415896

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК ПАТЕНТУ 415896 Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимый от патента Лд Заявлено 09.17. 969 ( 1318066/18-24)Приоритет 6.Ъ,1968, Р 21 а/31518, ГДРОпубликовано 15.11.1974. Бюллетень ЛЪДата опубликования описания 2.И.97 1. Е,л. С 11 с 1/1 Государственный комитетСвввта Министрвв СССРпв двлам извбрвтвнийи вткрытий1 х 681 327 66 (088 8 Авторзобретени Иностранец Гюнтер Зальцман тская Демократическая(Гер спублик Заявитель Иностранное предприятие фЕБ Комбинат Роботрон Германская Демократическая Респ ика) АКОПИТЕЛЬ ЗАЛОМИ НЛ 1 О 1 ЦЕГО УСТРОИСТ Гредлагаемое изобретение относится к области вычислительной техники и касается магнитного тонколистового накопителя, с которого может свободно считываться накопленная информация и который состоит из накопительных элементов с одним или несколькими расположенными друг над другом магнитными тонколистовыми элементами, находящимися под воздействием наружного магнитного импульсного поля.Известны устройства, в которых применяются комбицироваццо представленные отдельные явления магнитно-статического оцепления между слоями, имеющими различные магнитные свойства, замедление токов возмущения как следствие застывшего потока и экрацирующее действие металлических проводников, чтобы достигнуть считывания информации без каких-либо помех,Для этих устройств повторное получение исходного магнитного состояния информации, считываемоц с помощью магнитного импульса включения поля элемента слоя, осуществляется с помощью магнитного поля управления, действующего ца элемент слоя, которое получается с помощью второго элемента слоя, слоя накопления или с помощью токов возмущения, образованных, как следствие, магнитным потоком рассеивания,Известные электрические схемы включениянакопителей и способы цх работы с магнитными тонколистовымц элементами и со свободным считыванием накопленной ицформа ции имеют в случае их различного технического применения некоторые недостатки, Недостатки известных устройств состоят в том, что оба тонколистовых элемента, необходимых для накопительной ячейки, должны иметь раз личные магнитные свойства; для записываццяи считывания накопленной информации оказываются необходимыми различные импульсы включения полей (согласно амплитудам или продолжительности их действия) илц должны 15 быть поданы импульсы включения полейочень короткой продолжительности действия и времени их нарастания.Целью настоящего изобретения являетсясоздание магнитного тоцколистового накопи теля, позволяющего беспрепятственно считывать накопленный материал, накопительные элементы которого имеют относительно простую технологию их изготовления, благодаря чему уменьшаются технические затраты для 25 подготовки импульсов включения полец, апотребности для одного накопительного элемента в пространстве невелики.Задача свободного считывания информацииосуществляется благодаря выгодному распо3 ложецию электрических проводнпков и маг нитных тонколистовых накопи;еле, 2 также и соответствующему способу эксплуаанни, что позволяет упростить его изготовление и сделать возможным записывание н ситывание информации с помощью единых нэ 5 у,ьсов включения полей.