 1 определяется сопротивлением резистора 30, а величина токов 18 и 6 О - соответственно сопротивлениями резисторов 25, 29 и резисторов 26, 31.Магнитное поле импульса тока У,в создает в ЗЭ, расположенных под числовыми шинами 18 и 20, разрушающее магнитное поле. Это поле совместно с магнитным полем импульсов тока по разрядным шинам 22 при многократном повторении режима записи в ЗЭ, расположенных под числовой шиной 19, не приведет к разрушению информации в ЗЭ, расположенных под числовыми шинами 18 и 20, так как по шинам 18 и 20 протекают компенсирующие токи, которые обеспечивают компенсацию разрушающего магнитного поля.К цепи, состоящей из резисторов 24, 28, диода 33, транзистора 11, шины 17, а также к цепи, состоящей из резисторов 27, 32, диода 37, транзистора 15, шины 21, приложено напряжение на два порядка меньше, чем к цепи, состоящей из резистора 30, диода 35, транзистора 13, шины 19. Сопротивление диодов 33 5 и 37 при таком напряжении значительно возрастает, что исключает протекание тока по шинам 17 и 21.Соотношение между сопротивлениями резисторов 25, 26 и 30, т. е. между сопротивления ми групп резисторов 23 - 27 и 28 - 32, а также сопротивления резисторов 28 - 32 выбираются такими, чтобы обеспечить необходимую величину токов 1 и и 1 О для компенсации в запоминающих элементах, расположенных 15 под числовыми шинами 18 и 20 разрушающего магнитного поля импульса тока 1.В описанном ОЗУ может быть использованнакопитель на цилиндрических магнитных пленках. Схема такого устройства может быть 20 использована также при построении запоминающего устройства без разрушения информации.25 Предмет изобретенияЗапоминающее устройство на магнитныхпленках, содержащее накопитель и многоступенчатый дешифратор, последняя ступень ко торого выполнена на транзисторах, причемсоседние числовые шины подключены к коллекторам соответствующих транзисторов инверсно, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, выходы дешифратора 35 предпоследней ступени соединены с соседними выходами через соответствующие резисторы и с соответствующими входами дешифратора последней ступени - через последовательно соединенные резисторы и диоды,Составитель С. Карый Техред Н. Куклина Корректор Л. Орлова одписно в СС И Типография, пр. Сапунова,Редактор Е. ДЗаказ 2868/13 Изд.1739 осударственного по делам изо Москва, Ж, Тираж 591комитета Совета Минисбретений и открытийРаушская наб., д. 4/5