СОГласно изобретеци 10 эта зада 12 1 эсн 12 с с таким образом, что магнитный тонколистовой накопитель, с которого может свободно считываться накопленная информация и который состоит из накопительных элементов с одним или несколькими плотно располояспнымц друг цад другом магнитными топколистовымн элементами, находящимися под воздействием внешних импульсов магнитных полей, от, и- чается тем, что каждый тоцколистовой элемент имеет анизотропный магнитный накопительный слой, который окружен с обеих сторон по меньшей мере одним проводником, расположенным над электрически проводящим слоем накопления и находящимся в непосредственном проводящем соединении. Электрически проводящее соединение между проводниками, окруяающими накопительпьш слой, получается самопроизвольно от накопительного слоя.Следующий отличительный признак настоящвпо изобретения состоит в том, что по эсньшей мере один из проводников, окружающих накопительный слой, разделяется из полосы по мозаичному способу в направлении мень. шего сопротивления накопительного слоя, причем полосы проходят в направлении большего сопротивления.Следующий отличительпьш признак состоит в том, что накопительные элементы состоят из соответственно двух, расположенных один цад другим анизотрсппых магнитных тоцколистовых элементов с Г 2 эаллел нымн один относительно другого основыми осямн, причем один из тонколистсвы ". элементов имеет накопительный слой, а другой - слой для считыВания. Накоп 51 телын 1 й н с:нпьнЭ 2;О- щий слои выполнены из маериас одина оВ 0 Г 0 СОСтава И С ОдИНВКОВЫМ МсГИТНЫ 1; свойствами,фиг. 1 иллюстрирует способ работы накопительного устройства согласно настоящему изобретению с одним тонколис овым эле,ментом; ца фиг. 2 изображено более целесообразное конструктивное выполн=ше проводника, принадлежащего тонколистовоэу элеМЕНту; ца фИГ. 3 ИЗОбражЕца КОНСру 1;цс 11 я На копительцого устройства со сЭыз.:по:цн.ы н накопительным слоями,Предлагаемое накопительное усройс. Во состоит из магнитного анизотронпог, 1:1:О- листового накопительного слоя 1, К 0,01. Г расположен между проводниками 2 и 3 н на ходится с ними в электропровод дом сосди цеции. С помощью проводников, 5 Н 1 эон, водится магнитный импульс включения но лей Н, в направлении наибольшего соротнн леция магнитного накопительного слоя ДЛЯ СОЗДаНИЯ МсГНИТНОГО ПОЛ 1 Н 1 ЭЗВЛСНИН, в направлени меньшего сонронвлс нн 21 сопителы 10 ГО сл 051 1 слгжнт п 1 эОВОД, 0002.зованньш нз эроводннков 2, 3 и проводни 5 ка 6.1 рсждс Сего должно быть рассмотренос 1 ноодн(с с 1,ьВаНе накопленной ин(1)01 эции с пако;нтслыього эсснг. Прн эсП 1 энниысстс 51, ТО нсКОнленн 25 Пнфо 1 эыа,П10 имсс 1 состоЯние нсмаГничивани 51 - - А, Положеше вектора намагничивания Накопительного слоя 1 обозначено на фиг. 1 с помощыстрелки. СчитьВа;ше накопленной пнформац 1 ш происходит с помощью магниткэго им 15 пульса включения полей Н который вызывается с ноэоныо нэпульса эгСКЭ 1 энсСскоотока 1; в проводниках 4,5.Иыпульс включения полей Н, создает вплоскости накопительного слоя 1 В направлс 20 нии наибольшего сонроИвлсння магнитноесиловое поле, которое может П 1 эсВышаь анизотропное силовос поле Н накопительногоСЛОЯ И ПОВОР 21 ИВВЕТ ВЕКГ 01 Э Н 221 сц НИЧНвапи 5последнего нз направления наимеш шего соп 25 эотивлсния в направление наибольшего сопротивления. С этнэ связаны изменения соС 12 ВЛЯ 101 ЦИХ Мс 1 ГНИТНОГО ПОТОКс В Н 2 ПР 2 ВЛСнии наименьшего сопротивления. Вследствиеэтого меяду проводниками 2, 3 индуцнруеся30 импульс на 1 ряжени 5.Поскольку накопителыый элемент долженбыть ынолнсн конструктивно таким образо 1,чо между проводниками 2, 3 над накопительным слоем 1 создается электрическиЗ 5 проводящее соединение, то вследствие индуцированного импульса напряжения возникаетэлектрическин .ок с, который производитмагнитную составляющую силового поля внап 1 эаВлении нс 1 копленнОГО сос 205 П 1 ия намаГ 40 цичивания +М накопительного слоя 1. Этисоставляющие силового поля действуют в качестве магнитного силового поля Нс при отключении импульса включения полей Н, игарантируют тем самым, что состояние на 45 маГничиВания няконгсльнОГО сл 051 1 Опятьвозвращается в исходное полоэксние, т. с. Информация записывается обратно,Изменение сос-авлгнощих магнитного потока в направлении наименьшего сопротивле 50 ния при наложении импульса включения по.лей Н, и падение напр 51 жения, которое появляется в проводниках 2, 3 с помощью электрического тока 1 производит в проводнике,образованном из проводников 2, 3 и провод 55 ника 6 импульс нап 1 яжсння, кот 01 эый моэ 1 стс,ужить дл,; опознавания накопленной инфОРМПЦИИ.Чб 1.1 считывание информации после часго псьторспнс имело бы своим послед 60 сэ Вс невозвраНыс изменения состоянияньг,ншвания накопительного элемента,записываю;цие составляющие магнитного си,1 онсгс и .; Пе могут из известных соображснн. П 1 эсьшат в направлении наименьшеб 5 ГО сон 1 эоэ ИВ,снп 5 НсконнтсльнОГО сл 05 1 П 1 эиаткцачсции импульса включешя полей Н т. е, ца его обратном профиле, опрелелсннуто величину Нь Записывающая составлтощая МЯГЦИТНОГО СИЛОВОГО ПОЛЯ В ЦЯПРсЬЛСНИИ Цс 1- имецьшсго сопротивления зависит от времени. так как произволщий ее электрический так т, затухает примерно по показательной фуцкции.Благодар соответствующему определению продолжите,цпасти времени децствця импульса включения полей Нтолщине цакопитсль- НОГО с,чся 1, ст тякс тслцицс и птЗОВОдРз 10 стц цроводтшколз 2, 3, которые определяют постоянную времсцц затухания электрического тока гможет дсстигатьс та, что прсвышястся цсобходимая мини.дальняя Ве,тпчцна Н, составляющих магнитного силовага паля.Свободное считывание тсшфорзттц 1 ит происХОдИт СаатьсЕТСТВуаПГд Образат, КаГдя цяцапительцый слой 1 ц.дает цс састалцис цамягцичиваци -д- РЧ, а противоположное саста- ццс цамагцттчивсяцп 5 -- 1 з.11 акопец, должно быть рассмотрена записывание РцсрархЯПРР. Запцсывацце ттс 1 срзтг- ции может осущсствльс Рзвссзтть, Образом пугтем ссВпядсци Вторичпых 01 таГацял - цыс маги; гцых и. пульсцых залей. 11.дпульс ВКЛЮЧЕЦИ Г.;ЛЕй Псь ПОДаЦЦЫй В ЦЯЦ;".ВЛСЦЦ цаиболыцста сопроттВлен 51, поворачивает всстор нямцгцичцвацц цз ссс гоцця покоя В направлении панса:ьптсГО сап 1 зспз,сцц. Одцовремсццо подастся магнитное сплавс поле 3- Нд з Направленя цзцмсцьтцего сопросивлсцся При Отк 1 ю" с -1 изться включеци т. Дсй Н, тзектар цг.ггпцсцтвя:т т; цс 1 КОПтттслсцо 0 СЛО 5 1 Зяттц.таст цс 1 се 10 определсцте пс лсм .Правле" и Н, ц цяпрсцлсРш наи.;с:; 1 сга сопаотцвлсцт. Тем самым заш сьттзястс 5 .: 11 орзтяццт.В устр;".стве (с цг. 1) произвол с тз - пульс включения полей Н 8 с гомощыо импульса электрического .;ока г в троволццтсе, образованном проводникам;т 1, О.,1 л создаци 51 паля уп 1 эяВлспця -+ Н г слу жцт импульс электрического тока т-гд в проводштке, образованно.д из проводи;ов 2, 3 и б.Трудности возникают в Общем в результате того, что ця основа 1 ии э;:; гццр с 111 сго дсисви прападццкав 2, 3, которое вызывястс благодаря образуощимс токам возмушеци п 1 зи ВелюГиии импульса угпрл. Лсцц 5: полми, Рпудпа вксцосш талей Н, ц лоле упраглсЦпт гс сг Цт, ПОП ЯДЯОТ Дсстст Гттта бЫСТРО Ц С сОСТЯТОпа, Ц 1 Оц ЦЯ 11 Я,;ОГЦ С,1 Ьты 1 СЛС 1Лтст цс лг с яд 01 сжат быть стрс 1 пс с па мощью и пульса тзтстсчетИтт нолей У, известным абра,ом путем тзгатаплстя и тицев в проводниках 2, 3 по их продалытой аси. Образование записывающих токов г, однако в результате этого це затруднется.Процикцове 1 ше поля управления - , Н,г с помощью проводника 2 обеспечивается благодаря небольшой толщине прсвс дпикя и достаточной продолжительности действия импулт.- са поля управления. 5 10 15 20 25 30 40 45 50 15 бО Прц другом конструктивнос выполнении предлагаемого накопителя (фиг. 2) в проводнике 2 вьшолняются отверстя, которые предотвряцяют образование тс.:св возмущения и тем самым обеспечивают то, что поле управления -.Нсг попадает без помех на накопительныц слой 1. Тем самым записывающий электрический так г, одновременно распределяется ця некоторое количество вспомогателььх токов г;, Вследствие этого записывающиетягциттые силовые поля, созданные электрцческимц таками г, на некоторых участках накопительного слоя 1 имеют различцуо стт,тЧЯГРПттто-статического сцвплецие между участками цякогцтельцого слоя 1 достигается несмотря ца то, что в процессе свободного считывания накопленной информации в обЩЕЗт ЦатаППтЕ,ЫОМ СЛОЕ ЦаКОПЛЕЦИЕ ИнфаР- мании записывается опять.Провалццк 3 Мокет быть выполнен в твиде рястяттутой металлической пластицы и применен олговременцо в качестве несущего материала:т ля осажденного известным способом тако:тцтсльцого слоя 1, а проводник 2 - в качестве обратцога проводника лля импульсов ЭЛСТртЧЕССОГО ТОКЯ г, И +ст.Я 1 тсжЕ ОКЯЗЫВЯЕТСЯ ВОЗМОЖНЫМ ДЛ умЕНЬ- шсцц магнитных по,лей управления под проводяцей ластцсзй 3, выполненной в виде ",сикай фольги. цлц цад проводником 6 производить Оазязтсс мяГнитное замыкание из хор 1110 проводтцпх магцтттць. мате 1 эиалОВ.Другой вярцяцт коцстгуктцвцого выполцецц, цякаццтельного устроцства схематически изабракет: ПЯ фпг. 3. Путем введения второго ацтзсг:; апцаго магнитного тоцколцстовога элемец". а считывающего слоя 7 выполняется фуцктси накопления и считывания в разделешых танколистовых элементах, направления наименьшего сопротивления которых расцалагятотся параллелыто з цосительцо друг друга. В то время как накопительный слой 1 с гласа пястаящему изобретению служит для цякоплеция бинарной информации и в процессе счзтывания производит записываю 11 ги так гс, получается сигнал считывания прегту шсствсццо благодаряповорачиванию зсет 01 я ця.тяГцпчиВания считыВя 1 сщеГО слоя 7. Это имеет то преимущество, что может получаться большой считывающий сигнал, так кяк поворачивацпе вектора намагничивания счцтыватоц 1 ега слоя 8 после палачи импульса включсция Н в противоположность накопительному слою 1 не может предотвращаться записывающим током г,.Кроме того, тонколистовые элементы слоев 1, 7 образуют почти замкнутый магнитный поток так, что магнитные поля управления могут уменьшаться выгодныт образом,Запцсыьацие информации ца накопительном слое 1 происходит аналогичным образом, как эта было описано в накопцтельном устройстве на фиг. 1. Дополнительно, Однако, должен быть переведен вектор нямагничен30 ного состояния И считывающего слоя 7 в положение, антипараллельное вектору намагничивания накопительного слоя 1.Поле управления На, созданное с помощьюимпульса электрического тока сд в направлении меньшего сопротивления, имеет для накопительного слоя 1 и для считывающего слоя7 различные величины. На накопительномслое 1 появляется суммарное воздействие составляющих силового поля, произведенноготоками проводников 3, 6, в то время как насчитывающем слое 8 появляется только ихразница. Магиз но-статическое сцеплениемежду накопительным слоем 1 и считывающим слоем 7 имеет то последствие, что несмотря на это векторы намагничивания послепроцесса записывания занимают антипараллельное положение,Далее существует возможность создать достаточно сильное поле управления На такжеи для считывающего слоя 8, в то время какпоследний посылает импульс электрическоготока ьь он имеет тот же самый потенциал, чтои проводник 6.Далее с помощью накопительного устройства согласно настоящему изобретению пофиг. 3 можно осуществить видоизмененныйспособ считывания накопленной информации.В случае известных способов свободногосчитывания информации с помощью тонкихмагнитных слоев используется при включенииимпульса включения поля Нкак следствиеповорачивания вектора намагничивания втонколистовом элементе, индуцировапый импульс напряжения для опознавания информации. При отключении импульса включенияполей Н, возвращается вектор намагничивания, отклоненный в направлении большогосопротивления, в положение, параллельноенаправлению меньшего сопротивления, Приэтом аналогично индуцируется импульс напряжения, который может служить для опознавания информации, когда вектор намагничивания возвращается обратно в положение,заданное накопительным слоем 1. Это имеетместо в случае способа согласно настоящемуизобретению со свободным считыванием накопленной информации.Этот способ считывания информации имеетто преимущество, что состояние намагничивания с появлением импульса включения полей Н, может быть любым. Перемагничиваие считывающего слоя 7 вследствие известного эффекта утечки или вследствие размагничи вания также не имеет значения: Вследствиеэтого оказывается возможным для получения большего импульса напряжения при считывании для считывающего слоя 8 применять большую толщину слоя, чем это допустимо в 10 случае накопительного слоя 1.Работа накопительного устройства, согласно фиг, 3, осуществляется также тогда, когда при записывании в первый раз информации она записывается только в накопительный 15 слой 1 и не записывается одновременно в считывающий слой .Для принципа действия предлагаемого накопителя не имеет значения, по какой технологии и из какого несущего материала изготов лены магнитные тонколистовые элементы. Неимеет также принципиального значения, выполнены ли накопительный слой 1, считывающий слой 7 и проводящие слои 2, 3 для производства записывающих токов , в виде про ходящих слоев, в виде полосообразных слоевили в виде отдельных прерывистых элементов. Предмет изобретения 1. Накопитель запоминающего устройства,содержащий анизотроппый магнитный слой, окруженный с двух сторон проводниками, отличающийся тем, что, с целью упро щения технологии изготовления накопителя,проводники электрически связаны с магнитным слоем.2. Устройство по и, 1, отличающеесятем, что один из проводников выполнен по 40 способу мозаики.3, Устройство по п. 1, отличающеесятем, что один из проводников разделен в виде полос в направлении наименьшего сопротивления накопительного слоя.45 4. Устройство по пп, 1, 2 или 3, о т л и ч а ющ е е с я тем, что оно содержит,чополнительный анизотропный магнитный слой, ось которого параллельна оси основного магнитного слоя и который расположен под проводником, 50 окружающим основной магопьь слой.415896 оставитсль Л, Иванеева Техред 3. Тараненк Корректор Н, А на аз 1408/19ЦНИИПИ Г одписное Типография, пр, Сапунова Изд.1286 Тираж 591ударственного комитета Совета Министров Спо делам изобретений и открытийМосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5